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1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μm工艺，后采用0.18μm工艺2000年：1Gb RAM投放市场2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μm工艺2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺。2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了**的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。中国小规模集成电路（SSI）：集成度10-100个晶体管。濉溪使用集成电路供应商家

J形引脚不易变形，比QFP容易操作，但焊接后的外观检查较为困难。PLCC与LCC（也称QFN）相似。以前，两者的区别*在于前者用塑料，后者用陶瓷。但现在已经出现用陶瓷制作的J形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装（标记为塑料LCC、PC LP、P－LCC等），已经无法分辨。为此，日本电子机械工业会于1988年决定，把从四侧引出J形引脚的封装称为QFJ，把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN（见QFJ和QFN）。39、P－LCC（plastic teadless chip carrier）（plastic leaded chip currier）有时候是塑料QFJ的别称，有时候是QFN（塑料LCC）的别称（见QFJ和QFN）。部分相山区节能集成电路生产厂家雷达系统、电子战系统、导航系统、飞行控制系统等需要高可靠性的集成电路。

1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah***提出CMOS技术，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出***块门阵列（50门），为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础，具有里程碑意义

2025年将持续推进集成电路领域标准研制。 [5]2025年8月14日，国家发展**委党组成员、国家数据局局长刘烈宏在国新办举行的“高质量完成‘十四五’规划”系列主题新闻发布会上介绍，集成电路加快布局，形成覆盖设计、制造、封装测试、装备材料的完整产业链。 [9]2026年2月28日，国家统计局消息：2025年集成电路产量4842.8亿块，比上年增长10.9%。集成电路出口数量3495亿个，比上年增长17.4%，出口金额14442亿元，比上年增长27.4%。集成电路进口数量5917亿个，比上年增长7.8%，进口金额30355亿元，比上年增长10.7%。 [7]中规模集成电路（MSI）：集成度100-1000个晶体管。

9、DIL（dual in-line）DIP的别称（见DIP）。欧洲半导体厂家多用此名称。10、DIP（dual in-line package）双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是**普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP（窄体型DIP）。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip（见cerdip）。集成电路产业被明确列为六大新兴支柱产业，进入全产业链快速发展的新阶段。淮北使用集成电路供应商家

随着技术的发展，集成电路的集成度不断提高，尺寸不断缩小，性能也在不断提升。濉溪使用集成电路供应商家

13、DIP（dual tape carrier package）同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名（见DTCP）。14、FP（flat package）扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP（见QFP和SOP）的别称。部分半导体厂家采用此名称。15、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积**小、**薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。濉溪使用集成电路供应商家

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