电子元器件基本参数
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电子元器件企业商机

晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的二极管。1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常,把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管**符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。无锡微原电子科技,电子元器件助力智能家电升级。高淳区电子元器件设计

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电解电容器的检测A 因为电解电容的容量较一般固定电容大得多,所以,测量时,应针对不同容量选用合适的量程。根据经验,一般情况下,1~47μF间的电容,可用R×1k挡测量,大于47μF的电容可用R×100挡测量。B 将万用表红表笔接负极,黑表笔接正极,在刚接触的瞬间,万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡,容量越大,摆幅越大),接着逐渐向左回转,直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻,此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明,电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上,否则,将不能正常工作。在测试中,若正向、反向均无充电的现象,即表针不动,则说明容量消失或内部断路;如果所测阻值很小或为零,说明电容漏电大或已击穿损坏,不能再使用。秦淮区通用电子元器件无锡微原,用专业态度打造每一颗电子元器件。

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空载电流的检测。(a) 直接测量法。将次级所有绕组全部开路,把万用表置于交流电流挡500mA,串入初级绕组。当初级绕组的插头插入220V交流市电时,万用表所指示的便是空载电流值。此值不应大于变压器满载电流的10%~20%。一般常见电子设备电源变压器的正常空载电流应在100mA左右。如果超出太多,则说明变压器有短路性故障。(b) 间接测量法。在变压器的初级绕组中串联一个10 /5W的电阻,次级仍全部空载。把万用表拨至交流电压挡。加电后,用两表笔测出电阻R两端的电压降U,然后用欧姆定律算出空载电流I空,即I空=U/R。

光电子器件组装的自动化技术将是降低光电子器件成本的关键。手工组装是限制光电子器件的成本进一步下降的主要因素。自动化组装可以降低人力成本、提高产量和节约生产场地,因此光电子器件组装的自动化技术的研究将是降低光电子器件成本的关键。由于光电子器件自动化组装的精度在亚微米量级,自动化组装生产一直被认为是很困难的事,但有很大突破。国外的学术期刊已多次报道在VCSEL、新型光学准直器件和自对准等技术进步基础上,光器件自动化组装实现的突破,同时专门针对自动化组装的光电子器件设计也正在兴起。电子元器件在质量方面国际上有欧盟的CE认证,美国的UL认证。

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技术发展趋势新型元器件将继续向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、环保节能方向发展。市场需求分析随着下一代互联网、新一代移动通信和数字电视的逐步商用,电子整机产业的升级换代将为电子材料和元器件产业的发展带来巨大的市场机遇。“十一五”发展重点我国《电子基础材料和关键元器件“十一五”专项规划》重点强调新型元器件、新型显示器件和电子材料作为主要分产业的发展目标。注:上表所列信息与数据引自商务部网站、国研网、统计局网站。


半导体工业和半导体技术被称为现代工业的基础,同时也已经发展称为一个相对的高科技产业。黄浦区本地电子元器件

在20世纪出现并得到飞速发展的电子元器件工业使整个世界和人们的工作。高淳区电子元器件设计

数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。根据数字集成电路中包含的门电路或元器件数量,可将数字集成电路分为小规模集成(SSI)电路、中规模集成(MSI)电路、大规模集成(LSI)电路、超大规模集成(VLSI)电路和特大规模集成(ULSI)电路。小规模集成电路包含的门电路在10个以内,或元器件数不超过100个;中规模集成电路包含的门电路在10-100个之间,或元器件数在100-1000个之间;大规模集成电路包含的门电路在100个以上,或元器件数在1000个以上;超大规模集成电路包含的门电路在1万个以上;特大规模集成电路包含的门电路在10万个以上。它包括:基本逻辑门、触发器、寄存器、译码器、驱动器、计数器、整形电路、可编程逻辑器件、微处理器、单片机、DSP等。高淳区电子元器件设计

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