广州XBM3212DGB赛芯原厂

手持扫码枪、工业手持平板等，在零售、物流、工业等领域应用，这些设备对充电IC的可靠性、充电速度和抗干扰能力要求较高，深圳市芯纳科技代理的赛芯XR4981A完美契合这些需求，同时芯纳科技的代理优势为客户提供了有力支撑。赛芯XR4981A支持大电流充电，能缩短手持终端的充电时间，满足用户对设备快速补电的需求，同时其具备的抗电磁干扰特性，可确保手持终端在复杂的电磁环境下仍能稳定充电，避免因干扰导致充电中断。作为代理商，深圳市芯纳科技的核心竞争力不容小觑。首先，芯纳科技是赛芯官方认证的代理商，拥有正规的代理资质，所有赛芯XR4981A均为原厂质量，可提供完整的产品溯源信息，让客户采购无后顾之忧。手持终端设备如POS机、助听器集成充电管理、锂电池保护、低功耗二合一芯片XF5131。广州XBM3212DGB赛芯原厂

内置MOS内置均衡器高精度电压检测电路和延时电路，用于2节串联锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护。适合对2节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护。各延迟时间由内部电路设置（不需外接电容），连接充电器的端子采用高耐压设计（CS端子和OC端子，***额定值是33V），还具备向0V电池充电功能，可选择允许或禁止。内置MOS在高负载时可能发热，需优化PCB散热（如增加铜箔面积）内置MOS，集成均衡功能  XBM2138南京6096J9赛芯原厂芯纳科技提供赛芯芯片代理服务，XBM5254 型号现货供应，保障生产顺利进行。

锂电池保护板分为一级保护和二级保护。一级保护通常指的是主动组件保护，包括保护IC和MOSFET，它能够实时监测电池的电压和充放电电流，并在必要时MOSFET的导通或关断，以防止电池过充、过放、过载及短路。而二级保护则是指使用PTC、MHP、丝等被动组件来进一步增强电池的安全性。这些组件通常是温度敏感的，能够在电池温度异常升高时呈现高阻状态，阻止电流流动，从而避免可能的危险情况当电池温度异常升高时，PTC或MHP会呈现高阻状态，阻碍电池的充放电，从而防止锂电池的起火。这种保护方式被称为二级保护，它是一种被动组件保护，通常作为一级保护电路（IC/Mosfet）的补充。多节锂电保护产品二级保护二级保护是指使用PTC、MHP、等被动组件来保护电池。

   DS3056B充电管理高度集成■高效Buck-Boost变换器（开关频率：比较大400kHz）■内置环路补偿电路■比较高充电效率：98%■内置16-bit高精度ADC■充电输入电压■内置USBType-C接口■电池串数支持2~6串■集成电量计算■电池电压可选■集成LED显示，支持1灯/2灯/4灯的显示方式■充电功率可选：20W/30W/36W/45W/65W/100W（不同的串数支持不同的功率）■集成I2C接口，通过接口可设置充放电的开/关，充电功率，特殊电池电压范围的设置，获取充放电的电压/电流/NTC温度/和工作状态■充电电流精度5mA、电压检测精度10mV■休眠时静态电流＜60μA■具有外部休眠唤醒功能，可配合外部放大器做电流唤醒功能是一款面向小家电/电动工具等电池包快充充电和小功率放电的快充管理SOC，集成了同步升降压快充驱动器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计，I2C通信等功能模块，支持2-6串电芯，比较大100W充电功率，支持CC-CV切换，支持，、；输出5V/3A。具有输入输出过压/欠压、电池过放过充、过温、过流、充电超时等完备的保护功能。搭载极简的**线路，即可组成小家电和电动工具充电包等快充充放电方案。锂电充电管理、DC降压 0.5-1A电流 +OVP过压保护 。

赛芯 XR4981A，在智能玩具供电解决方案中积累经验。智能玩具如遥控汽车、机器人等，对供电系统的稳定性和安全性要求较高，赛芯 XR4981A 的输出电压稳定，能确保电机、传感器等部件的正常工作。实际应用中，该控制器的过流保护功能可防止孩子误操作导致的电路短路，提升了玩具的安全性。其宽输入电压范围适配普通电池和充电电池组，在电池电量下降时仍能维持稳定输出，避免了玩具突然停机。由于采用小型化封装，该控制器为玩具内部节省了空间，便于设计出更复杂的机械结构和功能模块。测试数据显示，搭载该控制器的智能玩具，续航时间比同类产品延长 15%，孩子的玩耍体验更加连贯，为智能玩具的研发提供了可靠的电源支持。电容式电池主动均衡IC。东莞6096J9赛芯集成MOS 两节锂保

7-10串锂电池保护NTC/SSOP20 多节锂电池保护——二级保护XBM7102。广州XBM3212DGB赛芯原厂

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。广州XBM3212DGB赛芯原厂