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27、MCM（multi-chip module）多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大类。MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。 MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或氮化铝）或Si、Al作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是比较高的，但成本也高。超大规模集成电路（VLSI）：集成度10万-100万个晶体管。淮南节能集成电路图片

模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等），其输入信号和输出信号成比例关系。而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如5G手机、数码相机、电脑CPU、数字电视的逻辑控制和重放的音频信号和视频信号）。制作工艺集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和膜集成电路。膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。相山区好的集成电路货源充足电阻结构，电阻结构的长宽比，结合表面电阻系数，决定电阻。

脚中心距有0.55mm和0.4mm两种规格。35、PFPF（plastic flat package）塑料扁平封装。塑料QFP的别称（见QFP）。部分LSI厂家采用的名称。36、PGA（pin grid array）陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于高速大规模逻辑LSI电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64到447左右。为了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256引脚的塑料PGA。另外，还有一种引脚中心距为1.27mm的短引脚表面贴装型PGA（碰焊PGA）。（见表面贴装型PGA）。

集成度高低集成电路按集成度高低的不同可分为：SSIC 小规模集成电路（Small Scale Integrated circuits）MSIC 中规模集成电路（Medium Scale Integrated circuits）LSIC 大规模集成电路（Large Scale Integrated circuits）VLSIC 超大规模集成电路（Very Large Scale Integrated circuits）ULSIC特大规模集成电路（Ultra Large Scale Integrated circuits）GSIC 巨大规模集成电路也被称作极大规模集成电路或超特大规模集成电路（Giga Scale Integration）。仪器的杰克·基尔比和仙童半导体的罗伯特·诺伊斯几乎同时发明了集成电路，标志着微电子技术的重大突破。

13、DIP（dual tape carrier package）同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名（见DTCP）。14、FP（flat package）扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP（见QFP和SOP）的别称。部分半导体厂家采用此名称。15、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积**小、**薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。5G通信、Wi-Fi、GPS等无线通信技术，以及光纤通信、调制解调器等有线通信设备，均需高度集成的芯片支持。相山区使用集成电路厂家供应

巨大规模集成电路（GSI）：集成度超过1亿个晶体管。淮南节能集成电路图片

6、COB（chip on board）板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是**简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。7、DFP（dual flat package）双侧引脚扁平封装。是SOP的别称（见SOP）。以前曾有此称法，80年代后期已基本上不用。8、DIC（dual in-line ceramic package）陶瓷DIP（含玻璃密封）的别称（见DIP）.淮南节能集成电路图片

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