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Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所给出的测试方法测量出开通能量E，然后再计算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE这种方法虽然准确但太繁琐，一般情况下我们可以简单地利用IGBT数据手册中所给出的输入电容Cies值近似地估算出门极电荷：如果IGBT数据表给出的Cies的条件为VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的认为Cin=4.5Cies，门极电荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的输入电容（Cies 可从IGBT 手册中找到）浮动接地驱动：功率器件接地端电位会随电路状态变化而浮动，典型的为自举驱动电路。宝山区制造驱动电路量大从优

IGBT驱动：IGBT常被用于中大功率数字电源开发，其驱动电压范围为-15~15V。IGBT驱动电路分为正压驱动和负压驱动，负压关断可以避免误导通风险，加快关断速度，减小关断损耗。IGBT的驱动电路一般采用**的驱动芯片，如东芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飞凌的EiceDRIVER系列等。五、驱动电路的应用显示控制：驱动电路可以将数字信号转换为模拟信号，以控制液晶显示屏、LED显示屏等显示设备；也可以将模拟信号转换为数字信号，以控制数码管等显示设备。宝山区制造驱动电路量大从优驱动电路的工作原理涉及信号的放大、转换和传输。

如果IGBT数据表给出的Cies的条件为VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的认为Cin=2.2Cies，门极电荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的输入电容（Cies 可从IGBT 手册中找到）如果IGBT数据手册中已经给出了正象限的门极电荷曲线，那么只用Cies 近似计算负象限的门极电荷会更接近实际值：门极电荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 适用于Cies 的测试条件为 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT门极电荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2

优良的驱动电路对变换器性能的影响驱动电路1.提高系统可靠性2.提高变换效率(开关器件开关、导通损耗)3.减小开关器件应力(开/关过程中)4.降低EMI/EMC驱动电路为什么要采取隔离措施安规问题，驱动电路副边与主电路有耦合关系，而驱动原边是与控制电路连在一起， 主电路是一次电路，控制电路是ELV电路， 一次电路和ELV电路之间要做加强绝缘，实现绝缘要求一般就采取变压器光耦等隔离措施。驱动电路采取隔离措施的条件需要隔离控制参考地与驱动信号参考地（e极） 同—驱动电路无需隔离；无需隔离控制参考地与驱动信号参考地（e极）不同—驱动电路应隔离。驱动电路的主要作用是将控制电路产生的微弱信号放大，以驱动功率开关器件的开断。

2)能向IGBT提供足够的反向栅压。在IGBT关断期间，由于电路中其他部分的工作，会在栅极电路中产生一些高频振荡信号，这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态，增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此，比较好给处于截止状态的IGBT加一反向栅压(幅值一般为5～15 V)，使IGBT在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。3)具有栅极电压限幅电路，保护栅极不被击穿。IGBT栅极极限电压一般为+20 V，驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。4)由于IGBT多用于高压场合。要求有足够的输入、输出电隔离能力。所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离，一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。MOSFET驱动：MOSFET常用于中小功率数字电源，其驱动电压范围一般在-10~20V之间。嘉定区推广驱动电路生产企业

非隔离驱动电路：不具有电气隔离结构，多采用电阻、二极管、三极管或非隔离型驱动芯片。宝山区制造驱动电路量大从优

光耦的特点光耦基本电路1. 参数设计简单2. 输出端需要隔离驱动电源3. 驱动功率有限磁耦合-变压器隔离受高频调制的单向脉冲变压器隔离电路磁耦合：用于传送较低频信号时—调制/解调磁耦合的特点:1.既可传递信号又可传递功率2.频率越高,体积越小-适合高频应用比较好驱动特性和驱动电流波形比较好驱动1.开通时： 基极电流有快速上升沿和过冲—加速开通，减小开通损耗；2.导通期间：足够的基极电流，使晶体管任意负载饱和导通—低导通损耗；关断前调整基极电流，使晶体管处于临界饱和导通—减小 ， 关断快;宝山区制造驱动电路量大从优

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