利用上千万颗晶体管，怎样制出一颗芯片？ *
芯片一般是指集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果，通常是一个可以立即使用的**的整体。如果把**处理器 CPU 比喻为整个电脑系统的心脏，那么主板上的芯片组就是整个身体的躯干。对于主板而言，芯片组几乎决定了这块主板的功能，进而影响到整个电脑系统性能的发挥，芯片组是主板的灵魂。
我们终于看到一个门电路啦! 这是一个 NAND Gate(与非门)，大概是这样▼
A, B 是输入, Y 是输出
其中蓝色的是金属 1 层，绿色是金属 2 层，紫色是金属 3 层，粉色是金属 4 层。那晶体管(“晶体管”自 199X 年以后已经主要是 MOSFET, 即场效应管了 ) 呢？仔细看图，看到里面那些白色的点吗？那是衬底，还有一些绿色的边框？那些是 Active Layer (也即掺杂层)。
单结晶体管因为具有两个基极，故单结晶体管又称为双基极晶体管。无锡放大电路晶体管
下面的分析*对于NPN型硅晶体管三极管。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。
三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变 化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数（β一般远大于1，例如几十，几百）。
如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。
长沙晶体管联系方式场效应管与晶体管的比较!
FinFet晶体管
平面晶体管主导了整个半导体工业很长一段时间。但随着尺寸愈做愈小，传统的平面晶体管出现了短通道效应，特别是漏电流，这类使得元件耗电的因素。尤其是当晶体管的尺寸缩小到25nm以下，传统的平面场效应管的尺寸已经无法缩小。在这种情况下，FinFET出现了。FinFET也被称为鳍式场效应晶体管，这是一种立体的场效应管。FinFET的主要是将场效应管立体化。
第一种FinFET晶体管类型称为“耗尽型贫沟道晶体管”或“ DELTA”晶体管，该晶体管由日立**研究实验室的Digh Hisamoto，Toru Kaga，Yoshifumi Kawamoto和Eiji Takeda于1989年在日本***制造。但目前所用的FinFet晶体管则是由加州大学伯克利分校胡正明教授基于DELTA技术而发明，属于多闸极电晶体。
目前应用*****，工艺**成熟的半导体材料就是硅（Si），大家电脑和手机中CPU都是用硅做的，以硅举例，经过取材和反复提炼之后的高纯硅是几乎绝缘的，人们也没法直接拿一块高纯硅来用，这需要后续的掺杂，才能使其具有导电性，再加上其他许多后续的半导体工艺，才能真正做成各类器件芯片，投入实用。
掺杂的意思就是，往一块半导体里掺其他元素，即使只掺万分之一，甚至更少数量的其他元素，这个半导体的导电性能，就会发生几万倍甚至更大幅度的变化。并且，根据掺杂元素的种类和浓度的不同，它的导电性能和其他特性还会发生有趣的变化。掺入Ⅲ族元素的硅是P（positive，正）型半导体，主要以空穴导电；掺入Ⅴ族元素的硅是N（negative，负）型半导体，主要以电子导电。（这个具体的形成过程比较简单，略，想要进一步了解私聊我，或者翻阅教科书）
1947年贝尔实验室发表了***个以锗半导体做成的点接触晶体管。
三极管的介绍及用途如下 *
三极管的介绍：
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的**元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
金属氧化物半导体场效应晶体管。无锡放大电路晶体管
单结晶体管，也叫双基极二极管，有e、b1、b2三个电极，其三个管脚的极性可用万用表的R×1K挡来进行判断。无锡放大电路晶体管
MMIC电路设计中的场效应晶体管（FET）技术介绍 *
场效应晶体管（FETs）的结构和操作
FETs的俯视图，如同俯视MMIC晶圆表面，如图1所示。电流横向流过晶圆表面，从漏极到源极，并在栅极接触下通过。
图1、场效应晶体管（FET）的俯视图
注意，这只是单个栅极FET（或基本单元），并且这种器件，尤其是功率FET，由多个栅极指状物构成（以后我们会更详细地介绍）。
图1中FET的截面图“A-A”如图2所示，FET形成有半导体的低掺杂层，其在晶片表面下方形成导电沟道（channel），如图2（a）所示。沟道通常是n掺杂的，因此存在自由电子以在沟道中传输电流。金属源极和漏极端子通过欧姆接触与该导电沟道接触到半导体的重掺杂层。如果在漏极和源极触点之间放置电压，则电流可以在它们之间流动，直到沟道（channel）中的所有自由电子都传导电流为止。如果栅极端子上的电压为零，则该电流称为漏源饱和电流（IDSS）。这是场效应晶体管的“导通”状态。
无锡放大电路晶体管
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