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压敏电阻基本参数
  • 品牌
  • KXY
  • 型号
  • VARISTOR
  • 尺寸
  • /
  • 重量
  • /
  • 产地
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  • 可售卖地
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  • 是否定制
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压敏电阻企业商机

通常,光敏电阻器都制成薄片结构,以便吸收更多的光能。当它受到光的照射时,半导体片(光敏层)内就激发出电子—空穴对,参与导电,使电路中电流增强。为了获得高的灵敏度,光敏电阻的电极常采用梳状图案,它是在一定的掩膜下向光电导薄膜上蒸镀金或铟等金属形成的。光敏电阻器通常由光敏层、玻璃基片(或树脂防潮膜)和电极等组成。光敏电阻器在电路中用字母“R”或“RL”、“RG”表示敏电阻常用硫化镉(CdS)制成。它分为环氧树脂封装和金属封装两款,同属于导线型(DIP型),环氧树脂封装光敏电阻按陶瓷基板直径分为Ø3mm、Ø4mm、Ø5mm、Ø7mm、Ø11mm、Ø12mm、Ø20mm、Ø25mm压敏电阻,就选深圳市凯轩业科技,用户的信赖之选,欢迎新老客户来电咨询!黑龙江压敏电阻制造商

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5)光照特性。光照特性指光敏电阻输出的电信号随光照度而变化的特性。从光敏电阻的光照特性曲线可以看出,随着的光照强度的增加,光敏电阻的阻值开始迅速下降。若进一步增大光照强度,则电阻值变化减小,然后逐渐趋向平缓。在大多数情况下,该特性为非线性。(6)伏安特性曲线。在一定照度下,加在光敏电阻两端的电压与电 流之间的关系称为伏安特性。在给定偏压下,光照度 较大,光电流也越大。在一定的光照度下,所加的电 压越大,光电流越大,而且无饱和现象。但是电压不 能无限地增大,因为任何光敏电阻都受额定功率、较 高工作电压和额定电流的限制。超过较高工作电压 和较大额定电流,可能导致光敏电阻长久性损坏。安徽压敏电阻制造商压敏电阻选深圳市凯轩业电子,欢迎━(*`∀´*)ノ亻!亲的到来。

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光敏电阻是用硫化镉或硒化镉等半导体材料制成的特殊电阻器,其工作原理是基于内光电效应。光照愈强,阻值就愈低,随着光照强度的升高,电阻值迅速降低,亮电阻值可小至1KΩ以下。光敏电阻对光线十分敏感,其在无光照时,呈高阻状态,暗电阻一般可达1.5MΩ。光敏电阻的特殊性能,随着科技的发展将得到极其广大应用。根据光敏电阻的光谱特性,可分为三种光敏电阻器:紫外光敏电阻器、红外光敏电阻器、可见光光敏电阻器压敏电阻"是一种具有非线性伏安特性的电阻器件,主要用于在电路承受过压时进行电压嵌位,吸收多余的电流以保护敏感器件。[1]英文名称叫“Voltage Dependent Resistor”简写为“VDR”, 或者叫做“Varistor"。压敏电阻器的电阻体材料是半导体,所以它是半导体电阻器的一个品种。

压敏电阻是一种具有非线性伏安特性的电阻器件,主要用于在电路承受过压时进行电压钳位,吸收多余的电流以保护敏感器件。它在电路中起到瞬态过电压保护的作用。在实际应用中,压敏电阻一般并联在电路中,当电路正常运行时,处于高阻状态,不影响电路的工作。当电路出现异常电压并达到压敏电阻导通电压时,压敏电阻迅速由高阻变为低阻,释放异常电压导致的瞬时过电流,同时把异常瞬态过压钳制在一个安全水平范围之内,从而保护后级电路免遭异常电压的破坏。当压敏电阻休息的时候,电子元件也会有一种很高的阻抗数兆欧姆,当受到突波电压的冲击时,会越过压敏电阻,所受到的伤害会变低,会改变原来的电路,这样也可以使电子产品受到保护。信赖之选深圳市凯轩业电子科技有限公司专业研发设计。

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“压敏电阻"是一种具有非线性伏安特性的电阻器件,主要用于在电路承受过压时进行电压嵌位,吸收多余的电流以保护敏感器件。[1]英文名称叫“Voltage Dependent Resistor”简写为“VDR”, 或者叫做“Varistor"。压敏电阻器的电阻体材料是半导体,所以它是半导体电阻器的一个品种。大量使用的"氧化锌"(ZnO)压敏电阻器,它的主体材料有二价元素锌(Zn)和六价元素氧(O)所构成。所以从材料的角度来看,氧化锌压敏电阻器是一种“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体”。 在中国台湾,压敏电阻器被称为"突波吸收器"或“电冲击(浪涌)抑制器(吸收器)”。根据使用的目的不同,压敏电阻可分为保护用压敏电阻和电路功能用压敏电阻。品质,信赖之选,深圳市凯轩业科技有限公司,压敏电阻。安徽压敏电阻制造商

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光敏电阻应用电路1、光敏电阻调光电路一种典型的光控调光电路,其工作原理是:当周围光线变弱时引起光敏电阻RG的阻值增加,使加在电容C上的分压上升,进而使可控硅的导通角增大,达到增大照明灯两端电压的目的。反之,若周围的光线变亮,则RG的阻值下降,导致可控硅的导通角变小,照明灯两端电压也同时下降,使灯光变暗,从而实现对灯光照度的控制。光敏电阻主要应用在什么场合 电路中整流桥给出的是必须是直流脉动电压,不能将其用电容滤波变成平滑直流电压,否则电路将无法正常工作。原因在于直流脉动电压既能给可控硅提供过零关断的基本条件,又可使电容C的充电在每个半周从零开始,准确完成对可控硅的同步移相触发。黑龙江压敏电阻制造商

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