MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器,可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源,此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。●分布式电源架构●汽车电源●高密度●电信系统●欠压闭锁功能●自适应贯通保护功能●自举电源电压至 114V●1.4A 峰值顶端栅极上拉电流●1.75A 峰值底端栅极上拉电流●耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装IGBT驱动:IGBT常被用于中大功率数字电源开发,其驱动电压范围为-15~15V。奉贤区推广驱动电路设计
led驱动电路是一种用于可控硅调光器的电路,分为两类AC/ DC转换和DC/ DC转换两类,又根据驱动原理的不同,可以分为线性驱动电路和开关驱动电路。LED在具体的使用时,要注意驱动电路的选用。LED 驱动电路除了要满足安全要求外,另外的基本功能应有两个方面:根据能量来源的不同,LED驱动电路总体上可分为两类,一是AC/ DC转换,能量来自交流电,二是DC/ DC转换,能量来自干电池、可充电电池、蓄电池等。根据LED驱动原理的不同,又可以分为线性驱动电路和开关驱动电路。上海特点驱动电路设计电机控制:驱动电路可以用来控制各种类型的电机,例如步进电机、直流电机、交流电机等。
Windows怎样知道安装的是什么设备,以及要拷贝哪些文件。答案在于.inf文件。.inf是从Windows 95时***始引入的一种描述设备安装信息的文件,它用特定语法的文字来说明要安装的设备类型、生产厂商、型号、要拷贝的文件、拷贝到的目标路径,以及要添加到注册表中的信息。通过读取和解释这些文字,Windows便知道应该如何安装驱动程序。几乎所有硬件厂商提供的用于Windows 9x下的驱动程序都带有安装信息文件。事实上,.inf文件不仅可用于安装驱动程序,还能用来安装与硬件并没有什么关系的软件,例如Windows 98支持“Windows更新”功能,更新时下载的系统部件就是利用.inf文件来说明如何安装该部件的。
由于门极的测量电压太低(VGE=0V )而不是门极的门槛电压,在实际开关中存在的米勒效应(Miller 效应)在测量中也没有被包括在内,在实际使用中的门极电容Cin值要比IGBT 数据手册中给出的电容Cies 值大很多。因此,在IGBT数据手册中给出的电容Cies值在实际应用中**只能作为一个参考值使用。确定IGBT 的门极电荷对于设计一个驱动器来说,**重要的参数是门极电荷QG(门极电压差时的IGBT 门极总电荷),如果在IGBT 数据手册中能够找到这个参数,那么我们就可以运用公式计算出:门极驱动能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]驱动电路在现代电子技术中发挥着重要的作用,是实现各种功能和提升电子器件性能和效率的关键。
IGBT 的开关特性主要取决于IGBT的门极电荷及内部和外部的电阻。图1是IGBT 门极电容分布示意图,其中CGE 是栅极-发射极电容、CCE 是集电极-发射极电容、CGC 是栅极-集电极电容或称米勒电容(Miller Capacitor)。门极输入电容Cies 由CGE 和CGC 来表示,它是计算IGBT 驱动器电路所需输出功率的关键参数。该电容几乎不受温度影响,但与IGBT集电极-发射极电压VCE 的电压有密切联系。在IGBT数据手册中给出的电容Cies 的值,在实际电路应用中不是一个特别有用的参数,因为它是通过电桥测得的,在测量电路中,加在集电极上C 的电压一般只有25V(有些厂家为10V),在这种测量条件下,所测得的结电容要比VCE=600V 时要大一些(如图2)。传感器驱动:驱动电路可以将传感器检测到的物理量转换为电信号,例如温度传感器、压力传感器等。奉贤区推广驱动电路设计
驱动电路是用于控制和驱动其他电路或设备的电路。奉贤区推广驱动电路设计
推挽驱动是两不同极性晶体管输出电路无输出变压器(有OTL、OCL等)。是两个参数相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小效率高。推挽输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。如果输出级的有两个三极管,始终处于一个导通、一个截止的状态,也就是两个三级管推挽相连,这样的电路结构称为推拉式电路或图腾柱(Totem- pole)输出电路。当输出低电平时,也就是下级负载门输入低电平时,输出端的电流将是下级门灌入T4;当输出高电平时,也就是下级负载门输入高电平时,输出端的电流将是下级门从本级电源经 T3、D1 拉出。奉贤区推广驱动电路设计
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