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1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah***提出CMOS技术，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出***块门阵列（50门），为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础，具有里程碑意义数字集成电路：处理数字信号（如CPU、GPU、存储器等），广泛应用于计算机、通信、消费电子等领域。淮南本地集成电路厂家报价

5、Cerquad表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G（见QFJ）。淮北节能集成电路图片1Gb RAM投放市场，集成电路技术持续突破摩尔定律的预测。

52、SDIP（shrink dual in-line package）收缩型DIP。插装型封装之一，形状与DIP相同，但引脚中心距（1.778mm）小于DIP（2.54mm），因而得此称呼。引脚数从14到90。也有称为SH－DIP的。材料有陶瓷和塑料两种。53、SH－DIP（shrink dual in-line package）同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。54、SIL（single in-line）SIP的别称（见SIP）。欧洲半导体厂家多采用SIL这个名称。55、SIMM（single in-line memory module）单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插座的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm的30电极和中心距为1.27mm的72电极两种规格。在印刷基板的单面或双面装有用SOJ封装的1兆位及4兆位DRAM的SIMM已经在个人计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30～40%的DRAM都装配在SIMM里。

塑料QFN是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm外，还有0.65mm和0.5mm两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P－LCC等。44、QFP（quad flat package）四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一，引脚从四个侧面引出呈海鸥翼（L）型。基材有陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看，塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时，多数情况为塑料QFP。塑料QFP是**普及的多引脚LSI封装。不*用于微处理器，门陈列等数字逻辑LSI电路，而且也用于VTR信号处理、音响信号处理等模拟LSI电路。引脚中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多种规格。0.65mm中心距规格中**多引脚数为304。中国集成电路产业规模达2800亿美元，占全球份额的41%，本土芯片自给率提升至28%。

28、MFP（mini flat package）小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称（见SOP和SSOP）。部分半导体厂家采用的名称。29、MQFP（metric quad flat package）按照JEDEC（美国联合电子设备委员会）标准对QFP进行的一种分类。指引脚中心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm的标准QFP（见QFP）。30、MQUAD（metal quad）美国Olin公司开发的一种QFP封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W～2.8W的功率。日本新光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。可穿戴健康设备（如智能手表、健康手环）、植入式医疗器械（如起搏器、除颤器）需要小型、低功耗的芯片。烈山区使用集成电路厂家报价

英特尔推出微处理器4004，采用MOS工艺，开启了计算机时代。淮南本地集成电路厂家报价

1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μm工艺，后采用0.18μm工艺2000年：1Gb RAM投放市场2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μm工艺2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺。2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了**的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。中国淮南本地集成电路厂家报价

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