四川可控硅模块特点

可控硅模块的应用领域

该智能模块应用于控温、调光、励磁、电镀、电解、充放电、电焊机、等离子拉弧、逆变电源等需对电力能量大小进行调整和变换的场合，如工业、通讯、**等各类电气操控、电源等，依据还可经过模块的操控端口与多功用操控板联接，结束稳流、稳压、软启动等功用，并可结束过流、过压、过温、缺持平维护功用。

可控硅模块的操控办法

经过输入模块操控接口一个可调的电压或许电流信号，经过调整该信号的大小即可对模块的输出电压大小进行滑润调度，结束模块输出电压从0V至任一点或悉数导通的进程。

电压或电流信号可取自各种操控外表、核算机D/A输出，电位器直接从直流电源分压等各种办法；操控信号选用0～5V，0～10V，4～20mA三种对比常用的操控办法。

双向可控硅***阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和***阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当***阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。

淄博正高电气有限公司，生产各类规格型号的晶闸管智能模块、固态继电器模块、桥臂模块、整流桥模块、各类控制柜和配套模块使用的触发板、控制板等产品，真诚期待与各公司和采购人员的合作，提供价格低廉、质量可靠的电子元件。 安徽双向可控硅模块地址淄博正高电气有限公司和客户携手诚信合作，共创辉煌！

可控硅模块的应用领域

可控硅模块应用于温度控制、调光、励磁、电镀、电解、充放电、电焊机、等离子弧、逆变电源等需要调节和改变电能的场合，如工业、通信、电力系统、电力系统等及其它各种电控、电源等，根据此也可通过模块的控制端口与多功能控制板相连，完成电流稳定、电压稳定和软启动。并可结束过流、过电压、过温、缺乏平衡维护功能。

可控硅模块由于它在电路应用中的效率高、控制特性好、寿命长、体积小、功能强等优点，自上个世纪六十长代以来，获得了迅猛发展，并已形成了一门**的学科。

可控硅模块发展到现在，在工艺上已经非常成熟，品质更好，成品率大幅提高，并向高压大电流发展。

可控硅模块在电子行业中应用以及发展比较广，它已经应用到了很多电子设备中，不同设备中使用的可控硅模块类型也是不同的，下面可控硅模块厂家就来来您了解一下。

1．选择可控硅模块的类型可控硅模块有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。

  若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通可控硅模块。

  若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向可控硅模块。

  若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断可控硅模块。

  若用于锯齿波器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用BTG可控硅模块。

  若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导可控硅模块。

  若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控可控硅模块。 淄博正高电气有限公司锐意进取，持续创新为各行各业提供专业化服务。

一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又由于晶闸管开始应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。

在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件(俗称“死硅”)更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。

可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗明显增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。

可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍;反应极快，在微秒级内开通、关断;无触点运行，无火花、无噪音;效率高，成本低等等。

可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。

可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。 淄博正高电气有限公司创新发展，努力拼搏。四川可控硅模块特点

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可控硅模块特点：

1 对耐压级别的选择：通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。

2 对电流的确定：由于双向可控硅模块通常用在交流电路中，因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时，可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。

3 对通态电压VTM的选择：它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅。

4 对维持电流：IH是维持可控硅模块保持通态所必 需的极小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。

5 对电压上升率的：dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅模块的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。 四川可控硅模块特点

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