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非隔离驱动电路：不具有电气隔离结构，多采用电阻、二极管、三极管或非隔离型驱动芯片。按常见形式分类：直接驱动：由单个电子元器件（如二极管、三极管、电阻、电容等）连接起来组成的驱动电路，多用于功能简单的小功率驱动场合。隔离驱动：电路包含隔离器件，常用的有光耦驱动、变压器驱动以及隔离电容驱动等。**驱动集成芯片：在数字电源中应用***，许多驱动芯片自带保护和隔离功能。功率开关管常用驱动MOSFET驱动：MOSFET常用于中小功率数字电源，其驱动电压范围一般在-10~20V之间。MOSFET对驱动电路的功率要求不高，在低频场合可利用三极管直接驱动，而在高频场合多采用变压器或**芯片进行驱动。通过控制电机的电流和电压，可以实现电机的转动、速度控制、方向控制等。黄浦区制造驱动电路货源充足

Windows 9x专门提供有“添加新硬件向导”（以下简称硬件向导）来帮助使用者安装硬件驱动程序，使用者的工作就是在必要时告诉硬件向导在哪儿可以找到与硬件型号相匹配的.inf文件，剩下的绝大部分安装工作都将由硬件安装向导自己完成。给硬件设备安装驱动程序对Windows 9x用户来说并不是一件陌生事，在安装或重装Windows时需要安装驱动程序，在购买了某些新硬件之后也需要安装驱动程序。如果驱动程序安装不对，系统中某些硬件就有一定可能无法正常使用。虽然Windows 9x支持即插即用，能够为用户减少不少工作，但由于PC机的设备有非常多的品牌和型号，加上各种新产品不断问世，Windows不可能自动识别出所有设备，因此在安装很多设备时都需要人工干预。普陀区质量驱动电路货源充足隔离型驱动电路：包含光耦、变压器、电容等具有电气隔离功能器件的驱动电路。

在Windows 9x下，驱动程序按照其提供的硬件支持可以分为:声卡驱动程序、显卡驱动程序、鼠标驱动程序、主板驱动程序、网络设备驱动程序、打印机驱动程序、扫描仪驱动程序等等。为什么没有CPU、内存驱动程序呢？因为CPU和内存无需驱动程序便可使用，不仅如此，绝大多数键盘、鼠标、硬盘、软驱、显示器和主板上的标准设备都可以用Windows自带的标准驱动程序来驱动，当然其它特定功能除外。如果你需要在Windows系统中的DOS模式下使用光驱，那么还需要在DOS模式下安装光驱驱动程序。

如果IGBT数据表给出的Cies的条件为VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的认为Cin=2.2Cies，门极电荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的输入电容（Cies 可从IGBT 手册中找到）如果IGBT数据手册中已经给出了正象限的门极电荷曲线，那么只用Cies 近似计算负象限的门极电荷会更接近实际值：门极电荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 适用于Cies 的测试条件为 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT门极电荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2驱动电路的设计通常需要考虑负载的电流、电压要求，以及控制信号的特性。

推挽驱动是两不同极性晶体管输出电路无输出变压器（有OTL、OCL等）。是两个参数相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高。推挽输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。如果输出级的有两个三极管，始终处于一个导通、一个截止的状态，也就是两个三级管推挽相连，这样的电路结构称为推拉式电路或图腾柱（Totem- pole）输出电路。当输出低电平时，也就是下级负载门输入低电平时，输出端的电流将是下级门灌入T4；当输出高电平时，也就是下级负载门输入高电平时，输出端的电流将是下级门从本级电源经 T3、D1 拉出。IGBT的驱动电路一般采用驱动芯片，如东芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飞凌的EiceDRIVER系列等。普陀区质量驱动电路货源充足

MOSFET驱动电路：使用MOSFET（场效应晶体管）作为开关元件，适用于高效能的开关电源和电机驱动。黄浦区制造驱动电路货源充足

Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所给出的测试方法测量出开通能量E，然后再计算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE这种方法虽然准确但太繁琐，一般情况下我们可以简单地利用IGBT数据手册中所给出的输入电容Cies值近似地估算出门极电荷：如果IGBT数据表给出的Cies的条件为VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的认为Cin=4.5Cies，门极电荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的输入电容（Cies 可从IGBT 手册中找到）黄浦区制造驱动电路货源充足

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