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优良的驱动电路对变换器性能的影响驱动电路1.提高系统可靠性2.提高变换效率(开关器件开关、导通损耗)3.减小开关器件应力(开/关过程中)4.降低EMI/EMC驱动电路为什么要采取隔离措施安规问题，驱动电路副边与主电路有耦合关系，而驱动原边是与控制电路连在一起， 主电路是一次电路，控制电路是ELV电路， 一次电路和ELV电路之间要做加强绝缘，实现绝缘要求一般就采取变压器光耦等隔离措施。驱动电路采取隔离措施的条件需要隔离控制参考地与驱动信号参考地（e极） 同—驱动电路无需隔离；无需隔离控制参考地与驱动信号参考地（e极）不同—驱动电路应隔离。保护措施：设计过流、过压、过热等保护电路，以确保系统的安全性和可靠性。嘉定区好的驱动电路现价

在需要使用比较多的led产品时，如果将所有的LED串联，将需要LED驱动器输出较高的电压：如果将所有的LED并联，则需要LED驱动器输出较大的电流。将所有的LED串联或并联，不但限制着LED的严使用量，而且并联LED负载电流较大，驱动器的成本也会增加，解决办法是采用混联方式。串、并联的LED数量平均分配，这样，分配在一个LED串联支路上的电压相同，同一个串联支路中每个LED上的电流也基本相同，亮度一致，同时通过每个串联支路的电流也相近。 [1]嘉定区好的驱动电路现价MOSFET驱动：MOSFET常用于中小功率数字电源，其驱动电压范围一般在-10~20V之间。

表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在IGBT导通后。栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度，使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VGE越高，VDS值就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允许超过20 V，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，IGBT损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V为宜。

驱动电路隔离技术一般使用光电耦合器或隔离变压器（光耦合；磁耦合）。 [1]由于 MOSFET 的工作频率及输入阻抗高，容易**扰，故驱动电路应具有良好的电气隔离性能，以实现主电路与控制电路之间的隔离，使之具有较强的抗干扰能力，避免功率级电路对控制信号的干扰。光耦隔离驱动可分为电磁隔离与光电隔离。采用脉冲变压器实现电路的电磁隔离，是一种电路简单可靠，又具有电气隔离作用的电路，但其对脉冲的宽度有较大限制，若脉冲过宽，磁饱和效应可能使一次绕组的电流突然增大，甚至使其烧毁，而若脉冲过窄，为驱动栅极关断所存储的能量可能不够。通过控制电机的电流和电压，可以实现电机的转动、速度控制、方向控制等。

3.关断瞬时：足够、反向基极电流—迅速抽出基区剩余载流子，减小 ；反偏截止电压，使ic迅速下降，减小 。恒流驱动电路恒定电路即基极电流恒定，功率管饱和导通。恒流驱动优点：优点： 电路简单；普通恒流驱动电路恒流驱动缺点：轻载时深度饱和，关断时间长。驱动电路的实质是给栅极电容充放电。 [2]开通：1.驱动电压足够高，一般>10V；（减小RDS(on))2.足够的瞬态驱动电流，快的上升沿； （加速开通）3.驱动电路内阻抗小。 （加速开通）关断：1. 足够的瞬态驱动电流，快的下降沿； （加速关断）2. 驱动电路内阻抗小。 （加速关断）3. 驱动加负压。 （防止误导通）直接接地驱动：功率器件的接地端电位恒定，常用的有推挽驱动以及图腾柱驱动等。闵行区质量驱动电路量大从优

驱动集成芯片：在数字电源中应用，许多驱动芯片自带保护和隔离功能。嘉定区好的驱动电路现价

驱动，计算机软件术语，是指驱使计算机里硬件动作的软件程序。驱动程序全称设备驱动程序，是添加到操作系统中的特殊程序，其中包含有关硬件设备的信息。此信息能够使计算机与相应的设备进行通信。驱动程序是硬件厂商根据操作系统编写的配置文件，可以说没有驱动程序，计算机中的硬件就无法工作。驱动程序全称设备驱动程序，是添加到操作系统中的特殊程序，其中包含有关硬件设备的信息。此信息能够使计算机与相应的设备进行通信。驱动程序是硬件厂商根据操作系统编写的配置文件，可以说没有驱动程序，计算机中的硬件就无法工作。操作系统不同，硬件的驱动程序也不同，各个硬件厂商为了保证硬件的兼容性及增强硬件的功能会不断地升级驱动程序。嘉定区好的驱动电路现价

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