电容和体积由于电解电容大多采用卷绕结构，容易扩大体积，所以单位体积的电容很大，比其他电容大几倍到几十倍。然而，大电容的获得是以体积膨胀为代价的。开关电源要求更高的效率和更小的体积。因此，有必要寻找新的解决方案来获得具有大电容和小体积的电容器。一旦有源滤波电路用于开关电源的原边，铝电解电容器的使用环境就变得比以前更加恶劣：(1)高频脉冲电流主要是20kHz~100kHz的脉动电流，而且增加很大；(2)变流器主开关管发热，导致铝电解电容器环境温度升高；(3)大部分变换器采用升压电路，所以需要耐高压的铝电解电容。结果，由现有技术制造的铝电解电容器不得不选择大尺寸的电容器，因为它们需要吸收比以前更多的脉动电流。结果，电源的体积巨大，并且难以在小型化的电子设备中使用。为了解决这些问题，有必要研究和开发一种新型的电解电容器，这种电容器体积小，耐高压，并允许大量的高频脉冲电流流过。另外，这种电解电容器，在高温环境下工作，工作寿命长。MLCC的结构主要包括三大部分：陶瓷介质，内电极，外电极。南通温度补偿型电容厂家
高扛板弯电容的定义：高扛板弯电容是一种专为高耐压场景设计的电容器，其中心特性在于能够承受高压电场和机械应力（如电路板弯曲或振动）。这类电容通常采用多层陶瓷介质或特殊加固结构，通过优化极板与介质的组合方式，提升抗电压击穿能力和抗形变性能。
高扛板弯电容的工作原理：与常规电容类似，其通过两极板间电场存储电荷，遵循公式Q=C×V（电荷量=电容值×电压）。极板面积越大、间距越小（介质介电常数高），容量越大。介质强化：采用高介电强度的陶瓷材料（如钛酸钡基介质），降低高压下的击穿风险。结构加固：通过分层堆叠极板或使用柔性封装材料，减少机械应力引发的内部裂纹。在电路板弯曲或振动环境中，电容通过低应力焊接工艺（如柔性端接）或分立式安装设计，分散外部应力，避免内部介质开裂导致短路或容量衰减。北京电感规格高扛板弯电容是一种专为高耐压场景设计的电容器。
陶瓷电容器品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容器到大型的功率陶瓷电容器。按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体陶瓷电容器；按无功功率大小可分为低功率、高功率陶瓷电容器；按工作电压可分为低压和高压陶瓷电容器；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等。陶瓷电容器的温度特性应用陶瓷电容器首先要注意的就是其温度特性；不同材料的陶瓷介质，其温度特性有极大的差异。
钽电容器成本高。看看我们的淘宝就知道100uF钽电容和100uF陶瓷电容的价格差了。钽电容的价格是陶瓷电容的10倍左右。如果电容要求小于100uF，大多数情况下，如果满足耐压，我们通常需要陶瓷电容。陶瓷电容器的封装大于1206大容量或高耐压时尽量慎重选择。片式陶瓷电容器的主要失效形式是断裂(封装越大越容易失效):片式陶瓷电容器常见的失效形式是断裂，这是由片式陶瓷电容器本身介质的脆性决定的。由于片式陶瓷电容焊接直接在电路板上，直接承受来自电路板的各种机械应力，而铅制陶瓷电容可以通过引脚吸收来自电路板的机械应力。因此，对于片式陶瓷电容器，由于热膨胀系数不同或电路板弯曲，钽电容： 优点：体积小、电容量较大、外形多样、长寿命、高可靠性、工作温度范围宽。
陶瓷电容器的分类:陶瓷电容器根据介质的种类主要可以分为两种，即I类陶瓷电容器和II类陶瓷电容器。Ⅰ类陶瓷电容器，原名高频陶瓷电容器，是指由陶瓷介质制成的电容器，具有低介质损耗，高绝缘电阻，介电常数随温度线性变化。特别适用于谐振电路和其它损耗低、电容稳定的电路，或用于温度补偿。Ⅱ类陶瓷电容器过去称为低频陶瓷电容器，是指以铁电陶瓷为电介质的电容器，所以又称为铁电陶瓷电容器。这种电容器比电容大，电容随温度非线性变化，损耗大。常用于电子设备中对损耗和电容稳定性要求不高的旁路、耦合或其他电路。液态电解电容采用的介电材料为电解液，而固态电容采用的是导电性高分子。北京电感规格
想使电容容量大，有三种方法： ①使用介电常数高的介质 ②增大极板间的面积 ③减小极板间的距离。南通温度补偿型电容厂家
共烧技术(陶瓷粉料和金属电极共烧)，MLCC元件结构很简单，由陶瓷介质、内电极金属层和外电极三层金属层构成。MLCC是由多层陶瓷介质印刷内电极浆料，叠合共烧而成。为此，不可避免地要解决不同收缩率的陶瓷介质和内电极金属如何在高温烧成后不会分层、开裂，即陶瓷粉料和金属电极共烧问题。共烧技术就是解决这一难题的关键技术，掌握好的共烧技术可以生产出更薄介质(2μm以下)、更高层数(1000层以上)的MLCC。当前日本公司在MLCC烧结设备技术方面早于其它各国，不仅有各式氮气氛窑炉(钟罩炉和隧道炉)，而且在设备自动化、精度方面有明显的优势。南通温度补偿型电容厂家
