金山区特点驱动电路生产企业

IGBT 的开关特性主要取决于IGBT的门极电荷及内部和外部的电阻。图1是IGBT 门极电容分布示意图，其中CGE 是栅极-发射极电容、CCE 是集电极-发射极电容、CGC 是栅极-集电极电容或称米勒电容（Miller Capacitor）。门极输入电容Cies 由CGE 和CGC 来表示，它是计算IGBT 驱动器电路所需输出功率的关键参数。该电容几乎不受温度影响，但与IGBT集电极-发射极电压VCE 的电压有密切联系。在IGBT数据手册中给出的电容Cies 的值，在实际电路应用中不是一个特别有用的参数，因为它是通过电桥测得的，在测量电路中，加在集电极上C 的电压一般只有25V(有些厂家为10V)，在这种测量条件下，所测得的结电容要比VCE=600V 时要大一些(如图2)。驱动电路的主要作用是将控制电路产生的微弱信号放大，以驱动功率开关器件的开断。金山区特点驱动电路生产企业

一、驱动电路概述驱动电路是位于主电路和控制电路之间，用来对控制电路的信号进行放大的中间电路，即将控制电路输出的信号放大到足以驱动功率晶体管的程度，实现开关功率放大作用。它是电子设备和系统中至关重要的组成部分，广泛应用于计算机、通信设备、电视、汽车、机器人等领域。二、驱动电路的作用功率放大：驱动电路的主要作用是将控制电路产生的微弱信号放大，以驱动功率开关器件的开断。提高系统可靠性：优良的驱动电路能够减少器件的开关损耗，提高能量转换效率，并降低电磁干扰（EMI/EMC）。浦东新区挑选驱动电路设计IGBT的驱动电路一般采用驱动芯片，如东芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飞凌的EiceDRIVER系列等。

文中设计的电路利用RC充放电电路来实现这一功能。图2是一种利用普通的脉宽调制PWM芯片结合外围电路来搭建可控硅调光的LED驱动电路框图。维持电流补偿电路通过检测R1端电压(即输入电流)来控制流过维持电流补偿电路的电流。当输入电流较小时，维持电流补偿电路上流过较大的电流;当输入电流较大时，维持电流补偿电路关断，维持电流补偿以恒流源的形式保证可控硅的维持电流。调光控制电路包括比较器、RC充放电电路和增益电路。实验中选用一款旋钮行程和斩波角成正比的可控硅调光器，其**小导通角约为30°。

光电隔 离，是利用光耦合器将控制信号回路和驱动回路隔离开。该驱动电路输出阻抗较小，解决了栅极驱动源低阻抗的问题，但由于光耦合器响应速度较慢，因而其开关延迟时间较长，限制了适应频率。典型光耦内部电路图光耦指的是可隔离交流或直流信号KCB EA。1.由IF控制Ic；电流传输比CTR-Current Transfer Ratio2.输入输出特性与普通三极管相似,电流传输比Ic/IF比三极管“β ”小;3.可在线性区， 也可在开关状态。 驱动电路中， 一般工作在开关状态。LED驱动电路：专门设计用于驱动LED，通常包括恒流源电路，以确保LED在安全的电流范围内工作。

表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在IGBT导通后。栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度，使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VGE越高，VDS值就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允许超过20 V，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，IGBT损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V为宜。传感器检测到的物理量（如温度、压力等）可以通过驱动电路转换为电信号，以便进行后续处理和分析。金山区本地驱动电路专卖店

非隔离驱动电路：不具有电气隔离结构，多采用电阻、二极管、三极管或非隔离型驱动芯片。金山区特点驱动电路生产企业

IGBT驱动：IGBT常被用于中大功率数字电源开发，其驱动电压范围为-15~15V。IGBT驱动电路分为正压驱动和负压驱动，负压关断可以避免误导通风险，加快关断速度，减小关断损耗。IGBT的驱动电路一般采用**的驱动芯片，如东芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飞凌的EiceDRIVER系列等。五、驱动电路的应用显示控制：驱动电路可以将数字信号转换为模拟信号，以控制液晶显示屏、LED显示屏等显示设备；也可以将模拟信号转换为数字信号，以控制数码管等显示设备。金山区特点驱动电路生产企业

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