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集成度高低集成电路按集成度高低的不同可分为：SSIC 小规模集成电路（Small Scale Integrated circuits）MSIC 中规模集成电路（Medium Scale Integrated circuits）LSIC 大规模集成电路（Large Scale Integrated circuits）VLSIC 超大规模集成电路（Very Large Scale Integrated circuits）ULSIC特大规模集成电路（Ultra Large Scale Integrated circuits）GSIC 巨大规模集成电路也被称作极大规模集成电路或超特大规模集成电路（Giga Scale Integration）。电容结构，由于尺寸限制，在IC上只能产生很小的电容。烈山区应用集成电路品牌

52、SDIP（shrink dual in-line package）收缩型DIP。插装型封装之一，形状与DIP相同，但引脚中心距（1.778mm）小于DIP（2.54mm），因而得此称呼。引脚数从14到90。也有称为SH－DIP的。材料有陶瓷和塑料两种。53、SH－DIP（shrink dual in-line package）同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。54、SIL（single in-line）SIP的别称（见SIP）。欧洲半导体厂家多采用SIL这个名称。55、SIMM（single in-line memory module）单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插座的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm的30电极和中心距为1.27mm的72电极两种规格。在印刷基板的单面或双面装有用SOJ封装的1兆位及4兆位DRAM的SIMM已经在个人计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30～40%的DRAM都装配在SIMM里。烈山区应用集成电路品牌能家居、智慧城市、农业和环境监测等领域依赖传感器、嵌入式系统和通信芯片实现设备互联。

1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球***台PC1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM1985年：80386微处理器问世，20MHz1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段1989年：1Mb DRAM进入市场1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用0.8μm工艺1992年：64M位随机存储器问世1993年：66MHz奔腾处理器推出，采用0.6μm工艺1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μm工艺；1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世，采用0.25μm工艺

1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah***提出CMOS技术，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出***块门阵列（50门），为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础，具有里程碑意义大规模集成电路（LSI）：集成度1000-10万个晶体管。

集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊斯（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。 [6]薄膜集成电路：将元件制作在薄膜上，分为厚膜和薄膜两种。蚌埠本地集成电路品牌

集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是一种将多个电子元件集成在一个小型半导体基片上的电子电路。烈山区应用集成电路品牌

11、DSO（dual small out-lint）双侧引脚小外形封装。SOP的别称（见SOP）。部分半导体厂家采用此名称。12、DICP（dual tape carrier package）双侧引脚带载封装。TCP（带载封装）之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB（自动带载焊接）技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ（日本电子机械工业）会标准规定，将DICP命名为DTP。烈山区应用集成电路品牌

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