LVDT 的测量范围具有很强的灵活性，可以根据不同的应用需求进行定制。小型 LVDT 的测量范围通常在几毫米以内，这类传感器适用于精密仪器和微机电系统（MEMS）等对空间尺寸要求严格、测量精度要求极高的领域。例如，在微流控芯片的制造过程中，需要精确控制微管道的尺寸和形状，小型 LVDT 可以实现对微小位移的精确测量，保障芯片的制造精度。而大型 LVDT 的测量范围可以达到几十毫米甚至上百毫米，常用于工业自动化、机械制造等领域，如在重型机械的装配过程中，需要测量大型零部件的位移和位置，大型 LVDT 能够满足这种大尺寸测量的需求。在设计 LVDT 时，需要根据实际测量范围的要求，合理选择线圈的匝数、铁芯的长度和尺寸等参数，以确保传感器在整个测量范围内都能保持良好的线性度和精度，同时还要兼顾传感器的安装空间和使用环境等因素，使其能够更好地适应不同的工作场景。低噪声LVDT适用于对信号要求高的场景。北京通用LVDT
LVDT 与传统的接触式位移传感器相比，具有明显的优势。接触式位移传感器，如电位器式传感器，在测量过程中存在机械接触，容易产生磨损，导致测量精度下降和使用寿命缩短。而 LVDT 采用非接触式测量，不存在机械磨损问题，具有无限的机械寿命，能够长期保持稳定的测量性能。此外，LVDT 的输出信号为电信号，便于与电子系统集成，实现自动化测量和控制；而接触式传感器的信号输出往往需要复杂的转换电路。因此，在对精度和可靠性要求较高的场合，LVDT 逐渐取代了传统的接触式位移传感器。河北LVDT试验设备紧凑设计的LVDT便于设备集成安装。
在提高 LVDT 性能方面，新材料的应用是一个重要的研究方向。例如，采用新型的软磁材料，如纳米晶合金、非晶合金等，具有更高的磁导率、更低的矫顽力和损耗，能够提高 LVDT 的灵敏度和线性度。在绝缘材料方面，使用高性能的绝缘材料可以提高线圈的绝缘性能，降低漏电流，提高传感器的稳定性和可靠性。此外，新型的封装材料和工艺也可以提高 LVDT 的防护性能，使其能够适应更恶劣的工作环境，如高温、高压、潮湿、腐蚀等环境。LVDT 的发展趋势之一是向小型化、微型化方向发展。随着微机电系统（MEMS）技术的不断进步，LVDT 的尺寸可以做得越来越小，以满足微型仪器、便携式设备和生物医学等领域对微型传感器的需求。微型 LVDT 不仅具有体积小、重量轻的优点，还能够实现更高的集成度，与其他微电路元件集成在一起，形成微型传感器系统。这将进一步拓展 LVDT 的应用领域，提高其在微型化设备中的适用性和竞争力。
在汽车工业中，LVDT 广泛应用于汽车动力系统和底盘控制系统，对提升汽车的性能和安全性起着关键作用。在发动机管理系统中，LVDT 可以精确测量节气门位置、活塞位移等参数，这些数据为发动机的燃油喷射和点火控制提供了准确的依据。通过精确控制燃油喷射量和点火时间，能够提高发动机的燃油经济性，降低尾气排放，同时提升发动机的动力性能，使汽车在各种工况下都能保持良好的运行状态。在底盘控制系统中，LVDT 用于测量悬挂系统的位移、转向角度等，实现车辆的稳定控制和舒适性提升。例如，在车辆高速行驶或急转弯时，LVDT 实时监测悬挂系统的位移变化，控制系统根据信号调整悬挂的阻尼和刚度，确保车辆的稳定性和操控性，提高行车安全和乘坐舒适性，满足汽车工业对传感器性能的严格要求。LVDT助力实验设备实现精确位置调节。
与现代通信技术融合成为 LVDT 发展方向，集成蓝牙、Wi-Fi、以太网等通信模块后，可实现无线或有线通信。通过网络，LVDT 能将测量数据实时传输至云端或监控中心，支持远程监测分析；用户也可远程配置控制，提升设备智能化管理水平，在智能工厂等领域发挥更大作用。LVDT 的多参数测量技术成为研究热点，通过改进结构和信号处理方法，可实现力、压力、温度等物理量测量。结合弹性元件可间接测量力或压力，利用温度特性可实现温度测量，拓展应用范围，提高传感器实用性和性价比。新材料应用助力提升 LVDT 性能，新型软磁材料如纳米晶合金、非晶合金，具有更高磁导率、更低矫顽力和损耗，可提高传感器灵敏度和线性度；高性能绝缘材料增强线圈绝缘性能，降低漏电流；新型封装材料和工艺提升防护性能，使其适应高温、高压、腐蚀等恶劣环境。LVDT在电子制造中用于元件位置定位。北京LVDTLVDT传感器
灵敏LVDT迅速感知细微位移波动。北京通用LVDT
LVDT 的初级线圈是能量输入的关键部分，它的设计直接影响传感器的性能。一般采用高磁导率的磁性材料作为线圈骨架，以增强磁场的耦合效率。线圈的匝数、线径和绕制方式也经过精心计算和设计，确保在施加特定频率（通常为 2kHz - 20kHz）的交流激励时，能够产生稳定且均匀的交变磁场。合理的初级线圈设计，不仅能提高传感器的灵敏度，还能降低能耗，减少发热，保证 LVDT 在长时间工作过程中的稳定性和可靠性。次级线圈在 LVDT 中承担着将磁信号转换为电信号的重要角色。两个次级线圈对称分布于初级线圈两侧，并且反向串联。当铁芯处于中间位置时，两个次级线圈感应的电动势大小相等，方向相反，输出电压为零；随着铁芯的位移，两个次级线圈的感应电动势产生差异，输出电压随之变化。次级线圈的匝数、绕制工艺以及屏蔽措施都会影响传感器的线性度和抗干扰能力。优化次级线圈的设计，能够有效提高 LVDT 的测量精度和分辨率，使其更好地满足不同应用场景的需求。北京通用LVDT
