企业商机
驱动电路基本参数
  • 品牌
  • 祥盛芯城
  • 型号
  • 齐全
驱动电路企业商机

驱动电路隔离技术一般使用光电耦合器或隔离变压器(光耦合;磁耦合)。 [1]由于 MOSFET 的工作频率及输入阻抗高,容易**扰,故驱动电路应具有良好的电气隔离性能,以实现主电路与控制电路之间的隔离,使之具有较强的抗干扰能力,避免功率级电路对控制信号的干扰。光耦隔离驱动可分为电磁隔离与光电隔离。采用脉冲变压器实现电路的电磁隔离,是一种电路简单可靠,又具有电气隔离作用的电路,但其对脉冲的宽度有较大限制,若脉冲过宽,磁饱和效应可能使一次绕组的电流突然增大,甚至使其烧毁,而若脉冲过窄,为驱动栅极关断所存储的能量可能不够。心理或情感意义:可以指推动一个人采取行动的内在动力或外部激励。虹口区通用驱动电路图片

虹口区通用驱动电路图片,驱动电路

表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化,因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在IGBT导通后。栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度,使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时,栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关,在漏源电流一定的情况下,VGE越高,VDS值就越低,器件的导通损耗就越小,这有利于充分发挥管子的工作能力。但是, VGE并非越高越好,一般不允许超过20 V,原因是一旦发生过流或短路,栅压越高,则电流幅值越高,IGBT损坏的可能性就越大。通常,综合考虑取+15 V为宜。嘉定区推广驱动电路现价直接接地驱动:功率器件的接地端电位恒定,常用的有推挽驱动以及图腾柱驱动等。

虹口区通用驱动电路图片,驱动电路

3.关断瞬时:足够、反向基极电流—迅速抽出基区剩余载流子,减小 ;反偏截止电压,使ic迅速下降,减小 。恒流驱动电路恒定电路即基极电流恒定,功率管饱和导通。恒流驱动优点:优点: 电路简单;普通恒流驱动电路恒流驱动缺点:轻载时深度饱和,关断时间长。驱动电路的实质是给栅极电容充放电。 [2]开通:1.驱动电压足够高,一般>10V;(减小RDS(on))2.足够的瞬态驱动电流,快的上升沿; (加速开通)3.驱动电路内阻抗小。 (加速开通)关断:1. 足够的瞬态驱动电流,快的下降沿; (加速关断)2. 驱动电路内阻抗小。 (加速关断)3. 驱动加负压。 (防止误导通)

非隔离驱动电路:不具有电气隔离结构,多采用电阻、二极管、三极管或非隔离型驱动芯片。按常见形式分类:直接驱动:由单个电子元器件(如二极管、三极管、电阻、电容等)连接起来组成的驱动电路,多用于功能简单的小功率驱动场合。隔离驱动:电路包含隔离器件,常用的有光耦驱动、变压器驱动以及隔离电容驱动等。**驱动集成芯片:在数字电源中应用***,许多驱动芯片自带保护和隔离功能。功率开关管常用驱动MOSFET驱动:MOSFET常用于中小功率数字电源,其驱动电压范围一般在-10~20V之间。MOSFET对驱动电路的功率要求不高,在低频场合可利用三极管直接驱动,而在高频场合多采用变压器或**芯片进行驱动。它是电子设备和系统中至关重要的组成部分,广泛应用于计算机、通信设备、电视、汽车、机器人等领域。

虹口区通用驱动电路图片,驱动电路

Windows 9x专门提供有“添加新硬件向导”(以下简称硬件向导)来帮助使用者安装硬件驱动程序,使用者的工作就是在必要时告诉硬件向导在哪儿可以找到与硬件型号相匹配的.inf文件,剩下的绝大部分安装工作都将由硬件安装向导自己完成。给硬件设备安装驱动程序对Windows 9x用户来说并不是一件陌生事,在安装或重装Windows时需要安装驱动程序,在购买了某些新硬件之后也需要安装驱动程序。如果驱动程序安装不对,系统中某些硬件就有一定可能无法正常使用。虽然Windows 9x支持即插即用,能够为用户减少不少工作,但由于PC机的设备有非常多的品牌和型号,加上各种新产品不断问世,Windows不可能自动识别出所有设备,因此在安装很多设备时都需要人工干预。根据具体的应用场景和需求,还有推挽驱动、隔离驱动、加速关断驱动等多种设计方案。虹口区国产驱动电路生产企业

集成驱动芯片:一些集成电路(IC)可以简化驱动电路的设计,例如用于电机驱动的H桥驱动IC。虹口区通用驱动电路图片

由于门极的测量电压太低(VGE=0V )而不是门极的门槛电压,在实际开关中存在的米勒效应(Miller 效应)在测量中也没有被包括在内,在实际使用中的门极电容Cin值要比IGBT 数据手册中给出的电容Cies 值大很多。因此,在IGBT数据手册中给出的电容Cies值在实际应用中**只能作为一个参考值使用。确定IGBT 的门极电荷对于设计一个驱动器来说,**重要的参数是门极电荷QG(门极电压差时的IGBT 门极总电荷),如果在IGBT 数据手册中能够找到这个参数,那么我们就可以运用公式计算出:门极驱动能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]虹口区通用驱动电路图片

祥盛芯城(上海)半导体有限公司汇集了大量的优秀人才,集企业奇思,创经济奇迹,一群有梦想有朝气的团队不断在前进的道路上开创新天地,绘画新蓝图,在上海市等地区的电子元器件中始终保持良好的信誉,信奉着“争取每一个客户不容易,失去每一个用户很简单”的理念,市场是企业的方向,质量是企业的生命,在公司有效方针的领导下,全体上下,团结一致,共同进退,**协力把各方面工作做得更好,努力开创工作的新局面,公司的新高度,未来祥盛芯城供应和您一起奔向更美好的未来,即使现在有一点小小的成绩,也不足以骄傲,过去的种种都已成为昨日我们只有总结经验,才能继续上路,让我们一起点燃新的希望,放飞新的梦想!

与驱动电路相关的产品
与驱动电路相关的**
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责