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可控硅企业商机

在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称“死硅”)更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此频率,因元件开关损耗***增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用。可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等。可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。杨浦区推广可控硅专卖店

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五)按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。(六)过零触发-一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,必须是过零点才触发,导通可控硅。(七)非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过改变正弦交流电的导通角(角相位),来改变输出百分比。按一机部IBI144一75的规定,普通型可控硅称为KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅闸流管》。普通可控硅的型号采用如下格式标注:徐汇区质量可控硅图片“一触即发”。但是,如果阳极或控制极外加的是反向电压,晶闸管就不能导通。

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IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--断态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(AV)--正向平均电流一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称可控硅T。又由于可控硅**初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。

双向可控硅固定到散热器的主要方法有三种,夹子压接、螺栓固定和铆接。前二种方法的安装工具很容易取得。 很多场合下,铆接不是一种推荐的方法。 [1]夹子压接:是推荐的方法,热阻**小。夹子对器件的塑封施加压力。这同样适用于非绝缘封装(sot82 和sot78 ) 和绝缘封装( sot186 f-pack 和更新的sot186a x-pack)。注意,sot78 就是to220ab。螺栓固定:sot78 组件带有m3 成套安装零件,包括矩形垫圈,垫圈放在螺栓头和接头片之间。应该不对器件的塑料体施加任何力量。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

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通态(峰值)电压 VT M 的选择: 它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗,应尽可能选择VT M 小的可控硅。 [1]·维持电流: IH 是维持可控硅保持通态所必需的**小主电流,它与结温有关,结温越高, 则 IH 越小。 [1]·电压上升率的**: dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率,这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了 A2 与 G 之间会存在寄生电容。 对负载小,或电流持续时间短(小于1 秒钟)的双向可控硅, 可在自由空间工作。 但大部分情况下,需要安装在散热器或散热的支架上,为了减小热阻,可控硅与散热器间要涂上导热硅脂。维持电流IH 在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的小阳极正向电流。长宁区制造可控硅货源充足

可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。杨浦区推广可控硅专卖店

我们把这种触发叫做“***象限的负触发”或称为I-触发方式。(3)两个主电极加上反向电压U12(图5c),输入正向触发信号,双向可控硅导通后,通态电流从T1流向T2。双向可控硅按第三象限特性曲线工作,因此把这种触发叫做Ⅲ+触发方式。 (4)两个主电极仍然加反向电压U12,输入的是反向触发信号(图5d),双向可控硅导通后,通态电流仍从T1流向T2。这种触发就叫做Ⅲ-触发方式。 双向可控硅虽然有以上四种触发方式,但由于负信号触发所需要的触发电压和电流都比较小。工作比较可靠,因此在实际使用时,负触发方式应用较多。杨浦区推广可控硅专卖店

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