集成电路基本参数
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集成电路企业商机

集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比(基于锗(Ge)的集成电路)和罗伯特·诺伊斯(基于硅(Si)的集成电路)。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。 [6]集成电路的制造过程通常包括晶圆制造、掺杂、光刻、刻蚀、金属化等多个步骤。马鞍山多功能集成电路货源充足

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集成电路具有体积小,重量轻,引出线和焊接点少,寿命长,可靠性高,性能好等优点,同时成本低,便于大规模生产。它不*在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用,同时在***、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备,其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍,设备的稳定工作时间也可**提高。功能结构集成电路,又称为IC,按其功能、结构的不同,可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。相山区多功能集成电路哪家好随着技术的发展,集成电路的集成度不断提高,尺寸不断缩小,性能也在不断提升。

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1999年:奔腾Ⅲ问世,450MHz,采用0.25μm工艺,后采用0.18μm工艺2000年:1Gb RAM投放市场2000年:奔腾4问世,1.5GHz,采用0.18μm工艺2001年:Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。2003年:奔腾4 E系列推出,采用90nm工艺。2005年:intel 酷睿2系列上市,采用65nm工艺。2007年:基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。2009年:intel酷睿i系列全新推出,创纪录采用了**的32纳米工艺,并且下一代22纳米工艺正在研发。中国

16、FQFP(fine pitch quad flat package)小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。17、CPAC(globe top pad array carrier)美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。18、CQFP(quad fiat package with guard ring)带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变形。在把LSI组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm,引脚数**多为208左右。仪器的杰克·基尔比和仙童半导体的罗伯特·诺伊斯几乎同时发明了集成电路,标志着微电子技术的重大突破。

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11、DSO(dual small out-lint)双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。12、DICP(dual tape carrier package)双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品。另外,0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定,将DICP命名为DTP。集成电路的出现极大地推动了电子技术的发展,使得电子设备更加小型化、功能更强大、成本更低。相山区多功能集成电路哪家好

巨大规模集成电路(GSI):集成度超过1亿个晶体管。马鞍山多功能集成电路货源充足

24、LOC(lead on chip)芯片上引线封装。LSI封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。25、LQFP(low profile quad flat package)薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。26、L-QUAD陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8倍,具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装,在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装,并于1993年10月开始投入批量生产。马鞍山多功能集成电路货源充足

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