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可控硅企业商机

设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2)) (1—1)硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化。当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。奉贤区好的可控硅货源充足

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安装过程中,螺丝刀决不能对器件塑料体施加任何力量;和接头片接触的散热器表面应处理,保证平坦,10mm上允许偏差0.02mm;安装力矩(带垫圈)应在0.55nm 和0.8nm 之间;应避免使用自攻丝螺钉,因为挤压可能导致安装孔周围的隆起,影响器件和散热器之间的热接触。安装力矩无法控制,也是这种安装方法的缺点;器件应首先机械固定,然后焊接引线。这可减少引线的不适当应力。IT(AV)--通态平均电流VRRM--反向反复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不反复浪涌电流VTM--通态峰值电压嘉定区国产可控硅销售厂大功率高频可控硅通常用作工业中;高频熔炼炉等。

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大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极〔图2(P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年,因为它的特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T,又因为晶闸管**初的在静止整流方面,所以又被称之为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。

通态(峰值)电压 VT M 的选择: 它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗,应尽可能选择VT M 小的可控硅。 [1]·维持电流: IH 是维持可控硅保持通态所必需的**小主电流,它与结温有关,结温越高, 则 IH 越小。 [1]·电压上升率的**: dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率,这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了 A2 与 G 之间会存在寄生电容。 对负载小,或电流持续时间短(小于1 秒钟)的双向可控硅, 可在自由空间工作。 但大部分情况下,需要安装在散热器或散热的支架上,为了减小热阻,可控硅与散热器间要涂上导热硅脂。可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。

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这在高温下尤为严重,在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来限制VD/DT,或可采用高速可控硅(晶闸管)。5、关于连续峰值开路电压VDRM在电源不正常的情况下,可控硅(晶闸管)两端的电压会超过连续峰值开路电压VDRM的最大值,此时可控硅(晶闸管)的漏电流增大并击穿导通。如果负载能允许很大的浪涌电流,那么硅片上局部的电流密度就很高,使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏。另外白炽灯,容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流,这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰(毛刺)电压加到双向可控硅(晶闸管)上 [2]。其中,金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;闵行区制造可控硅售价

大;塑封和铁封可控硅通常用作功率型可控调压电路。像可调压输出直流电源等等。奉贤区好的可控硅货源充足

当晶闸管在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)≈1时,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。奉贤区好的可控硅货源充足

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