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按应用领域分集成电路按应用领域可分为标准通用集成电路和**集成电路。按外形分集成电路按外形可分为圆形（金属外壳晶体管封装型，一般适合用于大功率）、扁平型（稳定性好，体积小）和双列直插型。世界集成电路发展历史1947年：美国贝尔实验室的约翰·巴丁、布拉顿、肖克莱三人发明了晶体管，这是微电子技术发展中***个里程碑；1950年：结型晶体管诞生1950年：R Ohl和肖克莱发明了离子注入工艺1951年：场效应晶体管发明1956年：C S Fuller发明了扩散工艺半导体集成电路：以硅为基础，是当前主流技术。杜集区多功能集成电路货源充足

集成电路或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、芯片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体装置，也包括被动元件等）小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）混成集成电路（hybrid integrated circuit）是由**半导体设备和被动元件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。本文是关于单片（monolithic）集成电路，即薄膜集成电路。杜集区多功能集成电路生产厂家高性能处理器（CPU、GPU、AI加速器）、大容量内存、存储控制器芯片等是数据中心的组件。

1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μm工艺，后采用0.18μm工艺2000年：1Gb RAM投放市场2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μm工艺2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺。2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了**的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。中国

28、MFP（mini flat package）小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称（见SOP和SSOP）。部分半导体厂家采用的名称。29、MQFP（metric quad flat package）按照JEDEC（美国联合电子设备委员会）标准对QFP进行的一种分类。指引脚中心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm的标准QFP（见QFP）。30、MQUAD（metal quad）美国Olin公司开发的一种QFP封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W～2.8W的功率。日本新光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿发明了晶体管，开启了微电子技术的新纪元。

集成电路，英文为Integrated Circuit，缩写为IC；顾名思义，就是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。是20世纪50年代后期到60年代发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。其封装外壳有圆壳式、扁平式或双列直插式等多种形式。集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术，主要体现加工设备，加工工艺，封装测试，批量生产及设计创新的能力上。它在电路中通常用字母“IC”表示，是现代电子技术的基础。杜集区多功能集成电路货源充足

全链条推进：从设计工具、制造工艺、封装测试到设备材料等环节协同发力，避免“木桶效应”。杜集区多功能集成电路货源充足

集成电路（IntegratedCircuit，简称IC）是一种将多个电子元件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一个小型半导体基片上的电子电路。集成电路的出现极大地推动了电子技术的发展，使得电子设备更加小型化、功能更强大、成本更低。集成电路可以分为以下几类：模拟集成电路：用于处理连续信号，如放大器、振荡器等。数字集成电路：用于处理离散信号，常见的有逻辑门、微处理器、存储器等。混合信号集成电路：同时处理模拟和数字信号，常用于音频、视频处理等应用。杜集区多功能集成电路货源充足

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