电子元器件基本参数
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三极管三极管在中文含义里面只是对三个脚的放大器件的统称,我们常说的三极管,可能有多种器件。可以看到,虽然都叫三极管,其实在英文里面的说法是千差万别的,三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的英文翻译,这是和电子三极管**早出现有关系的,所以先入为主,也是真正意义上的三极管这个词**初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西,实际翻译的时候是***不可以翻译成Triode的,否则就麻烦大咯。无锡微原电子,打造耐用且高效的电子元器件产品。栖霞区电子元器件发展现状

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专门用的材料:

电容器**极板材料/导电材料电极材料/光学材料/测温材料半导体材料/屏蔽材料真空电子材料/覆铜板材料压电晶体材料/电工陶瓷材料光电子功能材料|强电、 弱电用接点材料激光工质/电子元器件**薄膜材料电子玻璃/类金刚石膜膨胀合金与热双金属片/电热材料与电热元件其它电子**材料。

电阻

电阻在电路中用“R”加数字表示,如:R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。1、参数识别:电阻的单位为欧姆(Ω),倍率单位有:千欧(KΩ),兆欧(MΩ)等。换算方法是:1兆欧=1000千欧=1000000欧。电阻的参数标注方法有3种,即直标法、色标法和数标法。a、数标法主要用于贴片等小体积的电路,如:472表示47×100Ω(即4.7K);104则表示100K。b、色环标注法使用**多,现举例如下:四色环电阻五色环电阻(精密电阻)。 崇明区电子元器件发展现状无锡微原科技,推动绿色电子技术的发展。

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被测色码电感器直流电阻值的大小与绕制电感器线圈所用的漆包线径、绕制圈数有直接关系,只要能测出电阻值,则可认为被测色码电感器是正常的。2 中周变压器的检测A 将万用表拨至R×1挡,按照中周变压器的各绕组引脚排列规律,逐一检查各绕组的通断情况,进而判断其是否正常。B 检测绝缘性能 将万用表置于R×10k挡,做如下几种状态测试:(1)初级绕组与次级绕组之间的电阻值;(2)初级绕组与外壳之间的电阻值;(3)次级绕组与外壳之间的电阻值。上述测试结果分出现三种情况:(1)阻值为无穷大:正常;(2)阻值为零:有短路性故障;(3)阻值小于无穷大,但大于零:有漏电性故障。

空载电流的检测。(a) 直接测量法。将次级所有绕组全部开路,把万用表置于交流电流挡500mA,串入初级绕组。当初级绕组的插头插入220V交流市电时,万用表所指示的便是空载电流值。此值不应大于变压器满载电流的10%~20%。一般常见电子设备电源变压器的正常空载电流应在100mA左右。如果超出太多,则说明变压器有短路性故障。(b) 间接测量法。在变压器的初级绕组中串联一个10 /5W的电阻,次级仍全部空载。把万用表拨至交流电压挡。加电后,用两表笔测出电阻R两端的电压降U,然后用欧姆定律算出空载电流I空,即I空=U/R。探索无锡微原,发现电子元器件在汽车电子中的广泛应用。

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阻电阻在电路中用"R"加数字表示,如:R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为:分流、限流、分压、偏置等。电容电容在电路中一般用"C"加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容的容量大小表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。电感电子元器件电感器在电子制作中虽然使用得不是很多,但它们在电路中同样重要。我们认为电感器和电容器一样,也是一种储能元件,它能把电能转变为磁场能,并在磁场中储存能量。电感器用符号L表示,它的基本单位是亨利(H),常用毫亨(mH)为单位。它经常和电容器一起工作,构成LC滤波器、LC振荡器等。另外,人们还利用电感的特性,制造了阻流圈、变压器、继电器等。工业自动化领域,无锡微原的电子元器件大放异彩。崇明区电子元器件发展现状

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晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的二极管。1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常,把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管**符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。栖霞区电子元器件发展现状

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