MEMS制作工艺-声表面波器件的原理：声表面波器件是在压电基片上制作两个声一电换能器一叉指换能器。所谓叉指换能器就是在压电基片表面上形成形状像两只手的手指交叉状的金属图案，它的作用是实现声一电换能。声表面波SAW器件的工作原理是，基片左端的换能器(输入换能器)通过逆压电效应将愉入的电信号转变成声信号，此声信号沿基片表面传播，然后由基片右边的换能器(输出换能器)将声信号转变成电信号输出。整个声表面波器件的功能是通过对在压电基片上传播的声信号进行各种处理，并利用声一电换能器的特性来完成的。MEMS技术常用工艺技术组合有：紫外光刻、电子束光刻EBL、PVD磁控溅射、IBE刻蚀、ICP-RIE深刻蚀。陕西MEMS微纳米加工一体化
国内政策大力推动MEMS产业发展：国家政策大力支持传感器发展，国内MEMS企业拥有好的发展环境。我国高度重视MEMS和传感器技术发展，在2017年工信部出台的《智能传感器产业三年行动指南（2017-2019）》中，明确指出要着力突破硅基MEMS加工技术、MEMS与互补金属氧化物半导体（CMOS）集成、非硅模块化集成等工艺技术，推动发展器件级、晶圆级MEMS封装和系统级测试技术。国家政策高度支持MEMS制造企业研发创新，政策驱动下，国内MEMS制造企业获得发展良机。西藏MEMS微纳米加工批量定制MEMS制作工艺柔性电子的常用材料是什么？
微流控芯片的自动化检测与统计分析：公司建立了基于机器视觉的微流控芯片自动化检测系统，实现尺寸测量、缺陷识别与性能统计的全流程智能化。检测设备配备6MPUSB3.0摄像头与远心光学镜头，配合步进电机平移台（精度±1μm），可对芯片流道、微孔、电极等结构进行扫描。通过自研算法自动识别特征区域，测量参数包括高度（分辨率0.1μm）、周长、面积、宽度、半径等，数据重复性误差＜±0.5%。缺陷检测模块采用深度学习模型，可识别＜5μm的毛刺、缺口、气泡等缺陷，准确率＞99%。检测系统实时生成统计报告，包含CPK、均值、标准差等质量参数，支持SPC过程控制。在PDMS芯片检测中，单芯片检测时间＜2分钟，效率较人工检测提升20倍，良品率统计精度达0.1%。该系统已集成至量产产线，实现从原材料入库到成品出厂的全链路质量追溯，为微流控芯片的标准化生产提供了可靠保障，尤其适用于高精度医疗检测芯片与工业控制芯片的质量管控。
硅基金属电极加工工艺与生物相容性优化：在硅片、LN（铌酸锂）、LT（钽酸锂）、蓝宝石、石英等基板上加工金属电极，需兼顾电学性能与生物相容性。公司采用溅射沉积与剥离工艺，首先在基板表面沉积50-200nm的钛/金种子层，增强金属与基板的附着力；然后旋涂光刻胶并曝光显影，形成电极图案；再溅射1-5μm厚度的金/铂金属层，***通过**剥离得到完整电极结构。电极线条宽度可控制在10-500μm，边缘粗糙度＜5μm，接触电阻＜1Ω・cm²。针对植入式医疗器件，表面采用聚乙二醇（PEG）涂层处理，通过硅烷偶联剂共价键合，涂层厚度5-10nm，可将蛋白吸附量降低90%以上，炎症反应发生率下降60%。该技术应用于神经电极时，16通道电极阵列的信号噪声比＞20dB，可稳定记录单个神经元放电信号达3个月以上。在传感器领域，硅基金电极对葡萄糖的检测灵敏度达100μA・mM⁻¹・cm⁻²，线性范围0.01-10mM，适用于血糖监测芯片。公司支持多种金属材料（如钛、铂、铱）与基板的组合加工，满足不同应用场景对电极导电性、耐腐蚀性的需求。太赫兹柔性电极以 PI 为基底构建双面结构，适用于非侵入式生物检测与材料无损探测。
MEMS制作工艺-声表面波器件的特点：
1.声表面波具有极低的传播速度和极短的波长，它们各自比相应的电磁波的传播速度的波长小十万倍。在VHF和UHF波段内，电磁波器件的尺寸是与波长相比拟的。同理，作为电磁器件的声学模拟声表面波器件SAW，它的尺寸也是和信号的声波波长相比拟的。因此，在同一频段上，声表面波器件的尺寸比相应电磁波器件的尺寸减小了很多，重量也随之大为减轻。
2.由于声表面波系沿固体表面传播，加上传播速度极慢，这使得时变信号在给定瞬时可以完全呈现在晶体基片表面上。于是当信号在器件的输入和输出端之间行进时，就容易对信号进行取样和变换。这就给声表面波器件以极大的灵活性，使它能以非常简单的方式去。完成其它技术难以完成或完成起来过于繁重的各种功能。
3.采用MEMS工艺，以铌酸锂LNO和钽酸锂LTO为例子的衬底，通过光刻（含EBL光刻）、镀膜等微纳米加工技术，实现的SAW器件，在声表面器件的滤波、波束整形等方面提供了极大的工艺和性能支撑。 MEMS 微纳米加工技术是现代制造业中的关键领域，它能够在微观尺度上制造出高精度的器件。天津MEMS微纳米加工特征
MEMS微流控芯片是什么？陕西MEMS微纳米加工一体化
神经电子芯片的MEMS微纳加工技术与临床应用：神经电子芯片作为植入式医疗设备的**组件，对微型化、生物相容性及功能集成度提出了极高要求。公司依托0.35/0.18μm高压工艺，成功开发多通道神经电刺激SoC芯片，可实现无线充电与通讯功能，将控制信号转化为精细电刺激脉冲，用于神经感知、调控及阻断。以128像素视网膜假体芯片为例，通过MEMS薄膜沉积技术在硅基基板上制备高密度电极阵列，单个电极尺寸*50μm×50μm，间距100μm，确保对视网膜神经细胞的靶向刺激。芯片表面采用聚酰亚胺（PI）与氮化硅复合涂层，经120℃高温固化处理后，涂层厚度控制在5-8μm，有效抑制蛋白吸附与炎症反应，植入体寿命可达5年以上。目前该芯片已批量交付，由母公司中科先见推进至临床前动物实验阶段，针对视网膜退行***变患者，可重建0.1-0.3的视力，为盲人复明提供了突破性解决方案。该技术突破了传统植入设备的体积限制，芯片整体厚度＜200μm，兼容微创植入手术，推动神经调控技术向精细化、长期化发展。陕西MEMS微纳米加工一体化
