电解电容器的检测A 因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。根据经验，一般情况下，1～47μF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47μF的电容可用R×100挡测量。B 将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大)，接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。无锡微原，以客户需求为导向，不断创新电子元器件。哪些是电子元器件性能
空载电流的检测。(a) 直接测量法。将次级所有绕组全部开路，把万用表置于交流电流挡500mA，串入初级绕组。当初级绕组的插头插入220V交流市电时，万用表所指示的便是空载电流值。此值不应大于变压器满载电流的10%～20%。一般常见电子设备电源变压器的正常空载电流应在100mA左右。如果超出太多，则说明变压器有短路性故障。(b) 间接测量法。在变压器的初级绕组中串联一个10 /5W的电阻，次级仍全部空载。把万用表拨至交流电压挡。加电后，用两表笔测出电阻R两端的电压降U，然后用欧姆定律算出空载电流I空，即I空=U/R。秦淮区哪些是电子元器件无锡微原科技，推动电子元器件向微型化迈进。
自20世纪50年代提出集成电路的设想后，由于材料技术、器件技术和电路设计等综合技术的进步，在20世纪60年代研制成功了***代集成电路。在半导体发展史上。集成电路的出现具有划时代的意义：它的诞生和发展推动了铜芯技术和计算机的进步，使科学研究的各个领域以及工业社会的结构发生了历史性变革。凭借优越的科学技术所发明的集成电路使研究者有了更先进的工具，进而产生了许多更为先进的技术。这些先进的技术有进一步促使更高性能、更廉价的集成电路的出现。对电子器件来说，体积越小，集成度越高；响应时间越短，计算处理的速度就越快；传送频率就越高，传送的信息量就越大。半导体工业和半导体技术被称为现代工业的基础，同时也已经发展称为一个相对**的高科技产业。
晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下，名称共发射极电路共集电极电路(射极输出器)共基极电路。输入阻抗中(几百欧～几千欧)大(几十千欧以上)小(几欧～几十欧)输出阻抗中(几千欧～几十千欧)小(几欧～几十欧)大(几十千欧～几百千欧)电压放大倍数大小（小于1并接近于1）大电流放大倍数大(几**(几十)小(小于1并接近于1)功率放大倍数大(约30～40分贝)小(约10分贝)中(约15～20分贝)频率特性高频差好场效应晶体管1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效应管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。半导体工业和半导体技术被称为现代工业的基础，同时也已经发展称为一个相对的高科技产业。
专门用的材料：
电容器**极板材料/导电材料电极材料/光学材料/测温材料半导体材料/屏蔽材料真空电子材料/覆铜板材料压电晶体材料/电工陶瓷材料光电子功能材料|强电、 弱电用接点材料激光工质/电子元器件**薄膜材料电子玻璃/类金刚石膜膨胀合金与热双金属片/电热材料与电热元件其它电子**材料。
电阻
电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。1、参数识别：电阻的单位为欧姆(Ω)，倍率单位有：千欧(KΩ)，兆欧(MΩ)等。换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧。电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472表示47×100Ω(即4.7K)；104则表示100K。b、色环标注法使用**多，现举例如下：四色环电阻五色环电阻(精密电阻)。 由于社会发展的需要，电子装置变的越来越复杂。高淳区节能电子元器件
元件属于不需要能源的器件。它包括：电阻、电容、电感。哪些是电子元器件性能
三极管三极管在中文含义里面只是对三个脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能有多种器件。可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的英文翻译，这是和电子三极管**早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词**初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是***不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯。哪些是电子元器件性能
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