电容与直流偏置电压的关系:***类型电介质电容器的电容与DC偏置电压无关。第二类型电介质电容器的电容随DC偏压而变化,陶瓷电容器允许负载的交流电压与电流和频率的关系主要受电容器ESR的影响;相对来说,C0G的ESR比较低,所以可以承受比较大的电流,对应的允许施加的交流电压也比较大;X7R、X5R、Y5V、Z5U的ESR比较大,可以承受C0G以下。同时由于电容远大于C0G,所以施加的电压会比C0G小很多。1类介质电容器允许电压、电流和频率的解释当负载频率较低时,即使负载的交流电压为额定交流电压,当流经电容器的电流低于额定电流时,允许电容器负载额定交流电压,即平坦部分;钽电容应用:通讯、航天、工业控制、影视设备、通讯仪表 。北京片式多层陶瓷电容器批发
频率特性:电参量随电场频率一起变化的。高频率工作的电容,其介电常数比低频率时小,因此高频电流比低频率时低。频率越高,损耗也越大。此外,在高频率工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、导线与极片之间的电阻等,都会对电容的性能产生影响。这一切,使电容器的使用频率受到限制。绝缘电阻:表示漏电流大小。通常,容量较小的电容,绝缘电阻可达数百兆欧姆或数千兆欧姆。电解电容一般是绝缘电阻小。相对来说,绝缘电阻越大,漏电流越小。深圳温度补偿型电容多少钱电容作为基本元器件之一,实际生产的电容都不是理想的,会有寄生电感,等效串联电阻存在。
MLCC的主要材料和重要技术及LCC的优点:1、材料技术(陶瓷粉料的制备)现在MLCC用陶瓷粉料主要分为三大类(Y5V、X7R和COG)。其中X7R材料是各国竞争较激烈的规格,也是市场需求、电子整机用量较大的品种之一,其制造原理是基于纳米级的钛酸钡陶瓷料(BaTiO3)改性。日本厂家(如村田muRata)根据大容量(10μF以上)的需求,在D50为100纳米的湿法BaTiO3基础上添加稀土金属氧化物改性,制造成高可靠性的X7R陶瓷粉料,较终制作出10μF-100μF小尺寸(如0402、0201等)MLCC。国内厂家则在D50为300-500纳米的BaTiO3基础上添加稀土金属氧化物改性制作X7R陶瓷粉料,跟国外先进粉体技术还有一段差距。
无极性电容体积小,价格低,高频特性好,但它不适合做大容量。像瓷片电容、独石电容、聚乙烯(CBB)电容等都是,瓷片电容一般用在高频滤波、震荡电路中比较多。磁介电容是以陶瓷材料为介子,并在表面烧上银层作为电极的电容器。磁介电容器性能稳定。损耗,漏电都很小,适合于高频高压电路中应用。一般而言,电容两极间的绝缘材料,介电常数大的(如铁电陶瓷,电解液)适合于制作大容量小体积的电容,但损耗也大。介电常数小的(如陶瓷)损耗小,适合于高频应用。贴片陶瓷电容较主要的失效模式断裂(封装越大越容易失效)。
为了满足电子整机不断向小型化、大容量化、高可靠性和低成本的方向发展。MLCC也随之迅速向前发展:种类不断增加,体积不断缩小,性能不断提高,技术不断进步,材料不断更新,轻薄短小系列产品已趋向于标准化和通用化。其应用逐步由消费类设备向投资类设备渗透和发展。移动通信设备更是大量采用片式元件。随着世界电子信息产业的迅速发展,MLCC的发展方向呈现多元化:1、为了适应便携式通信工具的需求,片式多层电容器也正在向低压大容量、超小超薄的方向发展。2、为了适应某些电子整机和电子设备向大功率高耐压的方向发展(通信设备居多),高耐压大电流、大功率、超高Q值低ESR型的中高压片式电容器也是目前的一个重要的发展方向。3、为了适应线路高度集成化的要求,多功能复合片式电容器(LTCC)正成为技术研究热点。想使电容容量大,有三种方法: ①使用介电常数高的介质 ②增大极板间的面积 ③减小极板间的距离。中国台湾MLCC电容厂家
MLCC即多层陶瓷电容器,也可简称为片式电容器、积层电容、叠层电容等,属于陶瓷电容器的一种。北京片式多层陶瓷电容器批发
一般来说,它是一个去耦电容。或者数字电路通断时,对电源影响很大,造成电源波动,需要用电容去耦。通常,容量是芯片开关频率的倒数。如果频率为1MHz,选择1/1M,即1uF。你可以拿一个大一点的。比较好有芯片和去耦电容,电源处应该有,用的量还是蛮大的。在一般设计中,提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF进行电源去耦。在实际应用中如何选择它们?根据不同的功率输出或后续电路?通常并联两个电容就够了,但在某些电路中并联更多的电容可能会更好。不同电容值的电容器并联可以在很宽的频率范围内保证较低的交流阻抗。在运算放大器的电源抑制(PSR)能力下降的频率范围内,电源旁路尤为重要。电容可以补偿放大器PSR的下降。在很宽的频率范围内,这种低阻路径可以保证噪声不进入芯片。北京片式多层陶瓷电容器批发