企业商机
二极管基本参数
  • 品牌
  • 南科功率
  • 型号
  • 齐全
  • 半导体材料
  • 硅Si,磷化镓GaP,磷铟砷化镓GaAsInP,锗Ge,砷As,磷砷化镓GaAsP,铝Al,砷铝化镓GaAlAs,铟In,氮N,磷化铝镓铟AlGaInP,镓Ga,磷P,氮化镓GaN,砷化镓GaAs
  • 封装方式
  • 塑料封装,玻璃封装,厚膜封装,金属外壳封装
二极管企业商机

二极管的反向性,外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。击穿,外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被长久破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。二极管的工作稳定性和可靠性受到制工艺和材料质量的影响。肇庆锗管二极管市场价格

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由于点接触型二极管金属丝很细,形成的PN结面积很小,所以极间电容很小,同时,也不能承受高的反向电压和大的电流。这种类型的管子适于做高频检波和脉冲数字电路里的开关元件,也可用来作小电流整流。如2APl是点接触型锗二极管,较大整流电流为16mA,较高工作频率为150MHz。面接触型二极管,面接触二极管是利用扩散、多用合金及外延等掺杂方法,实现P型半导体和N型半导体直接接触而形成PN结的。面接触二极管PN结的接触面积大,可以通过较大的电流,适用于大电流整流电路或在脉冲数字电路中作开关管。因其结电容相对较大,故只能在较低的频率下工作,在集成电路中可作电容用。如2CPl为面接触型硅二极管,较大整流电流为40OmA,较高工作频率只有3kHz。惠州快恢复二极管生产厂家二极管作为电子开关,具有快速响应和可靠性高的特点。

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变容二极管:变容二极管英文名称为Varactor Diodes,又称可变电抗二极管,是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大,变容二极管的电容量一般较小,其较大值为几十pF到几百pF,较大电容与较小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。变容二极管的外形与普通二极管相同,原理图的封装在K极会有两根竖线的标记。

稳压二极管和普通二极管结构区别,稳压二极管和普通二极管在结构上也有所不同。稳压二极管一般由三层不同类型的半导体材料组成,即P型半导体、N型半导体和Intrinsic型半导体。这种特殊结构使得稳压二极管在反向电压超过其工作电压时,能够迅速将反向电流增大,同时保持电压恒定。这种特性使得稳压二极管能够在电路中发挥稳定的电压支撑作用。而普通二极管则只有两层半导体材料,即P型半导体和N型半导体。这种简单结构使得普通二极管在正向电压下能够导通,而在反向电压下则截止。这种结构使得普通二极管在开关电路和整流电路中能够发挥良好的性能。逆向击穿时应避免超过较大额定反向电压,以免损坏器件。

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二极管反向区也分两个区域:当VBR<V<0时,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时,反向电流急剧增加,VBR称为反向击穿电压。在反向区,硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡,反向饱和电流也很小;锗二极管的反向击穿特性比较软,过渡比较圆滑,反向饱和电流较大。从击穿的机理上看,硅二极管若|VBR|≥7 V时,主要是雪崩击穿;若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿,当在4 V~7 V之间两种击穿都有,有可能获得零温度系数点。二极管还可以用于信号放大和频率变换等电路,提高电路的性能。惠州快恢复二极管生产厂家

二极管技术不断发展,涌现出多种类型和应用领域,为电子工程师提供更多选择。肇庆锗管二极管市场价格

在二极管被发现和使用的过程中,出现了两大类二极管,他们分别是:真空管二极管和半导体二极管,真空二极管的发明专业技术是我们熟悉的科学家爱迪生申请的,他发现单向导电的这个过程也是一个偶然发现,当时他主要在做关于灯泡灯丝延长寿命的实验。说到爱迪生大家应该都很清楚了,他在1879年的时候发明了电灯泡,这是一个伟大的发明,但是爱迪生也有一个小小的烦恼,就是使用一段时间之后灯泡就会很容易坏掉。这是什么缘故呢?原来是灯丝的材料不耐高温所引起的,为了解决这个问题,艾迪森和他的团队,想了很多办法,但是一直都没有解决。肇庆锗管二极管市场价格

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