苏州XBM3212DGB赛芯方案公司

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深圳市芯纳科技，为消费电子企业提供赛芯XR4981A，在Type-c快充设备场景中表现突出。赛芯XR4981A作为同步升压控制器，输入电压范围覆盖3.6-36V，输出功率比较高达120W，能满足多种快充设备的供电需求。据合作企业反馈，搭载该控制器的Type-c快充充电器，充电效率比同类产品平均提升5%，在30分钟内可将手机电量从20%充至80%，缩短了充电时间。其采用QFN3*3-16封装，体积小巧，可集成到小型化的快充设备中，适配便携式充电宝、笔记本电脑充电器等产品。在实际使用中，该控制器的带载能力稳定，即使在多设备同时充电的情况下，也能保持输出电压的稳定，减少了因电压波动导致的设备损坏风险。此外，400KHz的工作频率降低了电磁干扰，使快充设备通过了相关的电磁兼容测试，符合消费电子领域的严格标准，为Type-c快充设备的研发和生产提供了可靠支持。

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。高精度智能型磷酸铁锂离子电池充电管理芯片，具有功能全、集成度高，外部电路简单。

4串锂电池保护芯片介绍,XBM5574级联功能/集成均衡/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：4串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能芯纳科技专注赛芯芯片代理，XBM3214JFG 现货充足，支持客户批量订单交付。韶关2e1EAB赛芯内置MOS 两节锂保

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