MEMS四种刻蚀工艺的不同需求：
绝缘层上的硅蚀刻即SOI器件刻蚀：先进的微机电组件包含精细的可移动性零组件，例如应用于加速计、陀螺仪、偏斜透镜(tiltingmirrors).共振器(resonators)、阀门、泵、及涡轮叶片等组件的悬臂梁。这些许多的零组件，是以深硅蚀刻方法在晶圆的正面制造，接着藉由横方向的等向性底部蚀刻的方法从基材脱离，此方法正是典型的表面细微加工技术。而此技术有一项特点是以掩埋的一层材料氧化硅作为针对非等向性蚀刻的蚀刻终止层，达成以等向性蚀刻实现组件与基材间脱离的结构(如悬臂梁)。由于二氧化硅在硅蚀刻工艺中，具有高蚀刻选择比且在各种尺寸的绝缘层上硅晶材料可轻易生成的特性，通常被采用作为掩埋的蚀刻终止层材料。 超薄 PDMS（100μm 以上）与光学玻璃键合工艺，兼顾柔性流道与高透光性检测需求。浙江MEMS微纳米加工模型设计
太赫兹柔性电极的双面结构设计与加工：太赫兹柔性电极以PI为基底，采用双面结构设计，上层实现太赫兹波发射/接收，下层集成信号处理电路，解决了传统刚性太赫兹器件的便携性难题。加工工艺包括：首先在双面抛光的PI基板上，利用电子束光刻制备亚微米级金属天线阵列（如蝴蝶结、螺旋结构），特征尺寸达500nm，周期1-2μm，实现对0.1-1THz频段的高效耦合；背面通过薄膜沉积技术制备氮化硅绝缘层，溅射铜箔形成共面波导传输线，线宽控制精度±10nm，特性阻抗匹配50Ω。电极整体厚度＜50μm，弯曲状态下信号衰减＜3dB，适用于人体安检、非金属材料检测等场景。在生物医学领域，太赫兹柔性电极可非侵入式检测皮肤水分含量，分辨率达0.1%，检测时间＜1秒，较传统电阻法精度提升5倍。公司开发的纳米压印技术实现了天线阵列的低成本复制，单晶圆（4英寸）产能达1000片以上，良率＞85%，推动太赫兹技术从实验室走向便携式设备，为无损检测与生物传感提供了全新维度的解决方案。湖南MEMS微纳米加工设备工程SU8 硅片 / 石英片微流控模具加工技术，支持 6 英寸以下基板单套或套刻的高精度结构复制。
MEMS技术的主要分类：光学方面相关的资料与技术。光学随着信息技术、光通信技术的迅猛发展，MEMS发展的又一领域是与光学相结合，即综合微电子、微机械、光电子技术等基础技术，开发新型光器件，称为微光机电系统(MOEMS)。微光机电系统(MOEMS)能把各种MEMS结构件与微光学器件、光波导器件、半导体激光器件、光电检测器件等完整地集成在一起。形成一种全新的功能系统。MOEMS具有体积小、成本低、可批量生产、可精确驱动和控制等特点。
硅基金属电极加工工艺与生物相容性优化：在硅片、LN（铌酸锂）、LT（钽酸锂）、蓝宝石、石英等基板上加工金属电极，需兼顾电学性能与生物相容性。公司采用溅射沉积与剥离工艺，首先在基板表面沉积50-200nm的钛/金种子层，增强金属与基板的附着力；然后旋涂光刻胶并曝光显影，形成电极图案；再溅射1-5μm厚度的金/铂金属层，***通过**剥离得到完整电极结构。电极线条宽度可控制在10-500μm，边缘粗糙度＜5μm，接触电阻＜1Ω・cm²。针对植入式医疗器件，表面采用聚乙二醇（PEG）涂层处理，通过硅烷偶联剂共价键合，涂层厚度5-10nm，可将蛋白吸附量降低90%以上，炎症反应发生率下降60%。该技术应用于神经电极时，16通道电极阵列的信号噪声比＞20dB，可稳定记录单个神经元放电信号达3个月以上。在传感器领域，硅基金电极对葡萄糖的检测灵敏度达100μA・mM⁻¹・cm⁻²，线性范围0.01-10mM，适用于血糖监测芯片。公司支持多种金属材料（如钛、铂、铱）与基板的组合加工，满足不同应用场景对电极导电性、耐腐蚀性的需求。深反应离子刻蚀是 MEMS 微纳米加工中常用的刻蚀工艺，可用于制造高深宽比的微结构。
SU8微流控模具加工技术与精度控制：SU8作为负性光刻胶，广泛应用于6英寸以下硅片、石英片的单套或套刻微流控模具加工，可实现5-500μm高度的三维结构制造。加工流程包括：基板清洗→底涂处理→SU8涂胶（转速500-5000rpm，控制厚度1-500μm）→前烘→曝光（紫外光强度50-200mJ/cm²）→后烘→显影（PGMEA溶液，时间1-10分钟）。通过优化曝光剂量与显影时间，可实现侧壁垂直度＞88°，**小线宽10μm，高度误差＜±2%。在多层套刻加工中，采用对准标记视觉识别系统（精度±1μm），确保上下层结构偏差＜5μm，适用于复杂三维流道模具制备。该模具可用于PDMS模塑成型，复制精度达95%以上，流道表面粗糙度Ra＜100nm。典型应用如细胞培养芯片模具，其微柱阵列（直径50μm，高度200μm，间距100μm）可模拟细胞外基质环境，促进干细胞定向分化，细胞黏附率提升40%。公司具备从模具设计、加工到复制成型的全链条能力，支持SU8与硅、玻璃等多种基板的复合加工，为微流控芯片开发者提供了高精度、高性价比的模具解决方案。MEMS微纳米加工的未来发展是什么？江苏MEMS微纳米加工资费
超透镜的电子束直写和刻蚀工艺其实并不复杂。浙江MEMS微纳米加工模型设计
微纳结构的多图拼接测量技术：针对大尺寸微纳结构的完整表征，公司开发了多图拼接测量技术，结合SEM与图像算法实现亚微米级精度的全景成像。首先通过自动平移台对样品进行网格扫描，获取多幅局部SEM图像（分辨率5nm，视野范围10-100μm）；然后利用特征点匹配算法（如SIFT/SURF）进行图像配准，误差＜±2nm/100μm；通过融合算法生成完整的拼接图像，可覆盖10mm×10mm区域。该技术应用于微流控芯片的流道检测时，可快速识别全长10cm流道内的微小缺陷（如5μm以下的毛刺或堵塞），检测效率较单图测量提升10倍。在纳米压印模具检测中，多图拼接可精确分析100μm×100μm范围内的结构一致性，特征尺寸偏差＜±1%。公司自主开发的拼接软件支持实时预览与缺陷标记，输出包含尺寸标注、粗糙度分析的检测报告，为微纳加工的质量控制提供了高效工具，尤其适用于复杂三维结构与大面积阵列的计量需求。浙江MEMS微纳米加工模型设计
