苏州3e1EAB赛芯现货

二级保护电路设计要点二级保护电路的设计要点主要包括以下几个方面：1.电路组成和工作原理二级保护电路通常包括***级静电保护电路和第二级静电保护电路。***级静电保护电路连接于输入管脚和接地端之间，而第二级静电保护电路则包括电阻和MOS晶体管，其中MOS晶体管的源极和漏极均与输出管脚相连，其栅极与接地端相连，衬体端也与接地端相连。这样的设计可以在减少占用芯片面积的同时，维持相同的静电保护效果3。2.保护电路的选择和应用在设计保护电路时，需要根据具体的应用场景选择合适的保护元件。例如，瞬态电压抑制二极管（TVS）是一种常用的电子元件，用于保护电路免受过电压的影响。在电力系统、通信设备、计算机硬件和其他敏感电子设备中，TVS是不可或缺的保护元件1。3.电路的稳定性和可靠性在设计二级保护电路时，还需要考虑电路的稳定性和可靠性。例如，在激光二极管保护电路的设计中，需要重点分析电流、瞬态电压处理等关键因素。芯纳科技作为赛芯芯片代理，XBM3215MDA 现货供应，满足客户即时生产需求。苏州3e1EAB赛芯现货

6--7串锂电池保护芯片介绍,XBM5573集成均衡/PWM/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：6-7串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能深圳XBM7101赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保2~3串锂电保护 多节锂电保护芯片(三元/磷酸铁锂)XBM2138/XBM32XX 推挽。

多节锂电保护产品二级保护解析二级保护的定义和作用在锂电池应用中，由于过充电、过放电以及过充电过放电电流等情况会导致电池内部发生化学副反应，严重影响电池性能与使用寿命，甚至引发安全问题，因此需要对电池进行保护。一级保护通常由IC和MOSFET在充电和放电周期期间为电池组提供，而二级保护则是在一级保护的基础上，确保完整的用户安全，为装置在正常操作范围之外的情况下提供保护14。二级保护的具体体现电压异常保护过充电保护：当电池充电时，若任意一节电池达到充满状态，二级保护会发挥作用。设计的8串15A放电锂电保护板中，任意一节电池充满，相应的OC口会变为低电平，使对应的管子截止，进而让OC变为低电平，结束充电周期。

赛芯 XR4981A 具备精细的充电电压和电流控制功能，误差可控制在极小范围，能确保医疗设备电池稳定充电，避免因充电异常影响设备正常工作。同时，该 IC 集成过压、过流、过温等多重保护机制，可有效保障医疗设备在充电过程中的安全，符合医疗行业的严格标准。作为代理商，深圳市芯纳科技的优势进一步强化了客户合作信心。首先，芯纳科技拥有完善的品质管控体系，所有赛芯 XR4981A 均直接从原厂采购，每一批次产品都经过严格的质量检测，确保产品 100% 质量且性能达标，为医疗设备的安全运行筑牢道防线。其次，考虑到医疗设备研发周期长、技术需求复杂的特点，芯纳科技提供 7×24 小时技术支持服务，无论客户在产品研发、测试还是量产阶段遇到技术问题，专业工程师都能在 1 小时内响应，及时提供解决方案，比如协助客户进行 IC 与医疗设备的兼容性测试、优化充电电路设计以满足医疗设备的电磁兼容要求等。此外，针对医疗设备厂商小批量试产、大批量量产的不同需求，芯纳科技可灵活调整供货方案，支持多批次、不同数量的采购订单，同时提供具有竞争力的代理价格，帮助医疗设备厂商在控制成本的同时，获得的赛芯 XR4981A 产品。芯纳科技提供赛芯芯片代理服务，XBM3204DBA 现货供应，助力客户生产顺利。

深圳市芯纳科技为电子雾化设备企业供应赛芯XR4981A，在供电系统场景中发挥重要作用。对供电模块的安全性和稳定性要求严苛，赛芯XR4981A的输出电压范围为VIN-36V，能精细匹配雾化器的工作电压，确保烟雾量稳定。实际测试表明，搭载该控制器的，在连续使用1000次后，输出电压波动不超过±2%，避免了因电压不稳导致的雾化芯损坏。其高效的能量转换能力，使电池电量利用率提升6%，单次充电可支持更多次使用，减少了用户充电频率。此外，该控制器具备过流保护功能，当电路出现异常电流时会自动切断输出，降低了的安全隐患。采用QFN封装后，其抗振动性能增强，适应日常携带中的颠簸场景，确保的长期稳定运行，为电子雾化设备的安全使用提供了有力保障。芯纳科技专注赛芯芯片代理，XBM4451 现货充足，支持客户批量订单采购。扬州XBM7101赛芯集成MOS 两节锂保

芯纳科技专注赛芯芯片代理，XBM3212DGB 型号当前现货，可快速交付订单。苏州3e1EAB赛芯现货

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。苏州3e1EAB赛芯现货