企业商机
驱动电路基本参数
  • 品牌
  • 祥盛芯城
  • 型号
  • 齐全
驱动电路企业商机

推挽驱动是两不同极性晶体管输出电路无输出变压器(有OTL、OCL等)。是两个参数相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小效率高。推挽输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。如果输出级的有两个三极管,始终处于一个导通、一个截止的状态,也就是两个三级管推挽相连,这样的电路结构称为推拉式电路或图腾柱(Totem- pole)输出电路。当输出低电平时,也就是下级负载门输入低电平时,输出端的电流将是下级门灌入T4;当输出高电平时,也就是下级负载门输入高电平时,输出端的电流将是下级门从本级电源经 T3、D1 拉出。以MOS管为例,当栅极电压达到一定的阈值时,MOS管会导通;杨浦区好的驱动电路生产企业

杨浦区好的驱动电路生产企业,驱动电路

IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。IGBT驱动电路是驱动IGBT模块以能让其正常工作,并同时对其进行保护的电路。绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在***的电力电子领域中已经得到广泛的应用,在实际使用中除IGBT自身外,IGBT 驱动器的作用对整个换流系统来说同样至关重要。驱动器的选择及输出功率的计算决定了换流系统的可靠性。驱动器功率不足或选择错误可能会直接导致 IGBT 和驱动器损坏。以下总结了一些关于IGBT驱动器输出性能的计算方法以供选型时参考。金山区特点驱动电路生产企业驱动电路的设计通常需要考虑负载的电流、电压要求,以及控制信号的特性。

杨浦区好的驱动电路生产企业,驱动电路

-- 适用于Cies 的测试条件为 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT当为各个应用选择IGBT驱动器时,必须考虑下列细节:· 驱动器必须能够提供所需的门极平均电流IoutAV 及门极驱动功率PG。驱动器的比较大平均输出电流必须大于计算值。· 驱动器的输出峰值电流IoutPEAK 必须大于等于计算得到的比较大峰值电流。· 驱动器的比较大输出门极电容量必须能够提供所需的门极电荷以对IGBT 的门极充放电。在POWER-SEM 驱动器的数据表中,给出了每脉冲的比较大输出电荷,该值在选择驱动器时必须要考虑。

IGBT 的开关特性主要取决于IGBT的门极电荷及内部和外部的电阻。图1是IGBT 门极电容分布示意图,其中CGE 是栅极-发射极电容、CCE 是集电极-发射极电容、CGC 是栅极-集电极电容或称米勒电容(Miller Capacitor)。门极输入电容Cies 由CGE 和CGC 来表示,它是计算IGBT 驱动器电路所需输出功率的关键参数。该电容几乎不受温度影响,但与IGBT集电极-发射极电压VCE 的电压有密切联系。在IGBT数据手册中给出的电容Cies 的值,在实际电路应用中不是一个特别有用的参数,因为它是通过电桥测得的,在测量电路中,加在集电极上C 的电压一般只有25V(有些厂家为10V),在这种测量条件下,所测得的结电容要比VCE=600V 时要大一些(如图2)。集成驱动芯片:一些集成电路(IC)可以简化驱动电路的设计,例如用于电机驱动的H桥驱动IC。

杨浦区好的驱动电路生产企业,驱动电路

LED驱动电路:专门设计用于驱动LED,通常包括恒流源电路,以确保LED在安全的电流范围内工作。电机驱动电路:包括直流电机驱动电路、步进电机驱动电路和伺服电机驱动电路,通常需要控制电机的转速和方向。集成驱动芯片:一些**集成电路(IC)可以简化驱动电路的设计,例如用于电机驱动的H桥驱动IC。在设计驱动电路时,需要考虑以下几个方面:负载特性:了解负载的电流、电压和功率要求。控制信号:确定控制信号的类型(如PWM信号、数字信号等)。电机驱动电路:直流电机驱动电路、步进电机驱动电路和伺服电机驱动电路,通常需要控制电机的转速和方向。金山区国产驱动电路服务热线

根据具体的应用场景和需求,还有推挽驱动、隔离驱动、加速关断驱动等多种设计方案。杨浦区好的驱动电路生产企业

由于门极的测量电压太低(VGE=0V )而不是门极的门槛电压,在实际开关中存在的米勒效应(Miller 效应)在测量中也没有被包括在内,在实际使用中的门极电容Cin值要比IGBT 数据手册中给出的电容Cies 值大很多。因此,在IGBT数据手册中给出的电容Cies值在实际应用中**只能作为一个参考值使用。确定IGBT 的门极电荷对于设计一个驱动器来说,**重要的参数是门极电荷QG(门极电压差时的IGBT 门极总电荷),如果在IGBT 数据手册中能够找到这个参数,那么我们就可以运用公式计算出:门极驱动能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]杨浦区好的驱动电路生产企业

祥盛芯城(上海)半导体有限公司是一家有着先进的发展理念,先进的管理经验,在发展过程中不断完善自己,要求自己,不断创新,时刻准备着迎接更多挑战的活力公司,在上海市等地区的电子元器件中汇聚了大量的人脉以及**,在业界也收获了很多良好的评价,这些都源自于自身的努力和大家共同进步的结果,这些评价对我们而言是比较好的前进动力,也促使我们在以后的道路上保持奋发图强、一往无前的进取创新精神,努力把公司发展战略推向一个新高度,在全体员工共同努力之下,全力拼搏将共同祥盛芯城供应和您一起携手走向更好的未来,创造更有价值的产品,我们将以更好的状态,更认真的态度,更饱满的精力去创造,去拼搏,去努力,让我们一起更好更快的成长!

与驱动电路相关的产品
与驱动电路相关的**
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责