嘉定区质量驱动电路设计

实验及结果根据以上分析，本文设计一台基于反激变换器的可控硅调光LED驱动器，控制芯片为NCP1607;输入交流电压220V，最大输出功率为25W，比较大输出电流为0.7A;以3串(每串10只0.8W的LED灯)相并联作为负载;RC时间系数选择0.5，增益为0.2。电路的实验波形和工作特性曲线如图4所示。图4a)、b)、c)为可控硅导通角为115°时阻抗匹配开关驱动电压VZ、输入电流Iin、输入电压Vin的波形，电路的输出电流为470mA，功率因数为0.78。从图中可看出，当可控硅导通瞬间，由于驱动器输入端有差模滤波电容导致输入电流有冲击电流尖峰，而当输入电流小于一定值时，阻抗匹配开关开通以保证流过可控硅的电流大于其维持电流。IGBT的驱动电路一般采用驱动芯片，如东芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飞凌的EiceDRIVER系列等。嘉定区质量驱动电路设计

非隔离驱动电路：不具有电气隔离结构，多采用电阻、二极管、三极管或非隔离型驱动芯片。按常见形式分类：直接驱动：由单个电子元器件（如二极管、三极管、电阻、电容等）连接起来组成的驱动电路，多用于功能简单的小功率驱动场合。隔离驱动：电路包含隔离器件，常用的有光耦驱动、变压器驱动以及隔离电容驱动等。**驱动集成芯片：在数字电源中应用***，许多驱动芯片自带保护和隔离功能。功率开关管常用驱动MOSFET驱动：MOSFET常用于中小功率数字电源，其驱动电压范围一般在-10~20V之间。MOSFET对驱动电路的功率要求不高，在低频场合可利用三极管直接驱动，而在高频场合多采用变压器或**芯片进行驱动。奉贤区好的驱动电路货源充足个人的职业发展可能受到内在驱动（如兴趣、目标）和外部驱动（如薪水、晋升机会）的影响。

驱动程序作为Windows 10必备的组件，为系统安全平稳地运行提供了有力的保障。为了驱动程序的安全，系统或软件在安装时会对驱动程序做必要的储备，这一储备具体体现在系统DriverStore驱动文件夹。然而，该文件夹中的文件不一定是当前系统必不可少的，*在驱动失效、缺失或重装时才可能会被用到。如果系统空间确实紧张而又没有别的办法，可将其中作为储备而暂时用不着的文件清理掉。 [3]驱动本质上是软件代码，其主要作用是计算机系统与硬件设备之间完成数据传送的功能，只有借助驱动程序，两者才能通信并完成特定的功能。如果一个硬件设备没有驱动程序，只有操作系统是不能发挥特有功效的，也就是说驱动程序是介于操作系统与硬件之间的媒介，实现双向的传达，即将硬件设备本身具有的功能传达给操作系统，同时也将操作系统的标准指令传达给硬件设备，从而实现两者的无缝连接。 [2]

表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在IGBT导通后。栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度，使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VGE越高，VDS值就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允许超过20 V，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，IGBT损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V为宜。低边驱动：通常用于将功率开关器件连接在电源负极（地）一侧。

3.关断瞬时：足够、反向基极电流—迅速抽出基区剩余载流子，减小 ；反偏截止电压，使ic迅速下降，减小 。恒流驱动电路恒定电路即基极电流恒定，功率管饱和导通。恒流驱动优点：优点： 电路简单；普通恒流驱动电路恒流驱动缺点：轻载时深度饱和，关断时间长。驱动电路的实质是给栅极电容充放电。 [2]开通：1.驱动电压足够高，一般>10V；（减小RDS(on))2.足够的瞬态驱动电流，快的上升沿； （加速开通）3.驱动电路内阻抗小。 （加速开通）关断：1. 足够的瞬态驱动电流，快的下降沿； （加速关断）2. 驱动电路内阻抗小。 （加速关断）3. 驱动加负压。 （防止误导通）非隔离驱动电路：不具有电气隔离结构，多采用电阻、二极管、三极管或非隔离型驱动芯片。金山区制造驱动电路量大从优

驱动电路是用于控制和驱动其他电路或设备的电路。嘉定区质量驱动电路设计

由于门极的测量电压太低(VGE=0V )而不是门极的门槛电压，在实际开关中存在的米勒效应（Miller 效应）在测量中也没有被包括在内，在实际使用中的门极电容Cin值要比IGBT 数据手册中给出的电容Cies 值大很多。因此，在IGBT数据手册中给出的电容Cies值在实际应用中**只能作为一个参考值使用。确定IGBT 的门极电荷对于设计一个驱动器来说，**重要的参数是门极电荷QG(门极电压差时的IGBT 门极总电荷)，如果在IGBT 数据手册中能够找到这个参数，那么我们就可以运用公式计算出：门极驱动能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]嘉定区质量驱动电路设计

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