企业商机
赛芯基本参数
  • 品牌
  • 赛芯微xysemi,上海如韵,上海芯龙
  • 型号
  • 齐全
  • 封装形式
  • DIP,SOP/SOIC,PLCC,SMD,BGA,TQFP,PQFP,QFP,CSP,TSOP,PGA,QFP/PFP,MCM,SDIP
赛芯企业商机

深圳市芯纳科技作为赛芯 XR4981A 的质量代理商,在智能穿戴设备应用场景中展现出优势。智能穿戴设备对充电 IC 的体积、功耗和稳定性要求极高,赛芯 XR4981A 采用超小封装设计,能完美适配智能手表、手环等紧凑空间,同时低功耗特性可有效延长设备续航时间,满足用户对设备长时间使用的需求。而芯纳科技的代理优势更是为客户提供了坚实保障,作为官方授权代理商,芯纳科技拥有稳定且充足的赛芯 XR4981源,可避免因原厂供货波动导致的断供风险,确保智能穿戴设备厂商的生产计划顺利推进。芯纳科技代理赛芯芯片,XBM5770 型号当前现货,可及时响应客户订单需求。扬州XBM3214DBA赛芯内置MOS 两节锂保

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深圳市芯纳科技为移动办公设备厂商供应赛芯 XR4981A,在笔记本电脑辅助供电解决方案中应用。笔记本电脑在使用外接设备时,对供电系统的带载能力要求较高,赛芯 XR4981A 的 120W 最大输出功率,能满足外接显示器、移动硬盘等设备的同时供电需求。实际测试表明,搭载该控制器的笔记本扩展坞,在连接 4 个 USB 设备时,输出电压仍能稳定在 20V,确保各设备正常工作。其小型化封装设计使扩展坞体积缩小 15%,便于用户携带。在电池供电模式下,该控制器的高效性能使笔记本续航延长 8%,减少了户外办公时的电量焦虑。此外,其过压保护功能能有效防止电压过高损坏笔记本主板,提升了设备的使用安全性,为移动办公设备的功能扩展提供了稳定的电力支持。天津XBM5774 赛芯内置MOS 两节锂保芯纳科技是赛芯芯片代理服务商,XBM3214DGB 型号现货供应,支持快速发货。

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2 串升降压20W~65W 充电器+移动电源单片SOC  1.概述DS3730是一颗集成了协议和升降压的移动电源和充电器二合一单SOC芯片.集成了同步升降压变换器、支持2节电池串联,支持FB控制AC前端电压。有两种工作模式:一种是AC模式,在给电芯充电的同时,也可实现30~65W的快充输出,实现边充边放;另一种就是移动电源模式:支持20W-35W双向充放,支持CC,CA,CCA接口,支持CC-CV切换,支持PD3.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2DC***PLE2.4A等主流快充协议,集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块,并提供输入/输出的过压/欠压,电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。2.应用领域充电宝+充电器二合一产品3.特

赛芯 XR4981A,在智能家居供电系统场景中积累了丰富的应用案例。智能家居设备种类繁杂,从智能门锁、窗帘电机到扫地机器人、空气净化器,对供电模块的兼容性和稳定性要求多样,而赛芯 XR4981A 的 3.6-36V 宽输入电压范围,能适配不同规格的电源适配器和内置电池,满足各类设备的供电需求。在智能门锁中,该控制器的稳定输出确保了电机驱动锁体时不会因电压波动导致卡顿,测试显示其开关锁响应时间稳定在 0.8 秒左右,提升了用户的使用体验;芯纳科技提供赛芯 XBM3215JFG 芯片代理服务,该型号当前现货充足,可快速响应采购需求。

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赛芯 XR4981A,在便携式电动工具电源解决方案中应用。便携式电动工具如手持电钻、角磨机等,对电源的输出功率和带载能力要求较高,赛芯 XR4981A 的 120W 最大输出功率能满足这类工具的启动和运行需求。实际使用中,该控制器在工具负载突然增加时,能快速调整输出电流,避免了因过载导致的电源保护停机,提升了工作效率。其宽输入电压范围适配不同容量的锂电池组,在电池电量较低时仍能维持稳定输出,延长了单次工作时间。合作的电动工具品牌反馈,使用该控制器后,工具的续航时间延长 12%,充电时间缩短 15%,用户的使用体验明显改善。此外,该控制器的散热性能良好,在连续工作 1 小时后温度上升 20℃,确保了电动工具的长期稳定运行。芯纳科技作为赛芯芯片代理,XBM3214 现货充足,支持客户紧急生产订单。上海3T1FAA赛芯内置MOS 两节锂保

芯纳科技提供赛芯芯片代理服务,XBM3204DBA 现货供应,助力客户生产顺利。扬州XBM3214DBA赛芯内置MOS 两节锂保

   PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联,实现几乎是直接翻倍的带载能力,降低内阻,提高效率,但布板清注意:①两个芯片尽量对称,直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地,减小布线内阻和加强散热。③,每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻,并且布的离VDD近些,尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些,也无需多粗,但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小,PCB板上,封装焊盘略大一些,避免虚焊。②,走线经过电阻后,先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND,使整个电容环路**小。④芯片的GND(B-)到VM建议预留一个C2()电容位置,C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD,建议连接芯片的GND(B-)或者悬空。扬州XBM3214DBA赛芯内置MOS 两节锂保

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