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可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。 可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于**小维持电流以下。单向可控硅为具有三个 PN 结的四层结构，由**外层的 P 层、N 层引出两个电极――阳 极 A 和阴极 K，由中间的 P 层引出控制极 G。电路符号好像为一只二极管，但好多一个引 出电极――控制极或触发极 G。SCR 或 MCR 为英文缩写名称。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。高新区智能可控硅模块现价

从控制原理上可等效为一只 PNP 三极管和一只 NPN 三极管的连接电路， 两管的基极电 流和集电极电流互为通路，具有强烈的正反反馈作用。一旦从 G、K 回路输入 NPN 管子的 基极电流，由于正反馈作用，两管将迅即进入饱合导通状态。可控硅导通之后，它的导通状 态完全依靠管子本身的正反馈作用来维持，即使控制电流（电压）消失，可控硅仍处于导通 状态。控制信号 UGK 的作用**是触发可控硅使其导通，导通之后，控制信号便失去控制 作用。单向可控硅的导通需要两个条件：1） A、K 之间加正向电压；2） G、K 之间输入一个正向触发电流信号，无论是直流或脉冲信号。高新区智能可控硅模块现价可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

额定速态平均屯成系列共分为14个，如表1一5所示。正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级，1000V以上的管子每200V为一级。取电压教除以100做为级别标志，如表1-6所示。通态平均电压组别依电压大小分为9组，用宇毋表示，如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通态平均电流为500A,额定(正反向重复峰值)电压为1200V，管压降(通态平均电压)为0.6---0.7V的普通型可控硅。综上所述，小结如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三个电极，用硅半导体材料制成的管芯由

可控硅(SCR是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型。它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被***用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。可控硅模块通常被称之为功率半导体模块（semiconductor module）。

（五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。（六）过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。（七）非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。按一机部IBI144一75的规定，普通型可控硅称为KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅闸流管》。普通可控硅的型号采用如下格式标注:可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。相城区加工可控硅模块销售厂家

体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装；高新区智能可控硅模块现价

PNPN四层组成(2)可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:(1〕受正向阳极电压;(2)受正向门极电压。(3)可控硅导通后，当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。(4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线，2.门极伏安特性区。(5)应在额定参数范围内使用可控硅。选择可控硅主要确定两个参致:电流⒈ 额定通态电流（IT）即比较大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。⒉反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。高新区智能可控硅模块现价

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