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可控硅基本参数
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可控硅企业商机

4、 触发电压VGT 在规定的环境温度下,阳极---阴极间加有一定电压时,可控硅从关断状态转为导通状态所需要的**小控制极电流和电压。5、 维持电流IH 在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的**小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世,如适于高频应用的快速可控硅,可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅,可以用正触发信号使其导通,用负触发信号使其关断的可控硅等等可控硅有多种分类方法。(一)按关断、导通及控制方式分类:可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。。小功率塑封双向可控硅通常用作声光控灯光系统。额定电流:IA小于2A。上海挑选可控硅服务热线

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耐压级别的选择: 通常把VDRM(断态重复峰值电压)和 VR R M(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。 选用时,额定电压应为正常工作峰值电压的2~3倍,作为允许的操作过电压裕量。 [1]·电流的确定: 由于双向可控硅通常用在交流电路中,因此不用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小,因而一般家电中选用可控硅的电流值为实际工作电流值的2~3倍。 同时, 可控硅承受断态重复峰值电压VD R M 和反向重复峰值电压 V R R M 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM 和 IRRM。普陀区制造可控硅服务热线“一触即发”。但是,如果阳极或控制极外加的是反向电压,晶闸管就不能导通。

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安装过程中,螺丝刀决不能对器件塑料体施加任何力量;和接头片接触的散热器表面应处理,保证平坦,10mm上允许偏差0.02mm;安装力矩(带垫圈)应在0.55nm 和0.8nm 之间;应避免使用自攻丝螺钉,因为挤压可能导致安装孔周围的隆起,影响器件和散热器之间的热接触。安装力矩无法控制,也是这种安装方法的缺点;器件应首先机械固定,然后焊接引线。这可减少引线的不适当应力。IT(AV)--通态平均电流VRRM--反向反复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不反复浪涌电流VTM--通态峰值电压

设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2)) (1—1)硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化。当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。

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双向可控硅固定到散热器的主要方法有三种,夹子压接、螺栓固定和铆接。前二种方法的安装工具很容易取得。 很多场合下,铆接不是一种推荐的方法。 [1]夹子压接:是推荐的方法,热阻**小。夹子对器件的塑封施加压力。这同样适用于非绝缘封装(sot82 和sot78 ) 和绝缘封装( sot186 f-pack 和更新的sot186a x-pack)。注意,sot78 就是to220ab。螺栓固定:sot78 组件带有m3 成套安装零件,包括矩形垫圈,垫圈放在螺栓头和接头片之间。应该不对器件的塑料体施加任何力量。大功率可控硅多采用金属壳封装,而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。普陀区制造可控硅服务热线

使用时,不能超过手册给出的这个参数值。上海挑选可控硅服务热线

在应用可控硅时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。电压测方法可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。首先,可以把从阴极向上数的***、二、三层看面是一只NPN型号晶体管,而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。上海挑选可控硅服务热线

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