上海通用驱动电路量大从优

IGBT 的开关特性主要取决于IGBT的门极电荷及内部和外部的电阻。图1是IGBT 门极电容分布示意图，其中CGE 是栅极-发射极电容、CCE 是集电极-发射极电容、CGC 是栅极-集电极电容或称米勒电容（Miller Capacitor）。门极输入电容Cies 由CGE 和CGC 来表示，它是计算IGBT 驱动器电路所需输出功率的关键参数。该电容几乎不受温度影响，但与IGBT集电极-发射极电压VCE 的电压有密切联系。在IGBT数据手册中给出的电容Cies 的值，在实际电路应用中不是一个特别有用的参数，因为它是通过电桥测得的，在测量电路中，加在集电极上C 的电压一般只有25V(有些厂家为10V)，在这种测量条件下，所测得的结电容要比VCE=600V 时要大一些(如图2)。MOSFET驱动电路：使用MOSFET（场效应晶体管）作为开关元件，适用于高效能的开关电源和电机驱动。上海通用驱动电路量大从优

-- 适用于Cies 的测试条件为 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT当为各个应用选择IGBT驱动器时，必须考虑下列细节：· 驱动器必须能够提供所需的门极平均电流IoutAV 及门极驱动功率PG。驱动器的比较大平均输出电流必须大于计算值。· 驱动器的输出峰值电流IoutPEAK 必须大于等于计算得到的比较大峰值电流。· 驱动器的比较大输出门极电容量必须能够提供所需的门极电荷以对IGBT 的门极充放电。在POWER-SEM 驱动器的数据表中，给出了每脉冲的比较大输出电荷，该值在选择驱动器时必须要考虑。奉贤区好的驱动电路生产企业显示控制：驱动电路可以将数字信号转换为模拟信号，以控制液晶显示屏、LED显示屏等显示设备；

2)能向IGBT提供足够的反向栅压。在IGBT关断期间，由于电路中其他部分的工作，会在栅极电路中产生一些高频振荡信号，这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态，增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此，比较好给处于截止状态的IGBT加一反向栅压(幅值一般为5～15 V)，使IGBT在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。3)具有栅极电压限幅电路，保护栅极不被击穿。IGBT栅极极限电压一般为+20 V，驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。4)由于IGBT多用于高压场合。要求有足够的输入、输出电隔离能力。所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离，一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。

推挽驱动是两不同极性晶体管输出电路无输出变压器（有OTL、OCL等）。是两个参数相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高。推挽输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。如果输出级的有两个三极管，始终处于一个导通、一个截止的状态，也就是两个三级管推挽相连，这样的电路结构称为推拉式电路或图腾柱（Totem- pole）输出电路。当输出低电平时，也就是下级负载门输入低电平时，输出端的电流将是下级门灌入T4；当输出高电平时，也就是下级负载门输入高电平时，输出端的电流将是下级门从本级电源经 T3、D1 拉出。IGBT驱动电路分为正压驱动和负压驱动，负压关断可以避免误导通风险，加快关断速度，减小关断损耗。

IGBT栅极驱动功率 P=FUQ，其中：F 为工作频率；U 为驱动输出电压的峰峰值；Q 为栅极电荷，可参考IGBT模块参数手册。例如，常见IGBT驱动器(如TX-KA101)输出正电压15V，负电压-9V，则U=24V，假设 F=10KHz，Q=2.8uC可计算出 P=0.67w ，栅极电阻应选取2W电阻，或2个1W电阻并联。三、设置栅极电阻的其他注意事项1、尽量减小栅极回路的电感阻抗，具体的措施有：IGBT栅极驱动功率 P=FUQ，其中：F 为工作频率；U 为驱动输出电压的峰峰值；Q 为栅极电荷，可参考IGBT模块参数手册。例如，常见IGBT驱动器(如TX-KA101)输出正电压15V，负电压-9V，则U=24V，假设 F=10KHz，Q=2.8uC可计算出 P=0.67w ，栅极电阻应选取2W电阻，或2个1W电阻并联。三、设置栅极电阻的其他注意事项1、尽量减小栅极回路的电感阻抗，具体的措施有：集成驱动芯片：一些集成电路（IC）可以简化驱动电路的设计，例如用于电机驱动的H桥驱动IC。上海通用驱动电路量大从优

电机驱动电路：直流电机驱动电路、步进电机驱动电路和伺服电机驱动电路，通常需要控制电机的转速和方向。上海通用驱动电路量大从优

驱动电路是用于控制和驱动其他电路或设备的电路。它们通常用于控制电机、继电器、LED、显示器等负载。驱动电路的设计通常需要考虑负载的电流、电压要求，以及控制信号的特性。以下是一些常见的驱动电路类型：MOSFET驱动电路：使用MOSFET（场效应晶体管）作为开关元件，适用于高效能的开关电源和电机驱动。BJT驱动电路：使用双极型晶体管（BJT）来驱动负载，适合低频应用。继电器驱动电路：通过控制继电器的开关来驱动高功率负载，适用于需要隔离控制信号和负载的场合。上海通用驱动电路量大从优

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