新材料或将成为国产MEMS发展的新机会。截止到目前，硅基MEMS发展已经有40多年的发展历程，如何提高产品性能、降低成本是全球企业都在思考的问题，而基于新材料的MEMS器件则成为摆在眼前的大奶酪，PZT、氮化铝、氧化钒、锗等新材料MEMS器件的研究正在进行中，抢先一步投入应用，将是国产MEMS弯道超车的好时机。另外，将多种单一功能传感器组合成多功能合一的传感器模组，再进行集成一体化，也是MEMS产业新机会。提高自主创新意识，加强创新能力，也不是那么的遥远。弧形柱子点阵加工技术通过激光直写与刻蚀实现仿生结构，优化细胞黏附与流体动力学特性。特殊MEMS微纳米加工之声表面波器件加工
MEMS制作工艺ICP深硅刻蚀：
在半导体制程中，单晶硅与多晶硅的刻蚀通常包括湿法刻蚀和干法刻蚀两种方法各有优劣，各有特点。湿法刻蚀即利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光刻胶掩膜覆盖的部分，而达到刻蚀的目的。因为湿法刻蚀是利用化学反应来进行薄膜的去除，而化学反应本身不具方向性，因此湿法刻蚀过程为等向性。
湿法刻蚀过程可分为三个步骤:
1)化学刻蚀液扩散至待刻蚀材料之表面;
2)刻蚀液与待刻蚀材料发生化学反应;
3)反应后之产物从刻蚀材料之表面扩散至溶液中，并随溶液排出。湿法刻蚀之所以在微电子制作过程中被采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高产能及优越的刻蚀选择比等优点。
但相对于干法刻蚀，除了无法定义较细的线宽外，湿法刻蚀仍有以下的缺点:1)需花费较高成本的反应溶液及去离子水:2)化学药品处理时人员所遭遇的安全问题:3)光刻胶掩膜附着性问题;4)气泡形成及化学腐蚀液无法完全与晶片表面接触所造成的不完全及不均匀的刻蚀 陕西哪些是MEMS微纳米加工超声影像 SoC 芯片采用 0.18mm 高压 SOI 工艺，发射与开关复用设计节省面积并提升性能。
微流控与金属片电极的镶嵌工艺技术：微流控与金属片电极的镶嵌工艺实现了流体通道与固态电极的无缝集成，适用于电化学检测、电渗流驱动等场景。加工过程中，首先在硅片或玻璃基板上制备微流道（深度50-200μm，宽度100-500μm），然后将预加工的金属片电极（如不锈钢、金箔）嵌入流道侧壁，通过导电胶（银胶或碳胶）固定，确保电极与流道内壁齐平，间隙＜5μm。键合采用热压或紫外固化胶密封，耐压＞100kPa，漏电流＜1nA。金属片电极的表面积可根据需求设计，如5mm×5mm的金电极，电化学活性面积达20mm²，适用于痕量物质检测。在水质监测芯片中，镶嵌的铂电极可实时检测溶解氧浓度，响应时间＜10秒，检测范围0-20ppm，精度±0.5ppm。该工艺解决了传统微流控芯片与外置电极连接的接触电阻问题，实现了芯片内原位检测，缩短信号传输路径，提升检测速度与稳定性。公司开发的自动化镶嵌设备，定位精度±10μm，单芯片加工时间＜5分钟，支持批量生产，为环境监测、食品安全检测等领域提供了集成化的传感解决方案。
智能手机迎5G换机潮，传感器及RFMEMS用量逐年提升。一方面，5G加速渗透，拉动智能手机市场恢复增长：今年10月份国内5G手机出货量占比已达64%；智能手机整体出货量方面，在5G的带动下，根据IDC今年的预测，2021年智能手机出货量相比2020年将增长11.6%，2020-2024年CAGR达5.2%。另一方面，单机传感器和RFMEMS用量不断提升，以iPhone为例，2007年的iPhone2G到2020年的iPhone12，手机智能化程度不断升，功能不断丰富，指纹识别、3Dtouch、ToF、麦克风组合、深度感知（LiDAR）等功能的加入，使得传感器数量（包含非MEMS传感器）由当初的5个增加为原来的4倍至20个以上；5G升级带来的频段增加也有望明显提升单机RF MEMS价值量。深反应离子刻蚀是 MEMS 微纳米加工中常用的刻蚀工艺，可用于制造高深宽比的微结构。
MEMS制作工艺柔性电子的常用材料：
碳纳米管（CNT）由于其高的本征载流子迁移率，导电性和机械灵活性而成为用于柔性电子学的有前途的材料，既作为场效应晶体管（FET）中的沟道材料又作为透明电极。管状碳基纳米结构可以被设想成石墨烯卷成一个无缝的圆柱体，它们独特的性质使其成为理想的候选材料。因为它们具有高的固有载流子迁移率和电导率，机械灵活性以及低成本生产的潜力。另一方面，薄膜基碳纳米管设备为实现商业化提供了一条实用途径。 MEMS的磁敏感器是什么？山西多功能MEMS微纳米加工
高压 SOI 工艺实现芯片内高压驱动与低压控制集成，耐压超 200V 并降低寄生电容 40%。特殊MEMS微纳米加工之声表面波器件加工
弧形柱子点阵的微纳加工技术：弧形柱子点阵结构在细胞黏附、流体动力学调控中具有重要应用，公司通过激光直写与反应离子刻蚀（RIE）技术实现该结构的精密加工。首先利用激光直写系统在光刻胶上绘制弧形轨迹，**小曲率半径可达5μm，线条宽度10-50μm；然后通过RIE刻蚀硅片或石英基板，刻蚀速率50-200nm/min，侧壁弧度偏差＜±2°。柱子高度50-500μm，间距20-100μm，阵列密度可达10⁴个/cm²。在细胞培养芯片中，弧形柱子表面通过RGD多肽修饰，促进成纤维细胞沿曲率方向铺展，细胞取向率提升70%，用于肌腱组织工程研究。在微流控芯片中，弧形柱子阵列可降低流体阻力30%，减少气泡滞留，适用于高通量液滴生成系统，液滴尺寸变异系数＜5%。公司开发的弧形结构设计软件，支持参数化建模与加工路径优化，将设计到加工的周期缩短至3个工作日。该技术突破了传统直柱结构的局限性，为仿生微环境构建与流体控制提供了灵活的设计空间，在生物医学工程与微流控器件中具有广泛应用前景。特殊MEMS微纳米加工之声表面波器件加工
