超薄石英玻璃双面套刻加工技术解析：在厚度100μm以上的超薄石英玻璃基板上进行双面套刻加工，是实现高集成度微流控芯片与光学器件的关键技术。公司采用激光微加工与紫外光刻结合工艺，首先通过CO₂激光切割实现玻璃基板的高精度成型（边缘误差＜±5μm），然后利用双面光刻对准系统（精度±1μm）进行微结构加工。正面通过干法刻蚀制备5-50μm深度的微流道，背面采用离子束溅射沉积100nm厚度的金属电极层，经光刻剥离形成微米级电极阵列。针对玻璃材质的脆性特点，开发了低温键合技术（150-200℃），使用硅基粘合剂实现双面结构的密封，键合强度＞3MPa，耐水压＞50kPa。该技术应用于光声成像芯片时，正面微流道实现样本输送，背面电极阵列同步激发光声信号，光-电信号延迟＜10ns，成像分辨率达50μm。此外，超薄玻璃的高透光性（＞95%@400-1000nm）与化学稳定性，使其成为荧光检测、拉曼光谱分析等**芯片的优先基板，公司已实现4英寸晶圆级批量加工，成品率＞90%，为光学微系统集成提供了可靠的制造平台。台阶仪与 SEM 测量技术确保微纳结构尺寸精度，支撑深硅刻蚀、薄膜沉积等工艺质量管控。湖南MEMS微纳米加工发展现状
PDMS金属流道芯片的复合加工工艺：PDMS金属流道芯片通过在柔性PDMS流道内集成金属镀层，实现流体控制与电信号检测的一体化设计。加工流程包括：首先利用软光刻技术在硅模上制备50-200μm宽度的流道结构，浇筑PDMS预聚体并固化成型；然后通过氧等离子体处理流道表面，使其亲水化以促进金属前驱体吸附；采用磁控溅射技术沉积50-200nm厚度的金/铂金属层，经化学镀增厚至1-5μm，形成连续导电流道；***与PET基板通过等离子体键合密封，确保流体无泄漏。金属流道的表面粗糙度＜50nm，电阻＜10Ω/cm，适用于电化学检测、电渗泵驱动等场景。典型应用如微流控电化学传感器，在10μL/min流速下，对葡萄糖的检测灵敏度达50μA・mM⁻¹・cm⁻²，线性范围0.1-20mM，检测下限＜50μM。公司开发的自动化生产线可实现流道尺寸的精细控制（误差＜±2%），并支持金属层图案化设计，如叉指电极、螺旋流道等，满足不同传感器的定制需求，为生物检测与环境监测领域提供了柔性化、集成化的解决方案。中国澳门MEMS微纳米加工规格微流控与金属片电极镶嵌工艺，解决流道与电极集成的接触电阻问题并提升检测稳定性。
微针器件与生物传感集成：公司采用干湿法混合刻蚀工艺制备的微针阵列，兼具纳米级前列锐度（曲率半径<100 nm）与微米级结构强度（抗弯刚度≥1 GPa），可穿透角质层无创提取组织间液或实现透皮给药。在药物递送领域，载药微针通过可降解高分子涂层（如PLGA）实现药物的缓释控制。例如，胰岛素微针贴片可在30分钟内完成药物释放，生物利用度较皮下注射提升40%。此外，微针表面可修饰金纳米颗粒或导电聚合物，集成阻抗/伏安传感模块，实时检测炎症因子（如IL-6）或病原体抗原，检测限低至1 pg/mL。在电化学检测场景中，微针阵列与微流控芯片联用，可同步完成样本提取、预处理与信号分析，将皮肤间质液检测的全程时间缩短至15分钟，为POCT设备的小型化奠定基础。
MEMS制作工艺柔性电子出现的意义：
柔性电子技术有可能带来一场电子技术进步，引起全世界的很多的关注并得到了迅速发展。美国《科学》杂志将有机电子技术进展列为2000年世界几大科技成果之一，与人类基因组草图、生物克隆技术等重大发现并列。美国科学家艾伦黑格、艾伦·马克迪尔米德和日本科学家白川英树由于他们在导电聚合物领域的开创性工作获得2000年诺贝尔化学奖。
柔性电子技术是行业新兴领域，它的出现不但整合电子电路、电子组件、材料、平面显示、纳米技术等领域技术外，同时横跨半导体、封测、材料、化工、印刷电路板、显示面板等产业，可协助传统产业，如塑料、印刷、化工、金属材料等产业的转型。其在信息、能源、医疗、制造等各个领域的应用重要性日益凸显，已成为世界多国和跨国企业竞相发展的前沿技术。美国、欧盟、英国、日本等相继制定了柔性电子发展战略并投入大量科研经费，旨在未来的柔性电子研究和产业发展中抢占先机。 热敏柔性电极采用 PI 三明治结构，底层基板、中间电极、上层绝缘层设计确保柔韧性与导电性。
MEMS制作工艺ICP深硅刻蚀：
在半导体制程中，单晶硅与多晶硅的刻蚀通常包括湿法刻蚀和干法刻蚀两种方法各有优劣，各有特点。湿法刻蚀即利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光刻胶掩膜覆盖的部分，而达到刻蚀的目的。因为湿法刻蚀是利用化学反应来进行薄膜的去除，而化学反应本身不具方向性，因此湿法刻蚀过程为等向性。
湿法刻蚀过程可分为三个步骤:
1)化学刻蚀液扩散至待刻蚀材料之表面;
2)刻蚀液与待刻蚀材料发生化学反应;
3)反应后之产物从刻蚀材料之表面扩散至溶液中，并随溶液排出。湿法刻蚀之所以在微电子制作过程中被采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高产能及优越的刻蚀选择比等优点。
但相对于干法刻蚀，除了无法定义较细的线宽外，湿法刻蚀仍有以下的缺点:1)需花费较高成本的反应溶液及去离子水:2)化学药品处理时人员所遭遇的安全问题:3)光刻胶掩膜附着性问题;4)气泡形成及化学腐蚀液无法完全与晶片表面接触所造成的不完全及不均匀的刻蚀 高压 SOI 工艺实现芯片内高压驱动与低压控制集成，耐压超 200V 并降低寄生电容 40%。上海MEMS微纳米加工价格多少
PDMS 金属流道加工技术可在柔性流道内沉积金属镀层，实现电化学检测与流体控制一体化。湖南MEMS微纳米加工发展现状
MEMS四种刻蚀工艺的不同需求：
绝缘层上的硅蚀刻即SOI器件刻蚀：先进的微机电组件包含精细的可移动性零组件，例如应用于加速计、陀螺仪、偏斜透镜(tiltingmirrors).共振器(resonators)、阀门、泵、及涡轮叶片等组件的悬臂梁。这些许多的零组件，是以深硅蚀刻方法在晶圆的正面制造，接着藉由横方向的等向性底部蚀刻的方法从基材脱离，此方法正是典型的表面细微加工技术。而此技术有一项特点是以掩埋的一层材料氧化硅作为针对非等向性蚀刻的蚀刻终止层，达成以等向性蚀刻实现组件与基材间脱离的结构(如悬臂梁)。由于二氧化硅在硅蚀刻工艺中，具有高蚀刻选择比且在各种尺寸的绝缘层上硅晶材料可轻易生成的特性，通常被采用作为掩埋的蚀刻终止层材料。 湖南MEMS微纳米加工发展现状
