南京XBM3212DGB赛芯原厂

在供货能力上，芯纳科技在深圳设有大型仓储中心，常备大量赛芯 XR4981A 库存，客户下单后可实现快速发货，对于紧急订单，甚至可当天安排物流配送，大幅缩短客户的采购周期，帮助小型家电厂商加快产品上市速度。此外，芯纳科技还为客户提供增值服务，比如提供赛芯 XR4981A 的技术文档和应用案例，协助客户进行产品测试和调试，同时针对小型家电厂商的批量采购需求，提供灵活的付款方式和批量采购优惠政策，进一步降低客户的采购成本和资金压力。另外，芯纳科技的售后团队会定期回访客户，了解赛芯 XR4981A 的使用情况，及时解决客户在生产过程中遇到的问题，确保合作长期稳定。移动电源soc芯片DS5136B+MPP无线充 （QI2.0）22.5W 单串移动电源+无线充.南京XBM3212DGB赛芯原厂

   多节锂电保护产品二级保护二级保护是指使用PTC、MHP、等被动组件来保护电池。锂电池保护板分为一级保护和二级保护。一级保护通常指的是主动组件保护，包括保护IC和MOSFET，它能够实时监测电池的电压和充放电电流，并在必要时MOSFET的导通或关断，以防止电池过充、过放、过载及短路。而二级保护则是指使用PTC、MHP、丝等被动组件来进一步增强电池的安全性。这些组件通常是温度敏感的，能够在电池温度异常升高时呈现高阻状态，阻止电流流动，从而避免可能的危险情况当电池温度异常升高时，PTC或MHP会呈现高阻状态，阻碍电池的充放电，从而防止锂电池的起火。这种保护方式被称为二级保护，它是一种被动组件保护，通常作为一级保护电路（IC/Mosfet）的补充。中山DS3730赛芯代理7串-10串 多节电池保护芯片 XBM7101 集成均衡/NTC/SSOP24。

DS2730是一款面向100W快充应用的电源管理SOC，集成了微处理器、双路降压变换器、快充协议控制器，支持PD3.D3.0、QC3.0QC3.0QC3.0QC3.0QC3.0、QC2.0C2.0C2.0C2.0、SCPSCPSCP、FCPFCPFCP、AFCAFC等主流快充协议。结合少量元件即可组成降压型C+CA+CA+CA双路**的100W大功率多口快充解决方案。快充协议控制器DS2730集成了双路USBType-C接口、PDPHY以及协议层解析功能，支持设备插拔自动检测和设备类型的识别，兼容PD、QC、SCP、FCP、AFC、APPLE2.4A、BC1.2DCP等主流的快充协议。根据接入设备的功率请求，自动匹配比较好的电压和电流输出。各快充方式的输出功率规格

小家电，电工工具等2-6串电池包充电管理，DS3056B是一款面向小家电/电动工具等电池包快充充电和小功率放电的快充管理SOC，集成了同步升降压快充驱动器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计，I2C通信等功能模块，支持2-6串电芯，比较大100W充电功率，支持CC-CV切换，支持PD3.0，QC2.0、Apple 2.4A, BC1.2 DCP快充充电协议；输出5V/3A。 具有输入输出过压/欠压、电池过放过充、过温、过流、充电超时等完备的保护功能。搭载极简的**线路，即可组成小家电和电动工具充电包等快充充放电方案。芯纳科技、锂电池充电管理XA4246。

赛芯 XR4981A，在便携式应急照明解决方案中应用。应急照明设备如手电筒、露营灯等，需要在断电或户外环境中提供稳定照明，赛芯 XR4981A 的高输出功率能支持 LED 灯珠的高亮度发光。测试表明，搭载该控制器的应急灯，在电池电量为 50% 时仍能维持 80% 的亮度，照明时间比同类产品延长 10%。其宽输入电压范围适配不同类型的电池，在使用干电池或充电电池时均能正常工作。在应急场景中，该控制器的快速启动特性确保了灯具在断电瞬间即可点亮，响应时间小于 0.5 秒。合作的照明企业表示，使用该控制器后，应急灯的可靠性提升，在高温、潮湿环境下的故障率降低，为应急照明设备的稳定运行提供了保障。DS2730数据手册—降压型PD3.0 C+CA多口快充SOC。江门XBM4451赛芯代理

芯纳科技成立于2011年。专注代理电源芯片和电子元器件的销售服务。南京XBM3212DGB赛芯原厂

   PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。南京XBM3212DGB赛芯原厂