广州DS3056赛芯集成MOS 两节锂保

小型家电市场竞争激烈，厂商对零部件的性价比、适配性和供货效率要求严苛，深圳市芯纳科技代理的赛芯 XR4981A 在小型家电应用场景中展现出独特优势，同时芯纳科技的代理实力也成为客户合作的重要保障。在小型家电如迷你加湿器、小型榨汁机、便携式风扇等设备中，赛芯 XR4981A 凭借高效的充电效率和稳定的性能，能为设备提供可靠的充电支持，缩短设备充电时间，提升用户使用体验。该 IC 还具备良好的兼容性，可适配不同规格的锂电池，满足不同小型家电的供电需求。作为赛芯 XR4981A 的代理商，深圳市芯纳科技的优势体现在多个方面。首先，芯纳科技拥有丰富的小型家电行业合作经验，熟悉不同类型小型家电的技术需求和生产流程，能为客户提供精细的产品选型建议，帮助客户快速找到适配的赛芯 XR4981A 型号，避免因选型不当导致的研发延误。带电池正负极反接保护的充电管理。广州DS3056赛芯集成MOS 两节锂保

赛芯 XR4981A，在便携式农业监测设备场景中发挥作用。便携式农业监测设备如土壤检测仪、病虫害监测仪等，需要在田间地头长期使用，赛芯 XR4981A 的宽温工作特性使其能适应 - 10℃至 50℃的环境温度。其低功耗设计使设备在电池供电下可连续工作 72 小时以上，满足一天的田间作业需求。测试数据显示，该控制器的输出电压稳定，确保了传感器测量数据的准确性，土壤湿度、PH 值等参数的测量误差控制在合理范围内。其抗腐蚀性能经过验证，在接触农田土壤和水分后不会出现性能下降，延长了设备使用寿命。合作的农业设备企业反馈，使用该控制器后，设备的维护频率降低，为农业生产的精细监测提供了可靠的电力支持。汕头XBM4551赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保节锂电保护芯片(三元/磷酸铁锂)XBM5244 均衡,推挽,充电过流检测.3-4串XBM4X30 开漏。

XBM4530系列产品内二级保护芯片、置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出

移动电源成为了我们不可或缺的电子设备。芯纳推出的移动电源SOC更是为我们带来了全新的体验。移动电源SOC（SystemonChip，系统级芯片）是一种高度集成的芯片，用于移动电源中。它集成了多种功能模块，包括同步开关升降压变换器、电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块、协议模块等。高集成度：将多个功能模块集成在一个芯片上，减少了外部元器件的使用，简化了移动电源的设计。多协议双向快充：支持多种充电协议，能够实现快速充电和双向充电功能，提高充电效率。电池管理：负责电池的充放电管理，包括过充、过放保护，延长电池寿命。电量计算和显示：准确计算电池电量，并通过显示模块向用户展示电量信息。保护功能：提供输入/输出的过压/欠压保护、NTC过温保护、放电过流保护、输出短路保护等，确保移动电源和连接设备的安全。芯纳科技专注代理电源芯片和电子元器件12年。提供的产品和方案包括：移动电源SOC、多口快充SOC、快充充电管理SOC、电源管理芯片、锂电池充电管理、锂电保护、DC转换器、MOS等。致力于为合作伙伴带来有效增值，为客户的成长与发展竭诚服务，当好供求间之桥梁，谋求产业链的共同发展！芯纳科技作为赛芯芯片代理，XBM3214 型号现货在售，保障客户生产连续性。

XBM3204XBM3214  2串锂电池保护芯片介绍   保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：2串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能芯纳科技代理赛芯芯片，XBM3215JFG 现货充足，作为代理可保障快速供货。天津XBM3214DCA赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

充电管理芯片、LED驱动芯片、直流 - 直流转换芯片、温度开关芯片、电池放电管理芯片。广州DS3056赛芯集成MOS 两节锂保

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。广州DS3056赛芯集成MOS 两节锂保