MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器,可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源,此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。●分布式电源架构●汽车电源●高密度●电信系统●欠压闭锁功能●自适应贯通保护功能●自举电源电压至 114V●1.4A 峰值顶端栅极上拉电流●1.75A 峰值底端栅极上拉电流●耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装根据具体的应用场景和需求,还有推挽驱动、隔离驱动、加速关断驱动等多种设计方案。黄浦区好的驱动电路量大从优
-- 适用于Cies 的测试条件为 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT当为各个应用选择IGBT驱动器时,必须考虑下列细节:· 驱动器必须能够提供所需的门极平均电流IoutAV 及门极驱动功率PG。驱动器的比较大平均输出电流必须大于计算值。· 驱动器的输出峰值电流IoutPEAK 必须大于等于计算得到的比较大峰值电流。· 驱动器的比较大输出门极电容量必须能够提供所需的门极电荷以对IGBT 的门极充放电。在POWER-SEM 驱动器的数据表中,给出了每脉冲的比较大输出电荷,该值在选择驱动器时必须要考虑。奉贤区制造驱动电路服务热线浮动接地驱动:功率器件接地端电位会随电路状态变化而浮动,典型的为自举驱动电路。
调光原理市面上大多数可控硅调光器基本结构如图1所示,其工作原理如下:当交流电压加双向可控硅TRIAC两端时,由于Rt、Ct组成的RC充电电路有一个充电时间,电容上的电压是从0V开始充电的,并且TRIAC的驱动极串联有一个DIAC(双向触发二极管,一般是30V左右),因此TRIAC可靠截止。当Ct上的电压上升到30V时,DIAC触发导通,TRIAC可靠导通,此时TRIAC两端的电压瞬间变为零,Ct通过Rt迅速放电,当Ct电压跌落到30V以下时,DIAC截止,如果TRIAC通过的电流大于其维持电流则继续导通,如果低于其维持电流将会截止。电感L和电容C的作用是减小电流和电压的变化率,以抑制电磁干扰EMI问题。
2)能向IGBT提供足够的反向栅压。在IGBT关断期间,由于电路中其他部分的工作,会在栅极电路中产生一些高频振荡信号,这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态,增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此,比较好给处于截止状态的IGBT加一反向栅压(幅值一般为5~15 V),使IGBT在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。3)具有栅极电压限幅电路,保护栅极不被击穿。IGBT栅极极限电压一般为+20 V,驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。4)由于IGBT多用于高压场合。要求有足够的输入、输出电隔离能力。所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离,一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。物理意义:指推动或驱使某物运动的力量或机制。例如,汽车的发动机驱动汽车前进。
引言近年来,高亮度LED照明以高光效、长寿命、高可靠性和无污染等优点正在逐步取代白炽灯、荧光灯等传统光源。在一些应用中,希望在某些情况下可调节灯光的亮度,以便进一步节能和提供舒适的照明。常见的调光有双向可控硅调光、后沿调光、ON/OFF调光、遥控调光等。可控硅调光器在传统的白炽灯等调光照明应用已久,且不用改变接线,装置成本较低,各品牌可控硅调光器的性能和规格相差不大,但是其直接应用在LED驱动场合还存在着一系列问题。BJT驱动电路:使用双极型晶体管(BJT)来驱动负载,适合低频应用。嘉定区优势驱动电路设计
显示控制:驱动电路可以将数字信号转换为模拟信号,以控制液晶显示屏、LED显示屏等显示设备;黄浦区好的驱动电路量大从优
3、调节功率开关器件的通断速度栅极电阻小,开关器件通断快,开关损耗小;反之则慢,同时开关损耗大。但驱动速度过快将使开关器件的电压和电流变化率**提高,从而产生较大的干扰,严重的将使整个装置无法工作,因此必须统筹兼顾。二、栅极电阻的选取1、栅极电阻阻值的确定各种不同的考虑下,栅极电阻的选取会有很大的差异。初试可如下选取:不同品牌的IGBT模块可能有各自的特定要求,可在其参数手册的推荐值附近调试。2、栅极电阻功率的确定栅极电阻的功率由IGBT栅极驱动的功率决定,一般来说栅极电阻的总功率应至少是栅极驱动功率的2倍。黄浦区好的驱动电路量大从优
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