光电三极管也是一种晶体管，它有三个电极。当光照强弱变化时，电极之间的电阻会随之变化。光电三极管是在光电二极管的基础上发展起来的光电器件，它本身具有放大功能。目前的光电三极管是采用硅材料制作而成的。这是由于硅元件较锗元件有小得多的暗电流和较小的温度系数。硅光电三极管是用N型硅单晶做成N—P—N结构的。管芯基区面积做得较大，发射区面积却做得较小，入射光线主要被基区吸收。与光电二极管一样，入射光在基区中激发出电子与空穴。在基区漂移场的作用下，电子被拉向集电区，而空穴被积聚在靠近发射区的一边。由于空穴的积累而引起发射区势垒的降低，其结果相当于在发射区两端加上一个正向电压，从而引起了倍率为β+1(相当于三极管共发射极电路中的电流增益)的电子注入，这就是硅光电三极管的工作原理。深圳市凯轩业科技厂家直销，原装光电二三极管。。福建多功能光电三极管供应
光电三极管与一般光电二极管不同光电三极管必须在有偏压且要保证光电三极管的发射结处于正向偏置而集电极结处于反向偏压才能工作伏安特性曲线如3所示入射到光电三极管的照度不同其伏安特性曲线稍有不同但随着电压升高输出电流均逐渐达到饱和 由硅光电三极管受温度的影响比硅光电二极管大得多很显然这是由于光电三极管有放大作用另外也可看出随着温度升高暗电流增加很快使输出信噪比变差不利于弱光的检测在进行光信号检测时应考虑到温度对光电器件输出的影响必要时还需要采取适当的恒温或温度补偿措施福建多功能光电三极管供应原装，厂家直销光电二三极管选择凯轩业电子有限公司。
一般来说，电子带负电荷，空穴带正电荷。耗尽能量将具有内建电场。由于该电场，电子-空穴对远离PN结。因此，空穴向阳极移动，电子向阴极移动以产生光电流。光子吸收强度和光子能量彼此成正比。照片能量越少，吸收越多。这整个过程被称为内光电效应。内在激发和外在激发是发生光子激发的两种方法。当价带中的电子被光子激发到导带时，就会发生本征激发过程。光电二极管的工作电路光电二极管主要以三种不同的模式工作，是：光伏模式光电导模式雪崩二极管模式
光电三极管的种类选择由外观上，可以区分为罐封闭型与树脂封入型，而各型又可分别分为附有透镜之型式及单纯附有窗口之型式。就半导体晶方言之，材料有硅（Si）与锗（Ge），大部份为硅。在晶方构造方面，可分为普通晶体管型与达林顿晶体管型。再从用途加以分类时，可以分为以交换动作为目的之光敏三极管与需要直线性之光敏三极管，但光敏三极管的主流为交换组件，需要直线性时，通常使用光二极管。在实际选用光敏三极管时，应注意按参数要求选择管型。如要求灵敏度高，可选用达林顿型光敏三极管;如要求响应时间快，对温度敏感性小，就不选用光敏三极管而选用光敏二极管。探测暗光一定要选择暗电流小的管子，同时可考虑有基极引出线的光敏三极管，通过偏置取得合适的工作点，提高光电流的放大系数。例如，探测10-3勒克斯的弱光，光敏三极管的暗电流必须小于0.1nA。光电二极管电路主要以三种模式工作，光伏模式、光电导模式以及雪崩二极管模式。
在光电二极管管壳上有一个能射入光纤的透明玻璃，入射光通过透镜正好照射在管芯上(如图4所示)发光二极管是一个具有光敏特性的PN结，它被封装在管壳内，发光二极管管芯的光敏面是通过扩散工艺在N型单晶硅上形成的一层薄膜，光电二极管的管芯以及管芯上的PN结面积做得较大，而管芯上的电极面积做得较小，PN结的结深比普通半导体二极管做得浅，这些结构上的特点都是为了提高光电转换的能力，另外，与普通二极管一样，在硅片上生长了一层二氧化硅保护层，它把PN结的边缘保护起来，从而提高了管子的稳定性，减少了暗电流。光电二三极管就选凯轩业科技，有想法可以来我司咨询。福建多功能光电三极管供应
光电二极管是pn结或PIN配置。如果光子撞击二极管，它将产生电子和带正电的空穴。福建多功能光电三极管供应
光伏模式也称为零偏压模式。当光电二极管工作在低频应用和超能级光应用时，这种模式是优先。当闪光照射光电二极管时，会产生电压。产生的电压将具有非常小的动态范围，并且具有非线性特性。当光电二极管在此模式下配置 OP-AMP ，随温度的变化将非常小。在光电导模式下，光电二极管将在反向偏置条件下工作。阴极为正极，阳极为负极。当反向电压增加时，耗尽层的宽度也会增加。因此，响应时间和结电容将减少。相比之下，这种操作模式速度快，并且会产生电子噪音。雪崩二极管在高反向偏置条件下工作，这允许雪崩击穿倍增到每个光电产生的电子-空穴对。该结果是光电二极管的内部增益，它会缓慢增加设备响应。福建多功能光电三极管供应
