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7、测试仪表内阻要大测量集成电路引脚直流电压时，应选用表头内阻大于20KΩ/V的万用表，否则对某些引脚电压会有较大的测量误差。8、要注意功率集成电路的散热功率集成电路应散热良好，不允许不带散热器而处于大功率的状态下工作。9、引线要合理如需要加接**元件代替集成电路内部已损坏部分，应选用小型元器件，且接线要合理以免造成不必要的寄生耦合，尤其是要处理好音频功放集成电路和前置放大电路之间的接地端。例如：肖特基4输入与非门CT54S20MDC—符合国家标准T—TTL电路54S20—肖特基双4输入与非门超大规模集成电路（VLSI）：集成度10万-100万个晶体管。淮北使用集成电路品牌

LSI厂家用PLCC表示带引线封装，用P－LCC表示无引线封装，以示区别。40、QFH（quad flat high package）四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP的一种，为了防止封装本体断裂，QFP本体制作得较厚（见QFP）。部分半导体厂家采用的名称。41、QFI（quad flat I-leaded packgac）四侧I形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈I字。也称为MSP（见MSP）。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分，贴装占有面积小于QFP。日立制作所为视频模拟IC开发并使用了这种封装。此外，日本的Motorola公司的PLL IC也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm，引脚数从18于68。淮南好的集成电路销售厂数字集成电路：用于处理离散信号，常见的有逻辑门、微处理器、存储器等。

1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球比较大的半导体设备制造公司1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现1971年：全球***个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明1974年：RCA公司推出***个CMOS微处理器18021976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临

集成电路，英文为Integrated Circuit，缩写为IC；顾名思义，就是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。是20世纪50年代后期到60年代发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。其封装外壳有圆壳式、扁平式或双列直插式等多种形式。集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术，主要体现加工设备，加工工艺，封装测试，批量生产及设计创新的能力上。中规模集成电路（MSI）：集成度100-1000个晶体管。

J形引脚不易变形，比QFP容易操作，但焊接后的外观检查较为困难。PLCC与LCC（也称QFN）相似。以前，两者的区别*在于前者用塑料，后者用陶瓷。但现在已经出现用陶瓷制作的J形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装（标记为塑料LCC、PC LP、P－LCC等），已经无法分辨。为此，日本电子机械工业会于1988年决定，把从四侧引出J形引脚的封装称为QFJ，把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN（见QFJ和QFN）。39、P－LCC（plastic teadless chip carrier）（plastic leaded chip currier）有时候是塑料QFJ的别称，有时候是QFN（塑料LCC）的别称（见QFJ和QFN）。部分集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是一种将多个电子元件集成在一个小型半导体基片上的电子电路。淮南多功能集成电路厂家供应

自动化系统、工业机器人、过程控制系统等使用传感器和控制芯片提高生产效率和精度。淮北使用集成电路品牌

13、DIP（dual tape carrier package）同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名（见DTCP）。14、FP（flat package）扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP（见QFP和SOP）的别称。部分半导体厂家采用此名称。15、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积**小、**薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。淮北使用集成电路品牌

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