通过W1微调电位器可整定过流电平。当三相交流输入缺相时，本控制板均能对电源实现保护和指示。其原理是：由4#、6#、2#晶闸管的阴极（K）分别取A、B、C三相电压信号（通过门极引线），经过光电耦合器的隔离送到IC6进行检测和判别，一旦出现“缺相”故障时，除了整流触发脉冲外，还驱动“”LED指示灯以及报警继电器。为了使控制电路能够更可靠准确的运行，控制电路上还设置了启动定时器和控制电源欠压检测保护。在开机的瞬间，控制电路的工作是不稳定的，设置一个3秒钟左右的定时器，待定时过后，才容许输出触发脉冲。这部分电路由IC2B等元件构成。若由于某种原因造成控制板上直流供电电压过低，稳压器不能稳压，亦会使控制出错。设置一个欠压检测电路（由IC2A等组成），当电压低于整流触发脉冲，防止不正确的触发，同时点亮“”LED批示灯和驱动报警继电器。自动重复起动电路在IC8内部。微动开关DIP-1用于关闭自动重复起动电路。Q2组成中频过电压检测，输入到IC6的29P，整流触发脉冲；驱动“”LED指示灯亮和驱动报警继电器；同时使过压保护振荡器起振。过电压保护动作后，也像过流保护一样，只有通过复位信号或通过关机后再开机进行“上电复位”，方可再次运行。正高电气不断从事技术革新，改进生产工艺，提高技术水平。聊城MTDC250晶闸管智能模块生产厂家
晶闸管智能模块的输出特性
模块的控制电压与控制角α的关系因负载性质和电路形式的不同而有所区别：
单相交流调压模块用于阻性负载时，α有效范围为0°～ 180°，控制电压对应0.5V～9.5V。
单相整流调压模块用于阻性负载时，α有效范围为0°～180°，控制电压对应0.5V～9.5V；感性负载时α范围为0°～90°，控制电压对应于5V～9.5V。
三相全控整流调压模块用于阻性负载时，α有效范围为0°～120°，控制电压对应2V～8V；感性负载时α范围为0°～90°，控制电压对应于3.5V～8V。
三相半控整流调压模块用于阻性负载时，α有效范围为0°～180°，控制电压对应0.5V～9.5V。
三相全控交流调压模块用于阻性负载时，α有效范围为0°～150°，控制电压对应1.5V～9V。
三相半控交流调压模块用于阻性负载时，α有效范围为0°～210°，控制电压对应0.5V～9.5V。
三相整流充放电模块逆变放电时，α有效范围为90°～180°，控制电压对应0.5V～5V；整流充电时，α有效范围为0°～90°，控制电压对应5V～9.5V。
注：交流调压模块用于感性负载时α应大于负载阻抗角Ψ，即α≥Ψ；当α≤Ψ时，模块已输出较大电压，且不再随α的改变而变化。 MTAC600晶闸管智能模块配件正高电气具备雄厚的实力和丰富的实践经验。
电压很容易对晶闸管模块造成损坏，那么，我们就要了解过电压保护，保护晶闸管模块，不让其受过电压损坏。要保护晶闸管，就要知道过电压是怎么产生的？从而去避免。以下是为大家列举的详细情况：晶闸管模块对过电压很敏感，当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通，引发电路故障；当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时，晶闸管模块就会立即损坏。因此，必须研究过电压的产生原因及过电压的方法。过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化，使得系统来不及转换，或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰，对晶闸管模块是很危险的。由开关的开闭引起的冲击电压又分为如下两类：（1）交流电源接通、断开产生的过电压例如，交流开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压，这些过电压由于变压器绕组的分布电容、漏抗造成的谐振回路、电容分压等使过电压数值为正常值的2至10多倍。一般地，开闭速度越快过电压越高。
满足晶闸管模块工作的必要条件
晶闸管模块使用中一定要具有以下条件：
（1）+12V直流电源：模块内部控制电路的工作电源。
①输出电压要求：+12V电源：12±0.5V ，纹波电压小于20mv 。
②输出电流要求：标称电流小于500安培产品：I+12V＞0.5A，标称电流大于500安培产品：I+12V＞ 1A。
（2）控制信号： 0～10V或4～20mA控制信号，用于对输出电压大小进行调整的控制信号，正极接CON10V或CON20mA，负极接GND1。
（3）供电电源和负载：供电电源一般为电网电源，电压460V以下的或者供电变压器，接模块的输入端子；负载为用电器，接模块的输出端子。 正高电气交通便利，地理位置优越。
限流作用的强弱调节使静止的。无接触的。非机械式的，这就为微电子技术打开了大门。所以，在工作原理上磁控软起动和晶闸管软起动是完全相同的。说磁饱和软起动能实现软停止，能够具有晶闸管软起动所具有的几乎全部功能，其原因概出于此。高压磁饱和电抗器在原理和结构上与低压（380V）磁饱和电抗器没有本质的区别，只是在某些方面需要采取一些特殊的处理罢了。磁饱和电抗器具有，这使磁控软起动的快速性比晶闸管慢一个数量级。对于电动机系统的大惯性来说，磁控软起动的惯性是不足为虑的。有人说磁控软起动不产生高次谐波，这是错误的。只要饱和。就一定会有非线性，就一定会引起高次谐波，只是磁饱和电抗器产生的高次谐波会比工作于斩波状态的晶闸管要小一些。磁控软起动装置需要有相对较大功率的辅助电源，噪声较大则是其不足之处。三、晶闸管软起动晶闸管软起动产品的问世是当今电力电子器件长足进步的结果。在很多年以前电气工程界就有人指出，晶闸管软起动将引发软起动行业的一场**。晶闸管软启动器主要性能优于液阻软起动。与液阻软起动相比，它体积小，结构紧凑，维护量小，功能齐全，菜单丰富，起动重复性好，保护周全，这些都是液阻软起动难以望其项背的。正高电气以顾客为本，诚信服务为经营理念。济南MTAC300晶闸管智能模块报价
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[1]单结管即单结晶体管，又称为双基极二极管，是一种具有一个PN结和两个欧姆电极的负阻半导体器件。常见的有陶瓷封装和金属壳封装的单结晶体管。[2]单结晶体管可分为N型基极单结管和P型基极单结管两大类。单结晶体管的文字符号为“VT”，图形符号如图所示。[3]单结晶体管的主要参数有：①分压比η，指单结晶体管发射极E至基极B1间的电压（不包括PN结管压降）在两基极间电压中所占的比例。②峰点电压UP，是指单结晶体管刚开始导通时的发射极E与基极B1的电压，其所对应的发射极电流叫做峰点电流IP。③谷点电压UV，是指单结晶体管由负阻区开始进入饱和区时的发射极E与基极B1间的电压，其所对应的发射极电流叫做谷点电流IV。[4]单结晶体管共有三个管脚，分别是：发射极E、基极B1和第二基极B2。图示为两种典型单结晶体管的管脚电极。[5]单结晶体管**重要的特性是具有负阻性，其基本工作原理如图示（以N基极单结管为例）。当发射极电压UE大于峰点电压UP时，PN结处于正向偏置，单结管导通。随着发射极电流IE的增加，大量空穴从发射极注入硅晶体，导致发射极与基极间的电阻急剧减小，其间的电位也就减小，呈现出负阻特性。[6]检测单结晶体管时，万用表置于“R×1k”挡。聊城MTDC250晶闸管智能模块生产厂家
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