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二极管基本参数
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紫外发光二极管是氮化物技术发展和第三代半导体材料技术发展的主要趋势,拥有广阔的应用前景。中国科技部为了加快第三代半导体固态紫外光源的发展,争施了“第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术”重点研发计划专项(2016YFB0400800)。国家重点研发计划的支持和国际紫外材料与器件研讨会的举办,将为加快实现我国第三代半导体紫外光源的市场化应用,带动我国紫外半导体发光二极管材料和器件技术创亲及产业化发展发挥积极的作用。 [4]当制成大面积的光电二极管时,可当作一种能源而称为光电池。金山区国产二极管生产企业

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发光二极管的**部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层,称为PN结。在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压),电流从LED阳极流向阴极时,半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线,光的强弱与电流有关。长宁区质量二极管服务热线当电压达到约0.7V时,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示 [4]。

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光电二极管另外一个作用就是在模拟电路以及数字电路之间充当中介,这样两段电路就可以通过光信号耦合起来,这可以提高电路的安全性。在科学研究和工业中,光电二极管常常被用来精确测量光强,因为它比其他光导材料具有更良好的线性。在医疗应用设备中,光电二极管也有着广泛的应用,例如X射线计算机断层成像以及脉搏探测器。PIN结型光电二极管一般不用来测量很低的光强。如果弱光情况下需要高灵敏度探测器,雪崩光电二极管、感光耦合元件或者光电倍增管就能发挥作用,例如天文学、光谱学、夜视设备、激光测距仪等应用产品。

(4)变容电路在变容电路中常用变容二极管来实现电路的自动频率控制、调谐、调频以及扫描振荡等。 [6]工业产品应用经过多年来科学家们不懈努力,半导体二极管发光的应用已逐步得到推广,发光二极管广泛应用于各种电子产品的指示灯、光纤通信用光源、各种仪表的指示器以及照明。发光二极管的很多特性是普通发光器件所无法比拟的,主要具有特点有:安全、高效率、环保、寿命长、响应快、体积小、结构牢固。因此,发光二极管是一种符合绿色照明要求的光源。N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子,如磷等。

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反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。 [5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结长久性损坏。 [5]二极管的电路符号如图1所示。二极管有两个电极,由P区引出的电极是正极,又叫阳极;长宁区质量二极管服务热线

这种P型半导体中以空穴导电为主,空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。金山区国产二极管生产企业

2023年5月,新加坡—麻省理工学院研究与技术联盟的科学家开发了世界上**小的LED(发光二极管)。 [10]2024年2月5日,中国科学院宁波材料技术与工程研究所团队深挖机理、创新工艺,制备出一款高效稳定的钙钛矿发光二极管,相关论文发于国际学术期刊《自然·光子学》。 [12]发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成,也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后,从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同,释放出的能量越多,则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。发光二极管的反向击穿电压大于5伏。它的正向伏安特性曲线很陡,使用时必须串联限流电阻以控制通过二极管的电流。金山区国产二极管生产企业

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