企业商机
二极管基本参数
  • 品牌
  • 南科功率
  • 型号
  • 齐全
  • 半导体材料
  • 硅Si,磷化镓GaP,磷铟砷化镓GaAsInP,锗Ge,砷As,磷砷化镓GaAsP,铝Al,砷铝化镓GaAlAs,铟In,氮N,磷化铝镓铟AlGaInP,镓Ga,磷P,氮化镓GaN,砷化镓GaAs
  • 封装方式
  • 塑料封装,玻璃封装,厚膜封装,金属外壳封装
二极管企业商机

二极管是否损坏如何判断:(1)极性的判别,将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反向电阻),一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。温度对二极管的性能有较大的影响,温度升高时,反向电流将呈指数规律增加,如硅二极管温度每增加8℃,反向电流将约增加一倍;锗二极管温度每增加12℃,反向电流大约增加一倍。另外,温度升高时,二极管的正向压降将减小,每增加1℃,正向压降VD大约减小2 mV,即具有负的温度系数。二极管是一种电子器件,具有正向导、反向截止的特性。中山激光二极管供应商

中山激光二极管供应商,二极管

肖特基二极管,利用金属和半导体二者的接合面的'肖特基效应'的整流作用。由于正向的切入电压较低,导通回复时间也短,适合用于高频率的整流。一般而言漏电流较多,突波耐受度较低。也有针对此缺点做改善的品种推出。稳压二极管(Reference Diode)(常用称法:齐纳二极管),施加反向偏置,超过特定电压时发生的反向击穿电压随反向电流变化很小,具有一定的电压稳定能力。利用此性质做成的元件被用于电压基准。借由掺杂物的种类、浓度,决定击穿电压(破坏电压)。其正向偏置与一般的二极管相同。半导体二极管制造二极管作为基本器件,对电子技术的发展和应用起着重要作用。

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静电放电(ESD)二极管,静电放电的英文全称为Electro-Static Discharge,简称ESD,ESD二极管是一种具有两个电极的半导体器件,当加在两极间的电压达到一定值时,在其间产生电场使电子移动而形成电流。当ESD二极管的两只引脚之间加有交变电压时,则其集电极和发射结之间的电容量就会发生变化;如果此时给该二极管加上反向偏置电压或输入一个低电平的信号脉冲,则它的输出端将会出现很大的电流。这就是所谓的“漏极开路”现象(简称“开路”)。

由于点接触型二极管金属丝很细,形成的PN结面积很小,所以极间电容很小,同时,也不能承受高的反向电压和大的电流。这种类型的管子适于做高频检波和脉冲数字电路里的开关元件,也可用来作小电流整流。如2APl是点接触型锗二极管,较大整流电流为16mA,较高工作频率为150MHz。面接触型二极管,面接触二极管是利用扩散、多用合金及外延等掺杂方法,实现P型半导体和N型半导体直接接触而形成PN结的。面接触二极管PN结的接触面积大,可以通过较大的电流,适用于大电流整流电路或在脉冲数字电路中作开关管。因其结电容相对较大,故只能在较低的频率下工作,在集成电路中可作电容用。如2CPl为面接触型硅二极管,较大整流电流为40OmA,较高工作频率只有3kHz。. 在电源管理中,稳压二极管可提供稳定的电压输出。

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晶体二极管分类如下:平面型二极管,在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上只选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此,不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。较初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。使用时应注意极性,接法错误会导致器件损坏。佛山开关二极管加工

二极管的优势在于其体积小、重量轻、功耗低,适用于各种电子设备中。中山激光二极管供应商

半导体二极管的非线性电流-电压特性,可以根据选择不同的半导体材料和掺杂不同的杂质从而形成杂质半导体来改变。特性改变后的二极管在使用上除了用做开关的方式之外,还有很多其他的功能,如:用来调节电压(齐纳二极管),限制高电压从而保护电路(雪崩二极管),无线电调谐(变容二极管),产生射频振荡(隧道二极管、耿氏二极管、IMPATT二极管)以及产生光(发光二极管)。半导体二极管中,有利用P型和N型两种半导体接合面的PN结效应,也有利用金属与半导体接合产生的肖特基效应达到整流作用的类型。若是PN结型的二极管,在P型侧就是阳极,N型侧则是阴极。中山激光二极管供应商

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