闵行区质量驱动电路图片

IGBT驱动：IGBT常被用于中大功率数字电源开发，其驱动电压范围为-15~15V。IGBT驱动电路分为正压驱动和负压驱动，负压关断可以避免误导通风险，加快关断速度，减小关断损耗。IGBT的驱动电路一般采用**的驱动芯片，如东芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飞凌的EiceDRIVER系列等。五、驱动电路的应用显示控制：驱动电路可以将数字信号转换为模拟信号，以控制液晶显示屏、LED显示屏等显示设备；也可以将模拟信号转换为数字信号，以控制数码管等显示设备。低边驱动：通常用于将功率开关器件连接在电源负极（地）一侧。闵行区质量驱动电路图片

根据图2中，RC充放电电路的输出经过增益电路后可得电流参考为：式中k为增益，VC为RC充放电电路的输入电压，τ为RC的时间系数，θ为可控硅的导通角。则在**小导通角对应的输出为零，即电路输出的**大值对应电流参考的**大值：从式(1)和式(2)可得输出电流表达式如式(3)所示。在斩波角为θ时，电路对应的输入功率为：式中Vp为输入电压峰值，Rin为等效输入阻抗。假设电路的变换效率为η，且电路的输出功率为PO=IO·UO，则可得到电路的等效输入阻抗如式(5)所示。从式(5)可得电路的功率因数如式(6)所示。浦东新区推广驱动电路生产企业优良的驱动电路能够减少器件的开关损耗，提高能量转换效率，并降低电磁干扰（EMI/EMC）。

IGBT 的开关特性主要取决于IGBT的门极电荷及内部和外部的电阻。图1是IGBT 门极电容分布示意图，其中CGE 是栅极-发射极电容、CCE 是集电极-发射极电容、CGC 是栅极-集电极电容或称米勒电容（Miller Capacitor）。门极输入电容Cies 由CGE 和CGC 来表示，它是计算IGBT 驱动器电路所需输出功率的关键参数。该电容几乎不受温度影响，但与IGBT集电极-发射极电压VCE 的电压有密切联系。在IGBT数据手册中给出的电容Cies 的值，在实际电路应用中不是一个特别有用的参数，因为它是通过电桥测得的，在测量电路中，加在集电极上C 的电压一般只有25V(有些厂家为10V)，在这种测量条件下，所测得的结电容要比VCE=600V 时要大一些(如图2)。

在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。个人的职业发展可能受到内在驱动（如兴趣、目标）和外部驱动（如薪水、晋升机会）的影响。

在安装驱动程序时，Windows一般要把.inf文件拷贝一份到“Win-dows\Inf”或“Windows\Inf\Other”目录下，以备将来使用。Inf目录下除了有.inf文件外，还有两个特殊文件D和D，以及一些.pnf文件，它们都是Windows为了加快处理速度而自动生成的二进制文件。D和D记录了inf文件描述的所有硬件设备，也许朋友们会有印象：当我们在安装某些设备时，经常会看到一个“创建驱动程序信息库”的窗口，此时Windows便正在生成这两个二进制文件。驱动电路的工作原理涉及信号的放大、转换和传输。闵行区质量驱动电路图片

驱动电路，位于主电路和控制电路之间，主要作用是对控制电路的信号进行放大，使其能够驱动功率开关器件。闵行区质量驱动电路图片

驱动电路隔离技术一般使用光电耦合器或隔离变压器（光耦合；磁耦合）。 [1]由于 MOSFET 的工作频率及输入阻抗高，容易**扰，故驱动电路应具有良好的电气隔离性能，以实现主电路与控制电路之间的隔离，使之具有较强的抗干扰能力，避免功率级电路对控制信号的干扰。光耦隔离驱动可分为电磁隔离与光电隔离。采用脉冲变压器实现电路的电磁隔离，是一种电路简单可靠，又具有电气隔离作用的电路，但其对脉冲的宽度有较大限制，若脉冲过宽，磁饱和效应可能使一次绕组的电流突然增大，甚至使其烧毁，而若脉冲过窄，为驱动栅极关断所存储的能量可能不够。闵行区质量驱动电路图片

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