在MEMS微纳加工领域，公司通过“材料创新+工艺突破”双轮驱动，为医疗健康、生物传感等场景提供高精度、定制化的微纳器件解决方案。公司依托逾700平米的6英寸MEMS产线，可加工玻璃、硅片、PDMS、硬质塑料等多种基材的微纳结构，覆盖从纳米级（0.5-5μm）到百微米级（10-100μm）的尺度需求。其**技术包括深硅刻蚀、亲疏水改性、多重转印工艺等，能够实现复杂三维微流道、高深宽比微孔阵列及柔性电极的精密成型，满足脑机接口、类***电生理研究、微针给药等前沿医疗应用的严苛要求。MEMS具有以下几个基本特点？重庆MEMS微纳米加工技术指导
MEMS制作工艺-声表面波器件的原理：声表面波器件是在压电基片上制作两个声一电换能器一叉指换能器。所谓叉指换能器就是在压电基片表面上形成形状像两只手的手指交叉状的金属图案，它的作用是实现声一电换能。声表面波SAW器件的工作原理是，基片左端的换能器(输入换能器)通过逆压电效应将愉入的电信号转变成声信号，此声信号沿基片表面传播，然后由基片右边的换能器(输出换能器)将声信号转变成电信号输出。整个声表面波器件的功能是通过对在压电基片上传播的声信号进行各种处理，并利用声一电换能器的特性来完成的。天津MEMS微纳米加工之超透镜定制MEMS制作工艺-太赫兹脉冲辐射探测。
MEMS制作工艺-太赫兹脉冲辐射探测：
光电导取样光电导取样是基于光导天线(photoconductiveantenna,PCA)发射机理的逆过程发展起来的一种探测THz脉冲信号的探测技术。如要对THz脉冲信号进行探测，首先，需将一个未加偏置电压的PCA放置于太赫兹光路之中，以便于一个光学门控脉冲(探测脉冲)对其门控。其中，这个探测脉冲和泵浦脉冲有可调节的时间延迟关系，而这个关系可利用一个延迟线来加以实现，尔后，用一束探测脉冲打到光电导介质上，这时在介质中能够产生出电子-空穴对(自由载流子)，而此时同步到达的太赫兹脉冲则作为加在PCA上的偏置电场，以此来驱动那些载流子运动，从而在PCA中形成光电流。用一个与PCA相连的电流表来探测这个电流即可，
MEMS制作工艺-声表面波器件的特点：
1.由于声表面波器件是在单晶材料上用半导体平面工艺制作的，所以它具有很好的一致性和重复性，易于大量生产，而且当使用某些单晶材料或复合材料时，声表面波器件具有极高的温度稳定性。
2.声表面波器件的抗辐射能力强，动态范围很大，可达100dB。这是因为它利用的是晶体表面的弹性波而不涉及电子的迁移过程此外，在很多情况下，声表面波器件的性能还远远超过了很好的电磁波器件所能达到的水平。比如用声表面波可以作成时间-带宽乘积大于五千的脉冲压缩滤波器，在UHF频段内可以作成Q值超过五万的谐振腔，以及可以作成带外抑制达70dB、频率达1低Hz的带通滤波器 热敏柔性电极采用 PI 三明治结构，底层基板、中间电极、上层绝缘层设计确保柔韧性与导电性。
超薄石英玻璃双面套刻加工技术解析：在厚度100μm以上的超薄石英玻璃基板上进行双面套刻加工，是实现高集成度微流控芯片与光学器件的关键技术。公司采用激光微加工与紫外光刻结合工艺，首先通过CO₂激光切割实现玻璃基板的高精度成型（边缘误差＜±5μm），然后利用双面光刻对准系统（精度±1μm）进行微结构加工。正面通过干法刻蚀制备5-50μm深度的微流道，背面采用离子束溅射沉积100nm厚度的金属电极层，经光刻剥离形成微米级电极阵列。针对玻璃材质的脆性特点，开发了低温键合技术（150-200℃），使用硅基粘合剂实现双面结构的密封，键合强度＞3MPa，耐水压＞50kPa。该技术应用于光声成像芯片时，正面微流道实现样本输送，背面电极阵列同步激发光声信号，光-电信号延迟＜10ns，成像分辨率达50μm。此外，超薄玻璃的高透光性（＞95%@400-1000nm）与化学稳定性，使其成为荧光检测、拉曼光谱分析等**芯片的优先基板，公司已实现4英寸晶圆级批量加工，成品率＞90%，为光学微系统集成提供了可靠的制造平台。自研超声收发芯片输出电压达 ±100V、电流 1A，部分性能指标超越国际品牌 TI。海南MEMS微纳米加工是什么
MEMS常见的产品-压力传感器。重庆MEMS微纳米加工技术指导
MEMS制作工艺-太赫兹超材料器件应用前景：
在通信系统、雷达屏蔽、空间勘测等领域都有着重要的应用前景，近年来受到学术界的关注。基于微米纳米技术设计的周期微纳超材料能够在太赫兹波段表现出优异的敏感特性，特别是可与石墨烯二维材料集成设计，获得更优的频谱调制特性。因此、将太赫兹超材料和石墨烯二维材料集成，通过理论研究、软件仿真、流片测试实现了石墨烯太赫兹调制器的制备。能够在低频带滤波和高频带超宽带滤波的太赫兹滤波器，通过测试验证了理论和仿真的正确性，将超材料与石墨烯集成制备的太赫兹调制器可对太赫兹波进行调制。 重庆MEMS微纳米加工技术指导
