特殊二极管
稳压二极管是利用二极管反向击穿后伏安关系特别垂直的特性工作,即击穿后电压有微小的增加时,击穿电流增加巨大这一特性,使得当电路中电流有波动时,稳压管两端的电压基本不变。
稳压管是否被反向击穿,可以借用二极管是否导通的方法来判断,即先断开稳压管,然后看两个断点之间的电压是否满足反向电压,且数值大于击穿电压。若反向且大于击穿电压,则接入稳压管后稳压管反向击穿,两点之间电压变为稳压值。但是这种方法有个问题就是击穿后的电流可能非常大,超过了稳压管的承受能力,时间一长将烧坏稳压管。
使用稳压管时不但要考虑其被反向击穿,还要考虑能否长期安全工作。所以还需要判断其工作电流是否在稳压管的安全电流范围。具体方法是先假设稳压管被反向击穿,然后计算其电流,判断是否处于这个安全范围。若是,则假设成立,不但被反向击穿而且可长期工作。否则为未被反向击穿或电流过大损坏。
利用TVS的钳位特性,将8 kV危险浪涌电压削减到10 V的安全电压。需要注意的是,以上电路应满足Rggt;RS RLoadgt;RS这一条件。
TVS在TN电源系统的应用
雷电过电压波、负载开关等人为操作错误引起的过电压容易通过供电线路侵入电气电子设备内部,造成电气电子设备失效、误动作,甚至造成设备的损坏,造成严重经济损失。稳定电流IZ指管子在正常工作时的参考电流值,其值在稳压区域的大电流IZmax与小电流IZmin之间。通过在电源线路上安装浪涌吸收装置MOV 和TVS,实施两级保护,并对L、N 线进行共模、差模保护。具体做法是在线路的前端安装MOV 作为第1级SPD保护,泄放大部分雷电流,在线路的末端(设备前端)安装大功率TVS作为第二级SPD保护,进一步削弱过电压波幅值,将电网电压降至E/I安全耐压范围之内,如图3所示。要注意的是,MOV与TVS应达到电压和能量的协调与配合,AB之间的线路长度不应小于5 m,否则应增加线路长度或安装退耦器件。
可变三极管哪个厂家质量好在这里的电阻主要起到两个作用:一个是提供稳压二极管的工作电流,另一个是限制稳压二极管的比较大电流。
稳压二极管
高重复峰值反向电压(耐压)及大反向电流
这两个技术参数有一定的关联,放在一起说。
电源中整流桥的损坏常常是耐压问题,如何通过检验对二极管的耐压品质作出判断呢?这是提高产品可靠性的关键。
二极管的反向特性曲线必须是硬特性,软特性的二极管反向漏电流必然大,这种情况造成的损坏表现是PCB板变色,烧焦。
检验反向耐压的一致性。如果抽检一批二极管,虽然全部达到要求,肖特基二极管极性,耐压值的离散性大于20%,厦门肖特基二极管,在长期使用时就可能有问题。
9、稳压二极管的基本知识
a、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。
b、故障特点:稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中,前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。
c、 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表:
型 号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N47501N4751 1N4761
稳压值 3.3V 3.6V 3.9V4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V
稳压二极管在使用时是反向并联在负载两端的,如果输入的电压没有超过其稳压值。
激光二极管的检测
1.阻值测量法 拆下激光二极管,用万用表R×1k或R×10k档测量其正、反向电阻值。正常时,正向电阻值为20~40kΩ之间,反向电阻值为∞(无穷大)。若测得正向电阻值已超过50kΩ,则说明激光二极管的性能已下降。若测得的正向电阻值大于90kΩ,则说明该二极管已严重老化,不能再使用了。
2.电流测量法 用万用表测量激光二极管驱动电路中负载电阻两端的电压降,再根据欧姆定律估算出流过该管的电流值,当电流超过100mA时,若调节激光功率电位器(见图4-76),而电流无明显的变化,则可判断激光二极管严重老化。若电流剧增而失控,则说明激光二极管的光学谐振腔已损坏。
在脉冲数字电路中,用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管.可变三极管哪个厂家质量好
塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极,另一端为正极。可变三极管哪个厂家质量好
三极管有三个区域,发射区和集电区是同一个类型,而中间的基区是另外一个类型。
发射区发射电荷,集电区收集电荷,基区用于控制发射和收集电荷的数量,即电流大小。
以NPN为例,发射区的电荷(自由电子)要想到达集电区,需要穿过两个PN结:发射结和集电结。在发射区,自由电子是多子,所以需要在发射结上加正偏电压,让PN结消失,作为多子扩散到基区。
到达基区后,极少部分电子通过与基区空穴复合形成电流,从基极流出(电流方向是从基极流入),但基区空穴极少,故大部分电荷没有复合的机会,堆积在集电结附近。基区自由电子称为少子(但是***数量较多,基区本身的自由电子+从发射区扩散来的自由电子),需要在集电结反偏时,作为少子漂移过集电结到达集电区。所以三极管工作时需要在发射结加正偏电压,而集电结加反偏电压。
发射结正偏电压的大小决定了从发射区扩散到基区的电荷数目,也间接决定了将来从基极和集电极流出的电子数目,极电流的大小。
集电结反偏电压的大小也决定了从基区吸引过来的电子的数目多少。所以集电极电流IC是由发射结电压和集电结电压共同作用的结果。
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