热压印技术在硬质塑料微流控芯片中的应用：热压印技术是实现PMMA、PS、COC、COP等硬质塑料微结构快速成型的**工艺，较传统注塑工艺具有成本低、周期短、图纸变更灵活等优势。工艺流程包括：首先利用光刻胶在硅片上制备高精度模具，微结构高度5-100μm，侧壁垂直度＞89°；然后将塑料基板加热至玻璃化转变温度以上（如PMMA为110℃），在5-10MPa压力下将模具结构转印至基板，冷却后脱模。该技术可实现0.5μm的特征尺寸分辨率，流道尺寸误差＜±1%，适用于微流道、微孔阵列、透镜阵列等结构加工。以数字PCR芯片为例，热压印制备的50μm直径微腔阵列，单芯片可容纳20,000个反应单元，配合荧光检测实现核酸分子的***定量，检测灵敏度达0.1%突变频率。公司开发的快速换模系统可在30分钟内完成模具更换，支持小批量生产（100-10,000片），从设计图纸到样品交付**短*需10个工作日，较注塑缩短70%周期。此外，通过表面涂层处理（如疏水化、亲水化），可定制芯片表面润湿性，满足不同检测场景的流体控制需求，成为研发阶段快速迭代与中小批量生产的优先工艺。微纳加工产业化能力覆盖设计、工艺、量产全链条，月产能达 50,000 片并持续技术创新。本地MEMS微纳米加工平台
主要由传感器、作动器（执行器）和微能源三大部分组成，但现在其主要都是传感器比较多。
特点：1.和半导体电路相同，使用刻蚀，光刻等微纳米MEMS制造工艺，不需要组装，调整；2.进一步的将机械可动部，电子线路，传感器等集成到一片硅板上；3.它很少占用地方，可以在一般的机器人到不了的狭窄场所或条件恶劣的地方使用4.由于工作部件的质量小，高速动作可能；5.由于它的尺寸很小，热膨胀等的影响小；6.它产生的力和积蓄的能量很小，本质上比较安全。 浙江有什么MEMS微纳米加工MEMS四种ICP-RIE刻蚀工艺的不同需求。
MEMS制作工艺-声表面波器件的特点：
1.声表面波具有极低的传播速度和极短的波长，它们各自比相应的电磁波的传播速度的波长小十万倍。在VHF和UHF波段内，电磁波器件的尺寸是与波长相比拟的。同理，作为电磁器件的声学模拟声表面波器件SAW，它的尺寸也是和信号的声波波长相比拟的。因此，在同一频段上，声表面波器件的尺寸比相应电磁波器件的尺寸减小了很多，重量也随之大为减轻。
2.由于声表面波系沿固体表面传播，加上传播速度极慢，这使得时变信号在给定瞬时可以完全呈现在晶体基片表面上。于是当信号在器件的输入和输出端之间行进时，就容易对信号进行取样和变换。这就给声表面波器件以极大的灵活性，使它能以非常简单的方式去。完成其它技术难以完成或完成起来过于繁重的各种功能。
3.采用MEMS工艺，以铌酸锂LNO和钽酸锂LTO为例子的衬底，通过光刻（含EBL光刻）、镀膜等微纳米加工技术，实现的SAW器件，在声表面器件的滤波、波束整形等方面提供了极大的工艺和性能支撑。
硅基金属电极加工工艺与生物相容性优化：在硅片、LN（铌酸锂）、LT（钽酸锂）、蓝宝石、石英等基板上加工金属电极，需兼顾电学性能与生物相容性。公司采用溅射沉积与剥离工艺，首先在基板表面沉积50-200nm的钛/金种子层，增强金属与基板的附着力；然后旋涂光刻胶并曝光显影，形成电极图案；再溅射1-5μm厚度的金/铂金属层，***通过**剥离得到完整电极结构。电极线条宽度可控制在10-500μm，边缘粗糙度＜5μm，接触电阻＜1Ω・cm²。针对植入式医疗器件，表面采用聚乙二醇（PEG）涂层处理，通过硅烷偶联剂共价键合，涂层厚度5-10nm，可将蛋白吸附量降低90%以上，炎症反应发生率下降60%。该技术应用于神经电极时，16通道电极阵列的信号噪声比＞20dB，可稳定记录单个神经元放电信号达3个月以上。在传感器领域，硅基金电极对葡萄糖的检测灵敏度达100μA・mM⁻¹・cm⁻²，线性范围0.01-10mM，适用于血糖监测芯片。公司支持多种金属材料（如钛、铂、铱）与基板的组合加工，满足不同应用场景对电极导电性、耐腐蚀性的需求。硅片、LN 等基板金属电极加工工艺，通过溅射沉积与剥离技术实现微米级电极图案化。
柔性电极的生物相容性表面改性技术：柔性电极的长期植入性能依赖于表面生物相容性改性，公司采用多层涂层工艺解决蛋白吸附与炎症反应问题。以PI基柔性电极为基底，首先通过等离子体处理引入羟基基团，然后接枝硅烷偶联剂（如APTES）形成活性界面，再通过层层自组装技术沉积PEG（聚乙二醇）与壳聚糖复合层，**终涂层厚度5-15nm。该涂层可使水接触角从85°降至50°，蛋白吸附量从100ng/cm²降至＜10ng/cm²，中性粒细胞黏附率下降80%。在动物植入实验中，改性后的电极在体内留置3个月，周围组织纤维化程度较未处理组减轻60%，信号衰减＜15%，而对照组衰减达40%。该技术适用于神经电极、心脏起搏电极等植入器件，结合MEMS加工的超薄化设计（电极厚度＜10μm），降低手术创伤与长期植入风险。公司支持定制化涂层配方，可根据应用场景调整亲疏水性、电荷性质及生物活性分子（如生长因子）接枝，为植入式医疗设备提供个性化表面改性解决方案。可降解聚合物加工工艺储备，为体内短期植入检测芯片提供生物相容性材料解决方案。新型MEMS微纳米加工材料
超薄石英玻璃双面套刻加工技术，在 100μm 以上基板实现微流道与金属电极的高精度集成。本地MEMS微纳米加工平台
高压SOI工艺在MEMS芯片中的应用创新：高压SOI（绝缘体上硅）工艺是制备高耐压、低功耗MEMS芯片的**技术，公司在0.18μm节点实现了发射与开关电路的集成创新。通过SOI衬底的埋氧层（厚度1μm）隔离高压器件与低压控制电路，耐压能力达200V以上，漏电流＜1nA，适用于神经电刺激、超声驱动等高压场景。在神经电子芯片中，高压SOI工艺实现了128通道**驱动，每通道输出脉冲宽度1-1000μs可调，幅度0-100V可控，脉冲边沿抖动＜5ns，确保精细的神经信号调制。与传统体硅工艺相比，SOI芯片的寄生电容降低40%，功耗节省30%，芯片面积缩小50%。公司优化了SOI晶圆的键合与减薄工艺，将衬底厚度控制在100μm以下，支持芯片的柔性化封装。该技术突破了高压器件与低压电路的集成瓶颈，推动MEMS芯片向高集成度、高可靠性方向发展，在植入式医疗设备、工业控制传感器等领域具有广阔应用前景。本地MEMS微纳米加工平台
