杨浦区优势驱动电路设计

优良的驱动电路对变换器性能的影响驱动电路1.提高系统可靠性2.提高变换效率(开关器件开关、导通损耗)3.减小开关器件应力(开/关过程中)4.降低EMI/EMC驱动电路为什么要采取隔离措施安规问题，驱动电路副边与主电路有耦合关系，而驱动原边是与控制电路连在一起， 主电路是一次电路，控制电路是ELV电路， 一次电路和ELV电路之间要做加强绝缘，实现绝缘要求一般就采取变压器光耦等隔离措施。驱动电路采取隔离措施的条件需要隔离控制参考地与驱动信号参考地（e极） 同—驱动电路无需隔离；无需隔离控制参考地与驱动信号参考地（e极）不同—驱动电路应隔离。传感器驱动：驱动电路可以将传感器检测到的物理量转换为电信号，例如温度传感器、压力传感器等。杨浦区优势驱动电路设计

表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在IGBT导通后。栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度，使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VGE越高，VDS值就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允许超过20 V，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，IGBT损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V为宜。杨浦区优势驱动电路设计当栅极电压低于阈值时，MOS管会关断。驱动电路正是通过调整栅极电压来控制MOS管的开通和关断状态。

在安装驱动程序时，Windows一般要把.inf文件拷贝一份到“Win-dows\Inf”或“Windows\Inf\Other”目录下，以备将来使用。Inf目录下除了有.inf文件外，还有两个特殊文件D和D，以及一些.pnf文件，它们都是Windows为了加快处理速度而自动生成的二进制文件。D和D记录了inf文件描述的所有硬件设备，也许朋友们会有印象：当我们在安装某些设备时，经常会看到一个“创建驱动程序信息库”的窗口，此时Windows便正在生成这两个二进制文件。

一、驱动电路概述驱动电路是位于主电路和控制电路之间，用来对控制电路的信号进行放大的中间电路，即将控制电路输出的信号放大到足以驱动功率晶体管的程度，实现开关功率放大作用。它是电子设备和系统中至关重要的组成部分，广泛应用于计算机、通信设备、电视、汽车、机器人等领域。二、驱动电路的作用功率放大：驱动电路的主要作用是将控制电路产生的微弱信号放大，以驱动功率开关器件的开断。提高系统可靠性：优良的驱动电路能够减少器件的开关损耗，提高能量转换效率，并降低电磁干扰（EMI/EMC）。电机控制：驱动电路可以用来控制各种类型的电机，例如步进电机、直流电机、交流电机等。

a)驱动器靠近IGBT减小引线长度；b) 驱动的栅射极引线绞合，并且不要用过粗的线；c) 线路板上的 2 根驱动线的距离尽量靠近；d) 栅极电阻使用无感电阻；e) 如果是有感电阻，可以用几个并联以减小电感。2、IGBT 开通和关断选取不同的栅极电阻通常为达到更好的驱动效果，IGBT开通和关断可以采取不同的驱动速度，分别选取 Rgon和Rgoff（也称 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的。IGBT驱动器有些是开通和关断分别输出控制，只要分别接上Rgon和Rgoff就可以了。由单个电子元器件连接起来组成的驱动电路，多用于功能简单的小功率驱动场合。奉贤区特点驱动电路货源充足

低边驱动：通常用于将功率开关器件连接在电源负极（地）一侧。杨浦区优势驱动电路设计

Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所给出的测试方法测量出开通能量E，然后再计算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE这种方法虽然准确但太繁琐，一般情况下我们可以简单地利用IGBT数据手册中所给出的输入电容Cies值近似地估算出门极电荷：如果IGBT数据表给出的Cies的条件为VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的认为Cin=4.5Cies，门极电荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的输入电容（Cies 可从IGBT 手册中找到）杨浦区优势驱动电路设计

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